Патенты принадлежащие Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") (RU)

Заявлен мощный полевой транзистор СВЧ, содержащий полуизолирующую полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой выполнена заданная структура полупроводниковых слоев на основе арсенида галлия, на лицевой стороне которой - по меньшей мере одна заданная топология пассивной и активной областей полевого транзистора, последняя представляет собой последовательность элементов - единичных электродов истока, затвора, стока, каждый с соответствующими контактными площадками, токопроводящего канала с канавкой между каждой парой единичных электродов исток - сток под каждый единичный электрод затвора, при этом одноименные единичные электроды - истока, затвора, стока соединены электрически.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора различных изделий электронной техники СВЧ, в том числе интегральных схем СВЧ.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов устройств СВЧ. Полевой транзистор СВЧ с барьером Шоттки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным и контактным слоями, гребенку из чередующейся последовательности единичных электродов исток-затвор-сток, при этом между электродами исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия шириной не менее 4,0 мкм, в парах электродов исток-сток расположены каналы с канавками, в последних расположены электроды затвора, при этом - асимметрично в сторону электродов истока, в канале каждой из пар электродов исток-сток, со стороны электрода истока расположен диэлектрический слой из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, каждый из электродов затвора относительно его боковой поверхности со стороны электрода стока выполнен по высоте с разным размером поперечного сечения в сторону электрода истока, при этом нижняя часть - с меньшим, верхняя часть - с большим, одноименные электроды исток-затвор-сток соединены электрически, при этом канавка канала выполнена глубиной не более 0,3 мкм, диэлектрический слой в канале каждой из пар электродов исток-сток выполнен и со стороны электрода стока, при этом оба диэлектрических слоя выполнены из одного материала, с относительной диэлектрической проницаемостью менее 8,0, одинаковой толщины 0,1-0,25 мкм, расстояние между упомянутыми обоими диэлектрическими слоями соответствует ширине канавки канала и равно 0,3-1,0 мкм, нижняя часть электрода затвора выполнена по длине с размером поперечного сечения 0,03-0,5 мкм, по высоте - равной сумме значений глубины канавки канала и толщины диэлектрического слоя и расположена непосредственно на верхней поверхности канавки канала, её боковая поверхность со стороны электрода стока - по всей глубине боковой поверхности канавки канала и по всей толщине боковой поверхности диэлектрического слоя, верхняя часть электрода затвора выполнена с размером поперечного сечения по длине, превышающим размер поперечного сечения по длине нижней части на 0,3-0,6 мкм, при этом превышающая ее часть расположена непосредственно на верхней поверхности диэлектрического слоя, длина электрода затвора соответствует размеру поперечного сечения по длине его нижней части и соответственно равна 0,03-0,5 мкм.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот, а именно к антенным системам с суммарно-разностной обработкой сигнала. Техническим результатом антенной системы является формирование восьми независимых выходных СВЧ-сигналов при увеличении коэффициента усиления и снижении уровня боковых лепестков антенной системы высокочастотного диапазона.

Изобретение относится к квантовым дискриминаторам частоты. Атомно-лучевая трубка с лазерной накачкой и детектированием атомов Cs содержит в вакуумном корпусе источник пучка атомов Cs, первую оптическую камеру накачки атомов Cs, первую систему торцевой магнитной защиты, СВЧ-резонатор, катушку соленоида, вторую систему торцевой магнитной защиты, вторую оптическую камеру детектирования, магниторазрядный насос, систему магнитной защиты и геттеры, расположенные вдоль траектории прохождения пучка, согласно изобретению между второй оптической камерой детектирования и магниторазрядным насосом установлен комбинированный геттер - графитовый вкладыш с внутренним отверстием диаметром dвкл и титан-ванадиевой вставкой с отверстием диаметром dвст≥10 мм, причем dвкл>dвст и Dвст/dвст≥2, где Dвст - внешний и dвст - внутренний диаметры вставки; отношение частей геттера составляет 3≤H/hвст≤4, где Н - толщина графитовой части, hвст - толщина титан-ванадиевой вставки; в графитовом вкладыше с одной стороны выполнена выемка, в которую помещена титан-ванадиевая вставка; в вкладыше на глубине (Н-hвст)/2 выполнена проточка диаметром dвкл<d<Dвст и шириной 2-3 мм.

