Патенты автора Ионов Александр Сергеевич (RU)
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к герметичным корпусам изделий электронной техники. Герметичный корпус для изделий электронной техники состоит из основания, внешних выводов, верхней и нижней крышек и содержит внутреннюю полость. Внутренняя полость корпуса содержит датчик герметичности и источник света, объединенные электрической связью с линией питания. Корпус содержит один или несколько участков из материала, размеры и оптические свойства которого позволяют использовать их в качестве трансфедеров светового потока используемого источника света. Изобретение направлено на обеспечение возможности постоянного контроля герметичности корпусов изделий электронной техники, в том числе во время работы, с возможностью мгновенной реакции на разгерметизацию корпуса. 2 ил.
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам модификации поверхности кристаллов карбида кремния, и может быть использовано для получения мезапланарных структур различной огранки. Кроме того, изобретение может быть использовано в ювелирном деле для создания мультимезапланарного дизайна камней муассонита (карбида кремния). Предлагается способ модификации поверхности кристаллов карбида кремния, включающий лазерное облучение поверхности и анизотропное химическое травление граней карбида кремния различной ориентации. Способ позволяет управлять процессом модификации поверхности кристаллов карбида кремния и получать структуры различной формы и огранки для решения различных задач, связанных с формированием рисунка и его оптических свойств. Техническим результатом при реализации заявленного решения выступает создание мезапланарных карбидокремниевых структур различной формы и огранки. 1 ил.
Изобретение относится к теплотехнике. Способ контроля качества аммиачной тепловой трубы включает накладывание фильтровальной бумаги, смоченной индикаторным раствором, содержащим 3%-ный раствор CoCl2⋅6H2O, на контролируемый участок трубы, определение места течи по появлению пятен или точек, окрашенных в цвет от голубого до сине-фиолетового, почти черного, в зависимости от количества поступившего аммиака, при этом к середине тепловой трубы осуществляют импульсный подвод тепла, а контролируемый участок трубы с наложенным на него индикатором аммиака до подвода тепла герметизируют с помощью оптически прозрачного материала. Техническим результатом является сокращение времени контроля дефектных областей, повышение информативности контроля, увеличение чувствительности и снижение методической погрешности способа. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области получения микро- и наноструктур поверхности карбида кремния. Cпособ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния включает установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния. Согласно изобретению установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла удаляются рабочей жидкостью. Способ позволяет получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния с высоким показателем качества при применении одного и того же оборудования и технических средств для реализации способа, изменяется только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения. 1 пр., 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, интегральных и гибридных микросхем. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность включает нанесение на обратную сторону полупроводниковых кристаллов контактного слоя и последующую контактно-реактивную пайку полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность корпуса на эвтектический сплав. Согласно изобретению нанесенный на обратную сторону полупроводниковых кристаллов контактный слой содержит последовательно напыленные металлы титан-никель-золото, толщиной 0,08±0,03 мкм, 0,07±0,03 мкм и 0,04±0,02 мкм, соответственно и нанесенный методом гальванического осаждения сплав золото-олово толщиной 4-6 мкм, с содержанием золота 70-80%, а пайку полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность корпуса осуществляют при температуре 300-320°С в течение 1-2 секунд. Изобретение обеспечивает возможность получения качественного и надежного соединения кристалла с основанием корпуса при температуре монтажа 300-320°С, что обеспечивает возможность монтажа полупроводниковых кристаллов большой площади, а также позволяет монтировать кремниевые и арсенид-галлиевые кристаллы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 2 ил.
Герметичный корпус модуля // 2707566
Изобретение относится к герметичным корпусам электрических приборов и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности, теплоотводу и радиационной стойкости. Технический результат - повышение надежности слоя геттера и элементов модуля за счет повышения радиационной стойкости корпуса. Достигается тем, что в герметичном корпусе, содержащем основание с внешними выводами, крышки, присоединенные к основанию пайкой по контуру, внешняя поверхность по крайней мере одной из крышек, вне зоны пайки содержит систему неровностей правильной формы, выполненных в виде пуклевок. Внутренняя поверхность крышки с пуклевками вне зоны пайки содержит по крайней мере один дополнительный слой карбида кремния, обладающий химической инертностью по отношению к геттеру, на поверхности которого известным способом сформирован слой геттера. 2 ил.
