Патенты принадлежащие ДОУ КОРНИНГ КОРПОРЕЙШН (US)
Группа изобретений относится к полупроводниковым материалам. Способ (вариант 1) включает обеспечение реакционной камеры, обеспечение полупроводниковой подложки, обеспечение прекурсорного газа или газов, выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на подложке в реакционной камере для формирования первого слоя, продувку реакционной камеры газовой смесью, включающей водород и газ, содержащий галоген, с обеспечением уменьшения эффекта памяти легирующей примеси без удаления сопутствующего осажденного слоя из зоны реакции и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в реакционной камере для формирования второго слоя.
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПЕНООБРАЗОВАНИЯ // 2506306
Изобретение относится к композициям для контроля пенообразования для систем жидких детергентов. Предложена композиция для контроля пенообразования, содержащая: (А) кремнийорганический антивспенивающий агент, содержащий (i) органополисилоксан, имеющий по меньшей мере один связанный с кремнием заместитель формулы Х-Ar, где Х представляет собой двухвалентную алифатическую группу, связанную с атомом кремния через атом углерода, а Ar представляет собой ароматическую группу, (ii) кремнийорганический полимер формулы R1 aSiO(4-a)/2, где R1 представляет собой углеводородную группу, углеводородокси или гидроксил, и а имеет среднее значение от 0,5 до 2,4, и (iii) гидрофобный наполнитель, и (В) органополисилоксановую смолу, содержащую по меньшей мере одну полиоксиалкиленовую группу, а также тетрафункциональные силоксановые звенья формулы SiO4/2 и монофункциональные силоксановые звенья формулы R2 3SiO1/2, причем общее число тетрафункциональных силоксановых звеньев в смоле составляет не менее 50% от общего числа силоксановых звеньев, а R2 представляет собой углеводородную группу.
Изобретение относится к способу крекинга высококипящих полимеров для увеличения выхода и минимизации отходов в процессе получения трихлорсилана. Предложен способ крекинга полихлорсилана и/или полихлорсилоксана, включающий стадии а) получения смеси, содержащей полихлорсилан и/или полихлорсилоксан; б) удаления твердых частиц из этой смеси с получением чистой смеси; и в) рециркуляции полученной чистой смеси в дистилляционный аппарат, и крекинг полихлорсилана и/или полихлорсилоксана в дистилляционном аппарате с получением трихлорсилана, тетрахлорсилана или их комбинации.
Изобретение может быть использовано в изготовлении полупроводниковых материалов. Способ получения монолитных кристаллов карбида кремния включает i) помещение смеси, содержащей крошку поликристаллического кремния и порошок углерода, на дно цилиндрической реакционной камеры, имеющей крышку; ii) герметизацию цилиндрической реакционной камеры; iii) помещение цилиндрической реакционной камеры в вакуумную печь; iv) откачивание из печи воздуха; v) заполнение печи смесью газов, которые по существу являются инертными газами, до приблизительно атмосферного давления; vi) нагревание цилиндрической реакционной камеры в печи до температуры от 1975 до 2500°С; vii) снижение давления в цилиндрической реакционной камере до менее 50 Торр, но не менее 0,05 Торр; и viii) осуществление сублимации и конденсации паров на внутренней части крышки цилиндрической реакционной камеры.