Изобретение относится к области электронной техники и служит для изготовления СВЧ-поглотителей спиральных ЛБВ с улучшенными эксплуатационными характеристиками. Техническим результатом изобретения является получение СВЧ-поглотителей с переменным сопротивлением по длине, причем изменение сопротивления по длине керамического стержня может происходить от линейного закона до экспоненциального.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ и может быть использовано в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР) наземного, морского, воздушного и космического базирования.

Изобретение может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР). Интегральная схема СВЧ содержит диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне покрытие локальное, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, выводы, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схеме, при этом подложка выполнена из карбида кремния, металлизационное покрытие на обратной стороне подложки выполнено сплошным, сквозное отверстие металлизировано, на контактных площадках кристалла активного элемента выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото, посредством которого лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с контактными площадками кристалла активного элемента.

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к замедляющим системам для мощных широкополосных приборов О-типа. Технический результат - повышение средней и импульсной выходных мощностей прибора с полосой усиления не менее 16% и обеспечение хорошего отвода тепла от элементов замедляющей системы.

Изобретение относится к радиотехнике. Микрополосковый ферритовый вентиль СВЧ содержит ферритовую подложку с металлическим слоем на обратной стороне, на ее лицевой стороне расположены три микрополосковые линии передачи - первая, вторая, третья, симметрично расположенные между собой, нагрузка из поглощающего материала, по меньшей мере один согласующий элемент, при этом одни концы первой, второй, третьей микрополосковых линий передачи имеют разветвления, которые соединены между собой в виде диска - диск разветвления заданного диаметра, другие их концы выведены по краю ферритовой подложки, другие концы первой и второй микрополосковых линий передачи являются входом и выходом вентиля СВЧ соответственно, другой конец третьей микрополосковой линии передачи соединен с нагрузкой из поглощающего материала с обеспечением функции распределенной нагрузки, магнитную систему для намагничивания ферритовой подложки.

Изобретение предназначено для разработки и производства широкого класса устройств электронной техники СВЧ, в том числе радиолокационных устройств. Полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре содержит полупроводниковую подложку и последовательность, по меньшей мере, одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материалов с заданными характеристиками полупроводниковой гетероструктуры типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, электроды истока, затвора, стока, расположенные на лицевой стороне полупроводниковой гетероструктуры.

Изобретение относится к химической очистке деталей из меди и ее сплавов и может быть применимо в электронной технике. Способ химической очистки деталей из меди и ее сплавов включает обработку деталей щелочным раствором, содержащим следующие компоненты в соотношении, г/л: тартрат натрия 140-160, натр едкий 40-60, перекись водорода 35-40%-ная 90-110, деионизированная вода - остальное.

Изобретение относится к области электронной техники. В известной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена: с топологическим рисунком проводников металлизации, по крайней мере, на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом, активным управляющим компонентом, и коаксиальным диэлектрическим резонатором, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя и электрически соединенными с его топологическим рисунком проводников металлизации, образующими генератор, управляемый напряжением; обратная сторона верхнего диэлектрического слоя многослойной платы также имеет экранную заземляющую металлизацию, по меньшей мере, на части, занятой генератором, управляемым напряжением, коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией через топологический рисунок проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя, и, по меньшей мере, один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, который электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи.

Изобретение относится к радиотехнике. Симметричная щелевая линия передачи СВЧ- и КВЧ-диапазонов содержит щель, выполненную в проводящем покрытии, расположенном на одной стороне плоскопараллельной диэлектрической подложки, и диэлектрик, размещенный в щели.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к способам изготовления интегральных устройств СВЧ на основе ферритовых материалов. Способ включает приготовление шихты с использованием связующего в виде этилового спирта, спекание заготовки осуществляют посредством технологических операций процесса горячего изостатического прессования.