Тепловая микросистема с фотонным нагревом // 2700886
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения свойств и характеристик газовых потоков в экстремальных условиях эксплуатации. Заявлена тепловая микросистема с фотонным нагревом, включающая источник нагрева микросистемы и площадку круглой формы, в пределах периметра которой с двух сторон содержится электропроводящий слой известного химического состава с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры и ножки, содержащей также электропроводящий слой известного химического состава с внешними электрическими выводами, охранное кольцо в виде мезопланарной структуры и сквозное отверстие. Источник нагрева тепловой микросистемы представляет собой источник света, формирующий несколько прямых световых потоков с определенной периодичностью, направленных на разогреваемые элементы микросистемы. При этом один из направленных потоков излучения проходит через сквозное отверстие микросистемы, формируя с той же периодичностью, что и у прямых световых потоков, на обратной стороне тепловой микросистемы дополнительный источник нагрева элементов микросистемы с помощью установленных за сквозным отверстием отражающих поверхностей, расположенных под необходимым углом к световому потоку. Технический результат - уменьшение погрешности за счет возможности использования высокоомной терморезистивной структуры, а так же возможность локального нагрева микросистемы за счет использования установленных под необходимым углом различных отражающих поверхностей, упрощение настройки этих поверхностей, уменьшение погрешности измерений за счет сокращения количества элементов электрических цепей. 1 ил.
Способ контроля качества тепловой трубы // 2685804
Изобретение относится к теплотехнике, а именно к методам контроля качества тепловых труб с симметричной структурой. Предлагаемый способ позволяет исключить фоновое излучение и переотражение от поверхности тепловой трубы подводимого для ее нагрева инфракрасного излучения при использовании бесконтактных методов импульсного подвода тепла и измерения температур. На поверхности тепловой трубы пространственно разделяют зону локализации импульсного источника теплового потока и зону измерения температур поверхности тепловой трубы. При этом измерение температур поверхности тепловой трубы осуществляется по регистрируемому в инфракрасном диапазоне длин волн яркостному контрасту контролируемой поверхности, а импульсный подвод тепла к середине поверхности тепловой трубы осуществляется радиационным методом со стороны, противоположной стороне измерения температуры. Техническим результатом изобретения является повышение информативности и достоверности контроля качества тепловой трубы. 2 ил.
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ТЕПЛОВОЙ ТРУБЫ // 2680178
Изобретение относится к теплотехнике, а именно к методам контроля качества тепловых труб с симметричной структурой. Предложен способ контроля качества тепловой трубы путем использования бесконтактных оптических методов подвода тепла и измерения температуры, а также цифровых методов обработки регистрируемого яркостного контраста теплового поля. Перед подводом тепла на тепловой трубе формируют два продольных ребра. При этом радиационный импульсный подвод тепла к середине тепловой трубы и измерение температуры на длинах волн инфракрасного диапазона осуществляют на поверхности тепловой трубы между ребрами, а для снижения методической погрешности измерений температурного поля поверхность полости подвергают модификации посредством чернения. Результатом изобретения является повышение информативности и достоверности контроля качества тепловой трубы. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Контактное устройство // 2657460
Изобретение относится к электронной технике, к контактным устройствам, применяемым для подключения контактных элементов изделий электронной техники к установкам для измерения параметров. Технический результат - унификация конструкции контактного устройства за счет использования составных деталей, изменяя которые можно использовать контактное устройство для измерения параметров различных изделий электронной техники с различным количеством и расположением контактных элементов с осуществлением надежного контактирования. Достигается тем, что контактное устройство содержит основание из диэлектрического материала, на котором крепятся упругие контакты, разделительный элемент из диэлектрического материала и прижимную крышку. Разделительный элемент выполнен из установленных друг над другом, жестко зафиксированных на основании пластин из диэлектрического материала. В пластинах выполнены пазы и вырезы различного размера и расположения для размещения в них упругих контактов, изоляции их между собой и позиционирования их рабочей части к соответствующим контактным элементам контролируемого изделия электронной техники, которое расположено в выемке верхней пластины разделительного элемента. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
СИСТЕМА ЛОКАЛЬНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ // 2609582
Изобретение относится к области обработки данных и может быть использовано для создания систем локального позиционирования объектов, в частности для определения местонахождения оборудования и людей в помещениях и на прилегающих площадках. Достигаемый технический результат - повышение точности позиционирования системы. Указанный результат достигается за счет того, что система локального позиционирования объектов содержит идентификаторы и устройство контроля, при этом в устройство контроля входит блок контроля, приемо-передающие устройства, расположенные на известном расстоянии друг от друга, вычислительное устройство. Идентификаторы установлены на объектах и соединены по радиоканалу приема и ультразвуковому каналу передачи с приемо-передающими устройствами, которые по шине управления и шине данных соединены с вычислительным устройством. Местоположение объектов определяется по времени задержки распространения ультразвукового сигнала относительно радиосигнала. 1 ил.
