Способ получения трихлорсилана и тетрахлорсилана


 


Владельцы патента RU 2499801:

ДОУ КОРНИНГ КОРПОРЕЙШН (US)
ХЕМЛОК СЕМИКЭНДАКТОР КОРПОРЕЙШН (US)

Изобретение относится к способу крекинга высококипящих полимеров для увеличения выхода и минимизации отходов в процессе получения трихлорсилана. Предложен способ крекинга полихлорсилана и/или полихлорсилоксана, включающий стадии а) получения смеси, содержащей полихлорсилан и/или полихлорсилоксан; б) удаления твердых частиц из этой смеси с получением чистой смеси; и в) рециркуляции полученной чистой смеси в дистилляционный аппарат, и крекинг полихлорсилана и/или полихлорсилоксана в дистилляционном аппарате с получением трихлорсилана, тетрахлорсилана или их комбинации. Технический результат - уменьшение отходов и увеличение выхода хлорсилановых мономеров в процессе получения трихлорсилана. 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Данная заявка претендует на приоритет предварительной заявки на патент США №61/119391, поданной 3 декабря 2008 г. Предварительная заявка на патент США №61/119391 включена в данное описание посредством ссылки.

Утверждение, касающееся финансируемых государством научных исследований

Отсутствует.

Предпосылки изобретения

Область техники

Настоящее изобретение относится к способу крекинга высококипящих полимеров для увеличения выхода и минимизации отходов в процессе получения трихлорсилана (HSiCl3). Полимеры включают в себя тетрахлордисилоксан (H2Si2OCl4), пентахлордисилоксан (HSi2OCl5), гексахлордисилоксан (Si2OCl6) и гексахлордисилан (Si2Cl6). В процессе крекинга получают дополнительное количество HSiCl3 и/или тетрахлорсилана (SiCl4), полезных в способе получения поликристаллического кремния.

Решаемая задача

SiCl4 является побочным продуктом, получаемым при осаждении кремния на субстрате в реакторе химического осаждения из паровой фазы (CVD, от англ. Chemical Vapor Deposition), в котором используется поток сырьевого газа, содержащего HSiCl3 и водород (H2). Желательно превращать SiCl4 обратно в HSiCl3, используемый в потоке сырьевого газа. Один из способов превращения SiCl4 обратно в HSiCl3 включает подачу H2 и SiCl4 в реактор с псевдоожиженным слоем (FBR, от англ. Fluidized Bed Reactor), содержащий частицы кремния. FBR работает при высоком давлении и температуре, при этом происходит следующая реакция.

3SiCl4+2H2+Si↔4HSiCl3

Частичная конверсия H2 и SiCl4 в HSiCl3 достигается вследствие равновесных ограничений. H2 отделяют от хлорсиланов и направляют обратно в исходное сырье (рециркулируют). Аналогично, непрореагировавший SiCl4 отгоняют из продукта HSiCl3 и рециркулируют. Продукт HSiCl3 может быть дополнительно подвергнут дистилляции для удаления примесей.

В FBR наряду с целевым продуктом HSiCl3 образуется остаток. Остаток, который является более тяжелым, чем SiCl4, собирается в нижней части дистилляционного аппарата. Остаток обычно содержит полихлорсиланы и/или полихлорсилоксаны, примерами которых являются частично гидрогенизированные соединения, включая тетрахлордисилоксан (H2Si2OCl4) и пентахлордисилоксан (HSiO2OCl5); и другие высококипящие соединения, включая гексахлордисилоксан (Si2OCl6) и гексахлордисилан (Si2Cl6). Остаток также содержит твердые частицы кремния, которые необходимо периодически удалять. Остаток периодически откачивают и удаляют.