Способ сборки гибридной интегральной схемы СВЧ на керамической подложке включает нанесение на обе стороны керамической подложки паяльной пасты с флюсом, расположение керамической подложки обратной стороной на металлическом основании, расположение на лицевой стороне керамической подложки навесных пассивных и активных элементов гибридной интегральной схемы, проведение технологических операций пайки элементов гибридной интегральной схемы, предусматривающих предварительный нагрев, нагрев до температуры пайки, собственно пайку и охлаждение, отмывку элементов гибридной интегральной схемы от остатков флюса, при этом упомянутые технологические операции на обратной и лицевой сторонах керамической подложки осуществляют раздельно.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления СВЧ-поглотителей спиральных ЛБВ с улучшенными эксплуатационными характеристиками. Устройство для изготовления СВЧ-поглотителей содержит реактор с внешними кольцевыми нагревателями, фланцы с трубками для подачи и откачки рабочей смеси газов, оснастку для крепления заготовок, которая состоит из трех соосно расположенных металлических дисков, верхний диск имеет сквозные отверстия для установки заготовок, расположенные по окружности с шагом не менее 2d и на расстоянии не менее 2d от края диска, где d - диаметр заготовки, средний диск содержит несквозные отверстия для установки заготовок, соосно расположенные отверстиям в верхнем диске, нижний диск имеет элементы для соединения с двигателем, обеспечивающим вращение всей оснастки, причем верхний и нижний диски фиксируются на расстоянии друг от друга, большем длины заготовки, с помощью шпилек, а средний диск имеет возможность свободно перемещаться между ними с помощью толкателя, проходящего через отверстия в верхнем или нижнем дисках, к механизму перемещения.

Изобретение относится к области электронной техники. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена с топологическим рисунком проводников металлизации по крайней мере на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя; с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом и активным управляющим компонентом, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, а также коаксиальным диэлектрическим резонатором, выводы которых электрически соединены с топологическим рисунком проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя многослойной платы и которые в совокупности образуют генератор, управляемый напряжением; коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией платы; по меньшей мере один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи, при этом в многослойной печатной плате выполнено отверстие, соразмерное расположенному в нем диэлектрическому коаксиальному резонатору, который установлен на дне металлического корпуса и электрически соединен с дном корпуса металлизацией своей боковой поверхности; часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, соединяющая активные генераторный и управляющий компоненты с коаксиальным выходом коаксиального диэлектрического резонатора, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора и электрически соединена с пленочными проводниками топологического рисунка, расположенного на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, и имеет в своем составе емкостные связи, причем емкостная связь между пленочным проводником соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде по меньшей мере одного зазора шириной 0,035-0,055 мм, а емкостная связь между боковой стороной пленочного проводника соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,16-0,24 мм.

Изобретение относится к области конструирования СВЧ-приборов, в частности к конструированию выводов энергии СВЧ-приборов. Технический результат - снижение коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) до значений менее 1,7 в рабочей полосе частот 7,5% и 1,5 в полосе 5,5% при обеспечении передачи СВЧ энергии высокого уровня мощности, упрощение конструкции волноводного вывода энергии и повышение ее надежности.

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к электровакуумным приборам О-типа, и может быть использовано в низковольтных лампах бегущей волны (ЛБВ) непрерывного и импульсного действия миллиметрового диапазона длин волн.

Изобретение относится к области электротехники, а именно, к технике СВЧ, в частности, к ферритовым материалам с кристаллической структурой граната, предназначенным для использования в невзаимных устройствах СВЧ: вентилях, циркуляторах, переключателях, фазовращателях высокого уровня мощности, работающих в сантиметровом диапазоне длин волн.

Изобретение относится к антенной технике, а именно к приемопередающим модулям АФАР СВЧ-диапазона. Технический результат - повышение надежности работы приемных каналов приемопередающего модуля, увеличение угла обзора, повышение точности определения координат цели и дальности ее обнаружения.

Изобретение относится к радиотехнике. Самоуправляемый переключатель СВЧ содержит три вывода - передача, прием, прием-передача.

Изобретение относится к электровакуумным СВЧ-приборам О-типа, в частности, к мощным спиральным лампам бегущей волны (ЛБВ) и к миниатюрным низковольтным ЛБВ с высокой удельной тепловой нагрузкой на спираль.

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к СВЧ-генераторам на транзисторах. Технический результат - усовершенствование малошумящих СВЧ-генераторов.