Изобретение относится к радиотехнике, в частности к средствам приема и передачи радиоволн. Приемо-передающий модуль активной фазированной антенной решетки содержит передающий и приемный каналы, первое, второе и третье направленное устройство разделения падающей и отраженной мощностей, защитное устройство, выпрямитель, согласованную нагрузку, обратноходовой преобразователь. Вход падающей мощности первого направленного устройства соединен с выходом передающего канала, а выход отраженной мощности соединен с входом падающей мощности второго направленного устройства, которое через защитное устройство соединено с входом приемного канала. Выход отраженной мощности второго направленного устройства разделения падающей и отраженной мощностей подключен к входу падающей мощности третьего направленного устройства, подключенному к выпрямителю, нагруженному на вход обратноходового преобразователя, выход которого подключен к цепи питания передающего канала. Выход отраженной мощности третьего направленного устройства разделения падающей и отраженной мощностей подключен к согласованной нагрузке. Технический результат - повышение КПД антенной решетки. 2 ил.
КАТУШКА ИНДУКТИВНОСТИ // 2553455
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в катушках индуктивности или обмотках высоковольтных трансформаторов. Технический результат состоит в сокращении времени намотки, снижении массы и габаритов за счет повышения плотности укладки витков и повышении надежности при эксплуатации. Катушка индуктивности содержит изоляционный каркас с центральной осью, разделенный изоляционными перегородками на секции, и обмотку из провода в изоляции, переходящего из секции в секцию. Высота укладки провода в секции равна высоте перегородки плюс один диаметр провода в изоляции. Переход провода из секции в секцию осуществляется его намоткой по перегородке между этими секциями. Число витков в одной секции выбрано таким, чтобы напряжение между любыми двумя витками в одной секции не превышало допустимого пробивного напряжения изоляции провода. Шаг намотки витков постоянный по всей длине обмотки. 2 ил.
КАТУШКА ИНДУКТИВНОСТИ // 2547808
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при изготовлении любых катушек индуктивности или обмоток трансформаторов, наиболее актуально высоковольтных. Технический результат состоит в повышении надежности и уменьшении габаритов. Катушка индуктивности содержит обмотку из провода в изоляции, размещенную на электроизоляционном каркасе. Витки обмотки уложены под углом к оси каркаса. Каждый из витков обмотки содержит два участка, первый из которых основной, расположен в плоскости, перпендикулярной оси каркаса, второй участок переходной, расположен в угловом секторе, достаточном для двух изгибов провода в изоляции в противоположных направлениях и служит для перехода из плоскости основного участка текущего витка в плоскость основного участка следующего витка, расположен под углом от 30° до 60° к плоскостям основных участков соединяемых витков, обеспечивая угол пересечения от 60° до 120°, для предотвращения соскальзывания витков при намотке. Витки каждого слоя, кроме первого, уложены на своем основном участке строго в углублении между витками предыдущего слоя по приведенной в формуле изобретения схеме. Параметры обмотки связаны приведенными в формуле изобретения соотношениями. Провод обмотки содержит на всей наружной поверхности липкий самозатвердевающийся слой. 3 ил.
ПАССИВНЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕМЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ // 2464586
Изобретение относится к измерительной технике и может быть применено для преобразования переменного магнитного поля в электрическое напряжение в составе измерительной аппаратуры и в различных системах автоматического управления, а также в качестве питающего элемента