Был предложен один подход для превращения полихлорсиланов и полихлорсилоксанов, в котором эти соединения подают обратно в FBR для получения HSiCl3. Однако считают, что данный способ не может использоваться в промышленности из-за ограничений, вызванных кинетикой реакции при характерных температурах реактора, если не выполняется множество циклов рециркуляции. Этот способ также осложняется наложением рециркуляционного потока на гидродинамику в реакторе и на саму реакцию образования целевого HSiCl3.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Способ крекинга полихлорсиланов и/или полихлорсилоксанов включает: рециркуляцию чистой смеси, содержащей полихлорсиланы и/или полихлорсилоксаны, в дистилляционный аппарат, в результате чего получают трихлорсилан, тетрахлорсилан или их комбинации.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ГРАФИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

На Фиг.1 представлена блок-схема схема, демонстрирующая способ по настоящему изобретению.

Условные обозначения
101 Трубопровод для подачи SiCl4 111 Отстойник
102 Трубопровод для подачи H2 113 Трубопровод для подачи для дистилляции
103 Реактор с псевдоожиженным слоем
115 Трубопровод для удаления продукта верха колонны
105 Трубопровод для подачи частиц кремния
117 Трубопровод для удаления остатка
107 Трубопровод для неочищенного
продукта 119 Аппарат для удаления твердых частиц
108 Аппарат для удаления пыли
109 Трубопровод для рециклинга частиц кремния 121 Трубопровод для удаления твердых частиц
110 Дистилляционная колонна 123 Трубопровод для чистой смеси

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В данной заявке предложен способ крекинга полихлорсиланов и/или полихлорсилоксанов. Способ может включать:

а. получение смеси, содержащей полихлорсилан и/или полихлорсилоксан;

возможно б. удаление твердых частиц из смеси с получением чистой смеси;

в. рециркуляцию чистой смеси в дистилляционный аппарат, в результате чего получают трихлорсилан, тетрахлорсилан или их комбинации.

На Фиг.1 показана блок-схема иллюстративного способа получения HSiCl3. SiCl4 подают через трубопровод 101, и H2 подают через трубопровод 102, в реактор с псевдоожиженным слоем (FBR) 103. Частицы кремния подают в FBR через трубопровод 105, и они образуют псевдоожиженный слой в FBR 103. Поток неочищенного продукта, содержащий HSiCl3, SiCl4, твердые частицы кремния и H2, отводят из верхней части FBR 103 через трубопровод 107. Твердые частицы кремния могут быть удалены с помощью аппарата 108 для удаления пыли, такого как циклон, и возвращены в FBR 103 через трубопровод 109. Полученную выходящую смесь подают отстойник 111 дистилляционной колонны 110 через трубопровод 113.

Отстойник 111 дистилляционной колонны 110 может содержать катализатор, который облегчает крекинг полихлорсилоксановых и полихлорсилановых соединений. Некоторые катализаторы могут по существу образовываться в отстойнике 111 дистилляционной колонны 110 из примесей, таких как олово, титан или алюминий. Примеры таких катализаторов включают, но не ограничиваются этим, дихлорид титана, трихлорид титана, тетрахлорид титана, тетрахлорид олова, дихлорид олова, хлорид железа, AlCl3 и их комбинацию. Количество такого катализатора зависит от различных факторов, включающих то, насколько часто остаток удаляют из дистилляционного аппарата 110, и уровень катализатора, присутствующего в выходящей смеси из FBR 103. Альтернативно, катализатор может быть добавлен в отстойник 111. Могут быть использованы металлические катализаторы платиновой группы, такие как платина, палладий, осмий, иридий, или их гетерогенные соединения. Металлические катализаторы платиновой группы возможно могут быть осаждены на субстратах, таких как углерод или оксид алюминия. Количество катализатора может варьироваться в зависимости от типа катализатора и факторов, описанных выше, однако количество может варьироваться от 0 до 20%, альтернативно, от 0 до 10% остатка. Специалист в данной области техники знает, что различные катализаторы обладают различными каталитическими активностями, и сможет выбрать подходящий катализатор и его количество, основываясь на условиях процесса в дистилляционном аппарате 110 и отстойнике 111.