Способ изготовления омических контактов мощных электронных приборов на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия, включающий формирование заданной топологии омических контактов на заданном наружном слое упомянутой полупроводниковой гетероструктуры, нанесение материала омических контактов в виде прямой последовательности заданной системы его слоев, в вакууме, согласно заданной топологии, термический отжиг в инертной среде, в котором упомянутое нанесение материала омических контактов осуществляют в виде прямой последовательности системы металлических слоев титан-алюминий-никель-золото, толщиной (25-35)-(115-125)-(25-35)-(95-105) нм соответственно, перед термическим отжигом, на заданный наружный слой полупроводниковой гетероструктуры, с нанесенным материалом омических контактов в виде прямой последовательности системы металлических слоев титан-алюминий-никель-золото, наносят слой нитрида кремния, толщиной 45-55 нм, методом плазмохимического осаждения из газовой фазы состава, м3×10-6 при стандартных условиях: моносилан, аммиак, азот при их соотношении (15-25), (95-105), (1400-1600) соответственно, с частотой генерации плазмы (379-381) кГц, а термический отжиг осуществляют в два этапа: на первом - при температуре (645-655)°С, в течение (25-35) с, на втором - при температуре (795-805)°С, в течение (85-95) с.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к переключателям и ограничителям мощности СВЧ сигнала. Диодный переключатель СВЧ сигнала выполнен на основе Т-соединения с двумя диодами в каждом плече.

Изобретение относится к составам флюсов с повышенной термостойкостью, не содержащих в составе щелочей и кислот, предназначенных для низкотемпературной пайки в интервале температур 150-350°С на воздухе. Флюс для пайки содержит активатор, сахариды, растворитель и тиксотропный агент.

Изобретение относится к области электронной техники. Конструкция гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы с топологическим рисунком проводников металлизации на одной из сторон каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, коаксиальным диэлектрическим резонатором.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к корпусу для поверхностного монтажа изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ. Заявлен корпус СВЧ для изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ, содержащий основание и крышку, которые герметично соединены металлическим ободком, в основании выполнено, по меньшей мере, три сквозных металлизированных отверстия, в центральной части внешней и внутренней сторон основания выполнены, по меньшей мере, одна внешняя и соответствующая ей, по меньшей мере, одна внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, попарно соединенные между собой электрически, для расположения и последующего соединения кристалла либо кристаллов изделия СВЧ, по периферии внешней и внутренней сторон основания вне внешней и соответствующей ей внутренней «земляных» металлизированных контактных площадок выполнены, по меньшей мере, три внешних и соответствующих им, по меньшей мере, три внутренних вывода, каждые три упомянутых вывода формируют, по меньшей мере, два отрезка копланарной линии соответственно, попарно соединенные между собой электрически, заземленные проводники каждого отрезка копланарной линии соединены с внешней и соответствующей ей внутренней земляными металлизированными контактными площадками и металлическим ободком, в котором основание и крышка выполнены из материала алмаз, при этом основание, металлический ободок, внешняя и соответствующая ей внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, внешние и соответствующие им внутренние выводы, сквозные металлизированные отверстия выполнены в виде единой монолитной планарной платы, при этом металлический ободок выполнен по периметру единой монолитной планарной платы, металлический ободок, внешняя и соответствующая ей внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, внешние и соответствующие им внутренние выводы выполнены в виде многослойного металлизационного покрытия с высокой электропроводностью, крышка выполнена объемной формы, по внутренней поверхности которой выполнено многослойное металлизационное покрытие с высокой электропроводностью, каждая внешняя и соответствующая ей каждая внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, каждые внешние и соответствующие им каждые внутренние выводы попарно соединены между собой посредством сквозных металлизированных отверстий.

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих материалов на СВЧ. Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов включает заполнение волноводной секции исследуемым материалом, зондирование электромагнитной волной, измерение комплексных коэффициентов отражения и передачи и обработку результатов измерения.

Заявлен полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку, электроды истока, затвора, стока, на полуизолирующей подложке выполнен неоднородно легированный активный полупроводниковый слой из двух частей - первой и второй, первая часть - на заданном расстоянии от электрода затвора, с концентрацией легирующей примеси более 2×1017 см-3 и заданной поверхностной плотностью этой примеси, вторая часть - между упомянутой первой частью и электродом затвора, с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3, электрод затвора выполнен на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя.

Изобретение относится к электронной и ускорительной технике, а именно к вакуумноплотным волноводным окнам вывода энергии СВЧ, и может быть использовано при создании сверхмощных клистронов. Технический результат - устранение дополнительных неоднородностей в выходном волноводе, обеспечение надежности при мощностях, превышающих 30-40 МВт в S-диапазоне частот.

