Патенты принадлежащие Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Изобретение относится к подъемно-транспортному машиностроению, в частности к подъемникам пантографного типа, и может быть использовано в радиотехнике в качестве мачтового устройства для размещения различного оборудования, например антенн.
Изобретение относится к области антенной техники и может быть использовано в радиотехнических системах различного назначения в качестве базового элемента облучателя зеркальных антенн для обеспечения режима двойного использования частоты за счет поляризационной развязки.
Изобретение относится к области радиотехники, в частности к малогабаритным антеннам, и может найти применение в портативных радиостанциях, в задачах электромагнитной совместимости, в задачах радиомониторинга.
Изобретение относится к области радиотехники, в частности к антенной технике, и может найти применение в системах радиомониторинга, в системах контроля электромагнитной обстановки, в задачах ЭМС, в системах пеленгации, в системах связи, для регистрации и измерения синусоидальных, шумовых и импульсных магнитных полей в условиях больших электрических помех.
Изобретение относится к области радиосвязи, в частности к способу юстировки антенн, и может использоваться при организации каналов связи между мобильными комплексами связи. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV . .
Изобретение относится к устройствам связи источника сигнала с нагрузками. .
Изобретение относится к области радиотехники, в частности к сверхширокополосным печатным антеннам СВЧ диапазона, и может найти применение в системах связи, в радиодефектоскопии, в задачах радиомониторинга.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и направлено на уменьшение величины приведенного контактного сопротивления многослойных омических контактов Ge/Au/Ni/Ti/Au. .
Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. .
Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник.
Изобретение относится к области радиотехники, в частности к сверхширокополосным антеннам СВЧ-диапазона. .
Изобретение относится к радиолокационной технике и может служить в качестве маркерного отражателя при решении задач навигации по пассивным маякам, а также калибровочным отражателем при калибровке поляризационных РЛС.
Изобретение относится к радиолокационной технике и может служить в качестве маркерного отражателя при решении задач навигации по пассивным маякам, а также калибровочным отражателем при калибровке поляризационных РЛС.