Смесь, включающую SiCl4, HSiCl3 и H2, удаляют из верхней части дистилляционной колонны 110 через трубопровод 115. SiCl4 и H2 могут быть извлечены и поданы обратно в FBR 103, как описано выше. HSiCl3 возможно может быть использован в качестве сырьевого газа для реактора CDV (не показано) для производства поликристаллического кремния.

Вместе с целевым продуктом HSiCl3 в FBR 103 образуется остаток. Остаток, который тяжелее SiCl4, собирается в отстойнике 111. Остаток периодически удаляют через трубопровод 117. Остаток обычно содержит полихлорсилан и/или полихлорсилоксан. Примерами таких полихлорсиланов и полихлорсилоксанов являются частично гидрогенизованные соединения, включая тетрахлордисилоксан (H2SiO2OCl4) и пентахлордисилоксан (HSi2OCl5); и другие высококипящие соединения, включая гексахлордисилоксан (SiO2OCl6) и гексахлордисилан (Si2Cl6). Точное количество каждого из соединений полихлорсилана и полихлорсилоксана в остатке может варьироваться в зависимости от химии процесса и условий, в которых образуется остаток. Однако остаток может содержать от 0 до 15% H2Si2OCl4, от 5% до 35% HSi2OCl5, от 15% до 25% Si2OCl6 и от 35% до 75% Si2Cl6, из расчета на объединенную массу полихлорсиланов и полихлорсилоксанов в остатке. Остаток также может содержать твердые вещества, который нерастворимы в соединениях, описанных выше. Например, твердые вещества могут представлять собой полихлорсилоксаны, имеющие 4 или более атомов кремния, и полихлорсиланы более высого порядка. Твердые вещества также могут содержать твердые частицы кремния, которые возможно могут быть регенерированы, как описано ниже, и возможно рециркулированы в FBR 103.

Остаток может подаваться в аппарат для удаления твердых частиц 119. Твердые вещества могут быть удалены через трубопровод 121. Чистая смесь (т.е. смесь, содержащая тетрахлордисилоксан, пентахлордисилоксан, гексахлордисилоксан и гексахлордисилан, где твердые частицы удалены) может подаватьсяа через трубопровод 123 обратно в отстойник 111.

Фиг.1 предназначена для иллюстрации изобретения для среднего специалиста в данной области техники и не должна интерпретироваться как ограничивающая объем изобретения, изложенного в формуле изобретения. Средний специалист в данной области техники может осуществить модификации изобретения, проиллюстрированного на Фиг.1, которые по-прежнему способствуют осуществлению данного изобретения. Например, специалист в данной области техники знает, что циклон 108 не является обязательным и что один или более трубопроводов для подачи 101, 102 и 105 возможно могут быть объединены перед вхождением в FBR 103. Специалист в данной области техники знает, что дистилляционная колонна 110 может иметь конфигурацию, отличную от показанной на Фиг.1, например, вместо отстойника 111 может быть использован отдельный ребойлер, в который подают газ из трубопровода 113. Тогда остаток будет накапливаться в ребойлере. Кроме того, может быть использован альтернативный способ получения HSiCl3, например, альтернативный FBR 103, который продуцирует HSiCl3 из HCl и порошкового кремния.

Реакции крекинга соединений полихлорсилана и/или полихлорсилоксана в чистой смеси могут давать мономерные соединения хлорсилана (HSiCl3 и SiCl4) и полимеры силана и силоксана более высокого порядка с каждой последующей реакцией соединений в чистой смеси. Силоксановые полимеры становятся достаточно большими с образованием твердых частиц при длине приблизительно 4 звена. В условиях дистилляционного аппарата полихлорсиланы аналогично подвергаются реакциям крекинга. Частично гидрогенизированные соединения, описанные выше, находятся в равновесии с HSiCl3 и другими (не гидрогенизированными) соединениями, описанными выше, находятся в равновесии с SiCl4 согласно следующим реакциям:

HnSiO2OCl6-n↔Hn-1Si3O2Cl8-n+HSiCl3, где подстрочный индекс n означает число атомов водорода, например, 1 или 2,

Si2OCl6↔Si3O2Cl8+SiCl4.

Когда полихлорсилоксаны достигают степени полимеризации 4 или более, может образовываться твердое вещество, и реакция может стать необратимой, как проиллюстрировано ниже:

HnSi3O2Cl8-n→Hn-1Si4O3Cl10-n (твердое вещество) + HSiCl3, и

Si3O2Cl8→Si4O3C10 (твердое вещество) + SiCl4.

Основываясь на кинетических данных, все вышеуказанные реакции протекают с различными скоростями в отстойнике 111 с возможностью достижения равновесий за время пребывания соединений в отстойнике 111 при рециркулировании чистой смеси. Отстойник 111 может функционировать при температуре от 130°C до 280°C, альтернативно, от 180°C до 240°C, и альтернативно, от 200°C до 220°C, в течение времени пребывания, варьирующемся от 10 суток до 1 часа, при давлении, варьирующемся от 25 бар (2,5 МПа) до 40 бар (4 МПа). Специалист в данной области техники знает, что выбранное время пребывания зависит от различных факторов, включающих температуру и присутствие или отсутствие катализатора. Давление может быть выбрано на основании практических ограничений. Повышенное давление будет увеличивать температуры кипения в дистилляционном аппарате. Диапазон давлений позволяет реакции протекать при подходящих температурах и, следовательно, с достаточной скоростью.

Промышленная применимость

Способ, описанный в данной заявке, приводит к уменьшению отходов и увеличению выхода хлорсилановых мономеров (HSiCl3 и SiCl4), полезных в производстве поликристаллического кремния. Полихлорсиланы и полихлорсилоксаны, которые в противном случае были бы удалены в виде отходов, подвергаются крекингу с получением полезных HSiCl3 и SiCl4.

1. Способ крекинга полихлорсилана и/или полихлорсилоксана с получением трихлорсилана, тетрахлорсилана или их комбинации, включающий:
а) получение смеси, содержащей полихлорсилан и/или полихлорсилоксан;
б) удаление твердых частиц из этой смеси с получением чистой смеси; и
в) рециркуляцию полученной чистой смеси, содержащей полихлорсилан и/или полихлорсилоксан, в дистилляционный аппарат, и крекинг полихлорсилана и/или полихлорсилоксана в дистилляционном аппарате с получением трихлорсилана, тетрахлорсилана или их комбинации.

2. Способ по п.1, где чистую смесь рециркулируют в отстойник дистилляционного аппарата.

3. Способ по п.1, где чистую смесь рециркулируют в ребойлер дистилляционного аппарата.

4. Способ по п.1, в котором твердые вещества рециркулируют в реактор с псевдоожиженным слоем для получения трихлорсилана.

5. Способ по п.1, где полихлорсилан выбран из группы, состоящей из гексахлордисилана, пентахлордисилана, тетрахлордисилана и их комбинации.

6. Способ по п.1, где полихлорсилоксан выбран из группы, состоящей из тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана и их комбинации.

7. Способ по п.1, где дистилляционный аппарат работает при температуре от 130°C до 280°C, когда время пребывания составляет от 10 суток до 1 ч при давлении от 25 бар (2,5 МПа) до 40 бар (4 МПа).

8. Способ по п.1, дополнительно включающий: г) подачу стока из реактора с псевдоожиженным слоем, производящего трихлорсилан, в дистилляционный аппарат перед стадией а).

9. Способ по п.8, где сток представляет собой поток неочищенного продукта, содержащий тетрахлорсилан, трихлорсилан, твердые частицы кремния и водород.

10. Способ по п.8, дополнительно включающий: д) удаление твердых частиц кремния из стока перед стадией г).

11. Способ по п.3, где ребойлер содержит катализатор.

12. Способ по п.11, где катализатор выбран из группы, состоящей из хлорида титана, олова, алюминия или их комбинации.

13. Способ по п.11, где катализатор содержит металл платиновой группы.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к химической технологии кремнийорганического синтеза. .
Изобретение относится к области получения метил(фенэтил)дихлорсилана, применяемого в качестве мономера при получении морозо-, термо- и радиационно стойких полимеров.

Изобретение относится к области химической технологии кремнийорганических соединений. .

Изобретение относится к способу получения фенилсодержащих хлорсиланов на основе процесса Гриньяра. .
Изобретение относится к области гидро- и олеофобных средств, предназначенных для защиты строительных материалов и конструкций от вредного воздействия окружающей среды, а также к экологически безопасным водоэмульсионным композициям на их основе.

Изобретение относится к процессам Гриньяра для получения фенилсодержащих хлорсилановых продуктов. .

Изобретение относится к химической технологии кремнийорганических соединений. .
Изобретение относится к области гидро- и олеофобных средств, предназначенных для защиты строительных материалов и конструкций от вредного воздействия окружающей среды.

Изобретение относится к области химии. Устройство 1 для производства трихлорсилана включает в себя печь 2 разложения, нагревательный элемент 8, нагревающий внутреннюю часть печи 2 разложения, трубу 3 подачи полихлорсилана и хлористого водорода во внутреннюю нижнюю часть печи 2 разложения, трубу 4 для отведения реакционного газа из верхней части реакционной камеры 13, расположенной между наружной периферийной поверхностью трубы 3 подачи сырья и внутренней периферийной поверхностью печи 2 разложения, ребро 14, которое направляет текучую смесь полихлорсилана и хлористого водорода к нижнему концу отверстия трубы 3 подачи сырья для перемешивания и подачи сырья вверх реакционной камеры.

Изобретение относится к области катализа. Описан катализатор дисмутирования содержащих водород и галоген соединений кремния, содержащий в качестве носителя диоксид кремния и/или цеолит и по меньшей мере один линейный, циклический, разветвленный и/или сшитый аминоалкилфункциональный силоксан и/или силанол, который в идеализированной форме соответствует общей формуле (II) (R 2 )[ − O − (R 4 )Si(A)] a R 3 ⋅ (HW) w     (II) в которой A означает аминоалкильный остаток -(CH2)3-N(R1)2 с одинаковыми или разными R1, означающими изобутил, н-бутил, трет-бутил и/или циклогексил, R2 независимо друг от друга означают водород, метил, этил, н-пропил, изопропил и/или Y, R3 и R4 независимо друг от друга означают гидрокси, метокси, этокси, н-пропокси, изопропокси, метил, этил, н-пропил, изопропил и/или -OY, причем Y означает материал носителя, HW означает кислоту, причем W означает галогенид, остаток кремниевой кислоты, сульфат и/или карбоксилат, с a≥1 в случае силанола, a≥2 в случае силоксана и w≥0.
Изобретение относится к получению кремнийсодержащих материалов, которые используются в процессах получения полупроводникового кремния. .

Изобретение относится к способу получения димерных и/или тримерных соединений кремния, в частности галогенсодержащих соединений кремния. .

Изобретение относится к технологии неорганических соединений. .

Изобретение относится к технологии получения тетрафторида кремния, используемого в производстве чистого поликристаллического кремния, пригодного, например, для изготовления солнечных батарей.
Изобретение относится к способу производства тетрахлорсилана. .

Способ получения галогенированного полисилана как чистого соединения или смеси соединений с, по меньшей мере, одной прямой связью Si-Si, заместители которого состоят из галогена или из галогена и водорода, с атомным соотношением заместитель:кремний, по меньшей мере, 1:1, и почти не содержащего разветвленных цепей и циклов, включает реакцию галогенсилана с водородом в условиях образования плазменного разряда с плотностью энергии менее 10 Вт/см3. Изобретение позволяет получать галогенированные полисиланы с хорошей растворимостью и плавкостью. 5 н. и 12 з.п. ф-лы, 11 ил., 6 пр.
Наверх