Изобретение относится к технологии производства металлостеклянных изделий для электронной и радиотехнической промышленности. Технический результат - повышение качества изделия, упрощение процесса изготовления изделия, упрощение изготовления оснастки.

Изобретение относится к электронной технике, в частности, для использования в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из пластины алмаза толщиной более 100 мкм, на лицевой и обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне - в виде локального слоя, на лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки расположены только пассивные элементы, либо - пассивные и активные элементы, линии передачи, выводы, при этом элементы соединены электрически согласно электрической схеме, интегральная схема заземлена, в которой металлизационное покрытие на обратной стороне упомянутой диэлектрической подложки выполнено в виде сплошного либо локального слоя, между обратной стороной диэлектрической подложки и ее металлизационным покрытием в виде сплошного либо локального слоя выполнен соответственно, по меньшей мере, один высоко электротеплопроводный металлический проводник, углубленный в диэлектрическую подложку на его толщину, между высоко электротеплопроводным металлическим проводником и металлизационным покрытием выполнен слой диэлектрического материала толщиной менее 2 мкм, с относительной диэлектрической проницаемостью более 4, в диэлектрической подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное высоко электротеплопроводным металлом, выводы соединены электрически с высоко электротеплопроводным металлическим проводником и интегральная схема заземлена посредством упомянутого сквозного отверстия, при этом металлизационное покрытие в виде локального слоя на лицевой и обратной сторонах диэлектрической подложки, высоко электротеплопроводный металлический проводник, сквозное отверстие выполнены согласно заданной топологии интегральной схемы СВЧ.

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к коллекторам электронов, и может найти широкое применение в многолучевых электронных приборах СВЧ типа О в качестве коллектора-рекуператора. Технический результат - увеличение токопрохождения и КПД прибора, в том числе и для многолучевых приборов, за счет повышения напряжения рекуперации энергии электронов в коллекторе и уменьшения тепловой нагрузки на коллектор и за счет уменьшения обратного тока снижается тепловая нагрузка на электродинамическую систему.

Изобретение относится к области высокочастотной радиоэлектроники, а именно к устройствам защиты входных каскадов СВЧ радиоприемных устройств, в частности приемников радиолокационных станций, от воздействия входной мощности высокого уровня в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн.
Изобретение относится к способу варки в тигле. Техническим результатом является упрощение процесса варки стекла в тигле, улучшение качества получаемого стекла.

Изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона дополнительно содержит на входе каждого канала направленный ответвитель мощности, а на выходе направленный ответвитель мощности, соединенный с системой контроля мощности, при этом выход каждого канала соединен с его входом через СВЧ выключатель, передающий канал содержит n-разрядный ступенчатый аттенюатор и дополнительный n-разрядный ступенчатый аттенюатор, имеющие одну схему управления, при этом вход n-разрядного ступенчатого аттенюатора подключен к выходу n-разрядного ступенчатого фазовращателя, а выход ко входу дополнительного n-разрядного ступенчатого аттенюатора, выход которого подключен ко входу согласующего усилителя, выход которого подключен ко входу предварительного усилителя.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления волноводных узлов устройств СВЧ диапазона. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение надежности и упрощение процесса изготовления окна вывода энергии СВЧ.

Фильтр СВЧ // 2713719
Изобретение относится к радиотехнике, в частности к фильтрам. Фильтр содержит входную и выходную линии передачи, между которыми расположен связанный резонатор, выполненный из двух каскадно-соединенных элементов, каждый из которых содержит два отрезка линии передачи одинаковой длины, связанных электромагнитно, при этом входная линия передачи соединена с концом первого отрезка первого элемента, а второй конец отрезка разомкнут, второй конец второго отрезка первого элемента соединен с первый концом первого отрезка второго элемента, первый конец второго отрезка второго элемента разомкнут, а второй его конец соединен с выходной линией передачи.

Использование: для уменьшения фазовых шумов СВЧ источника. Сущность изобретения заключатся в том, что устройство снижения фазовых шумов СВЧ сигнала содержит аналоговый СВЧ фазовращатель, резонаторы и усилитель, выход фазовращателя подключен к делителю, один выход которого является выходом устройства, а ко второму выходу подключен вход 3-децибельного делителя с двумя выходами, возле выходов которого размещены резонаторы, а к выходу каждого резонатора подключен вход детектора, выходы детекторов подключены ко входам дифференциального усилителя, выход усилителя подключен ко входу фильтра нижних частот, а выход фильтра подключен к управляющему входу аналогового СВЧ фазовращателя, причем резонансные частоты резонаторов расстроены на равные величины частот от частоты входного сигнала в разные стороны.

Изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона. Сущность заявленного решения заключается в том, что приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона содержит, по меньшей мере, один переключатель «прием/передача» на 2 положения, контакт «вход-выход» которого является входом-выходом модуля.

Изобретение относится к области радиотехники. Устройство для выравнивания амплитудно-частотной характеристики СВЧ тракта содержит центральный тракт и коаксиальные резонаторы, настраиваемые на разные частоты внутри полосы пропускания.

Изобретение относится к поглощающим СВЧ-энергию покрытиям и может быть использовано в электронной технике. Способ получения поглощающего СВЧ-энергию покрытия на металлических поверхностях деталей включает газотермическое напыление порошка, содержащего диоксид титана, при этом в качестве порошка, содержащего диоксид титана, используют порошок, состоящий из 100 % полиморфной модификации диоксида титана – рутила, а напыление осуществляют детонационным способом с получением покрытия, содержащего в качестве поглощающей СВЧ-энергию фазы - рутил.

Изобретение относится к электровакуумной технике СВЧ, а именно к баночным окнам ввода-вывода энергии СВЧ электровакуумных приборов и ввода энергии СВЧ в ускоряющие структуры ускорителей. В частности, оно может быть использовано при создании мощных и сверхмощных клистронов и мощных современных линейных СВЧ-ускорителей.

Изобретение относится к составам флюсов для низкотемпературной пайки с повышенной термостойкостью. Водорастворимый флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас %: глицерин 60-62, сорбит 27-28, щелочь 8-9, ингибитор в виде тетрабората натрия или борной кислоты 2-4.

Изобретение относится к клеевой композиции для электронной техники СВЧ. Композиция содержит связующее - модифицированную эпоксидную смолу - продукт взаимодействия эпоксититанкремнийорганической смолы с тетрабутоксититанатом, при соотношении компонентов 1:0,06 соответственно, металлический наполнитель - порошок тонкодисперсного серебра, разбавитель - продукт взаимодействия фенола с эпихлоргидрином, отвердитель.

Заявлен приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, содержащий, по меньшей мере, четыре одноканальных модуля, каждый из которых содержит последовательно соединенные защитное устройство и малошумящий усилитель приемного канала, выходной усилитель мощности передающего канала, два переключателя прием/передача, двунаправленный фазовращатель, схему управления, элементы электрической связи и питания, два вывода - первый и второй, при этом упомянутые электронные компоненты каждого из четырех одноканальных модулей выполнены в виде, по меньшей мере, трех фрагментов, каждый из заданных разных по составу электронных компонентов на отдельной диэлектрической подложке, при этом упомянутые фрагменты с одинаковыми электронными компонентами расположены на одном из, по меньшей мере, трех уровней - первом, втором, третьем соответственно, уровни соединены между собой посредством, по меньшей мере, трех соединительно-разделительных элементов, в каждом из них выполнены четыре полости по центру квадрантов зеркально симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных плоскостей, проходящих через продольную ось модуля, конфигурацией повторяющей упомянутый квадрант, при этом на первом уровне выполнены выходной усилитель мощности передающего канала, второй переключатель прием/передача, контакт первого переключателя прием/передача К1 соединен через двунаправленный фазовращатель с первым выводом, его контакт в положении передача К2 - с входом выходного усилителя мощности передающего канала, выход последнего - с контактом второго переключателя прием/передача К2, его контакт К1 - с вторым выводом, контакт второго переключателя прием/передача К3 - с входом защитного устройства, выход последнего - с входом малошумящего усилителя приемного канала, его выход - с контактом первого переключателя прием/передача К3, электрическую связь между электронными компонентами упомянутых фрагментов и каждого уровня обеспечивают элементы связи, при этом приемопередающий модуль имеет корпус, основание, стенки и крышка которого соединены с обеспечением герметичности.

Заявлена интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные металлизированные отверстия, посредством которых интегральная схема заземлена, элементы интегральной схемы выполнены монолитно и соединены согласно ее электрической схемы.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх