Интегральная схема свч

Авторы патента:

Дудинов Константин Владимирович (RU)

H01L27/12 - с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

Владельцы патента RU 2782184:

Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") (RU)

Изобретение может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР). Интегральная схема СВЧ содержит диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне покрытие локальное, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, выводы, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схеме, при этом подложка выполнена из карбида кремния, металлизационное покрытие на обратной стороне подложки выполнено сплошным, сквозное отверстие металлизировано, на контактных площадках кристалла активного элемента выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото, посредством которого лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с контактными площадками кристалла активного элемента. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления, выходной мощности и уровня рабочей частоты при сохранении высокой интеграции элементов и надежности. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.,1 табл.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР).

Основными параметрами интегральной схемы СВЧ и особенно в последнем случае ее применения являются выходная мощность, коэффициент усиления, коэффициент полезного действия, надежность, массогабаритные характеристики и их воспроизводимость.

Известна интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы – активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные металлизированные отверстия, посредством которых интегральная схема заземлена, элементы интегральной схемы выполнены монолитно и соединены согласно ее электрической схемы.

В которой, с целью улучшения электрических параметров – выходной мощности и коэффициента полезного действия, повышения воспроизводимости и надежности, активные и пассивные элементы, линии передачи и выводы выполнены планарно на лицевой стороне диэлектрической подложки из алмаза, при этом каждый активный элемент заглублен в диэлектрическую подложку из алмаза на толщину его эпитаксиальной структуры соответственно, при этом активные и пассивные элементы, линии передачи и выводы выполнены с обеспечением единой планарной плоскости [Патент № 2654970 RU. Интегральная схема СВЧ /Темнов А.М. и др.//Бюл. – 2018 – № 15 /].

Данная интегральная схема СВЧ имеет следующие значения электрических параметров.

Выходная мощность 5 Вт, коэффициент полезного действия 40 % в рабочей полосе частот 9-11 ГГц.

Известна интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой выполнены только пассивные элементы либо – пассивные элементы, линии передачи, выводы, активные элементы, при этом элементы соединены электрически, интегральная схема заземлена.

В которой с целью улучшения электрических параметров, повышения надежности и уменьшения массогабаритных характеристик, диэлектрическая подложка выполнена из пластины алмаза толщиной (100-200)×10^-6м, которая имеет металлизационное покрытие, при этом металлизационное покрытие выполнено в виде сплошного слоя на обратной и торцевых сторонах и локального слоя на лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки, при этом упомянутые слои выполнены одинаковой толщины, равной каждый 3-7 глубин скин-слоя, а заземление интегральной схемы выполнено посредством упомянутого металлизационного покрытия [Патент № 2474921 RU. Интегральная схема СВЧ /Дудинов К.В. и др.//Бюл. – 2013 – № 4/].

Данная интегральная схема СВЧ – Интегральная схема усилителя мощности СВЧ имеет следующие значения электрических и других параметров.

Выходная мощность 1,0 Вт, коэффициент усиления 15,0 дБ в рабочей полосе частот 9-10 ГГц (два каскада усиления).

Надежность – 10000 (десять тысяч) часов.

Известна интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из пластины алмаза толщиной более 100,0 мкм,

на лицевой и обратной сторонах которой выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне – в виде локального слоя,

на лицевой стороне диэлектрической подложки расположены только пассивные элементы, либо – пассивные и активные элементы, линии передачи, выводы, при этом элементы соединены электрически согласно электрической схеме, интегральная схема заземлена.

В которой, с целью улучшения электрических параметров, повышения надежности и уменьшения массогабаритных характеристик,

металлизационное покрытие на обратной стороне упомянутой диэлектрической подложки выполнено в виде сплошного либо локального слоя,

между обратной стороной диэлектрической подложки и ее металлизационным покрытием в виде сплошного либо локального слоя выполнен соответственно, по меньшей мере, один высоко электро- теплопроводный металлический проводник, углубленный в диэлектрическую подложку на его толщину,

между высоко электро- теплопроводным металлическим проводником и металлизационным покрытием выполнен слой из диэлектрического материала, толщиной менее 2,0 мкм, с относительной диэлектрической проницаемостью более 4,0,

в диэлектрической подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное высоко электро- теплопроводным металлом, с минимально низким уровнем газовыделения,

выводы соединены электрически с высоко электро- теплопроводным металлическим проводником, а интегральная схема заземлена посредством упомянутого сквозного отверстия,

при этом металлизационное покрытие в виде локального слоя на лицевой и обратной сторонах диэлектрической подложки, высоко электро- теплопроводный металлический проводник, сквозное отверстие выполнены согласно заданной топологии интегральной схемы СВЧ [Патент № 2737342 RU. Интегральная схема СВЧ /Темнов А.М. и др.//Бюл. – 2020 – № 33/] – прототип.

Выходная мощность (1,5-3,0) Вт, коэффициент усиления (8,0-10,0) дБ в рабочей полосе частот (9-10) ГГц.

Надежность – 13000 (тринадцать тысяч) часов.

Следует отметить, что данные интегральные схемы СВЧ, описанные в указанных выше аналогах, в том числе прототипе выполнены на диэлектрической подложке из алмаза и благодаря уникальным свойствам этого материала, а именно который на сегодня обладает:

во-первых, лучшей теплопроводностью – 2000 Вт/м×К, это в четыре раза превышает теплопроводность меди – 380 Вт/м×К);

во-вторых, лучшими диэлектрическими свойствами:

а) высоким значением ширины запрещенной зоны – более 5 эВ,

б) низкими значениями относительной диэлектрической проницаемости – 5,7 ед., что примерно в 2 раза меньше диэлектрической проницаемости других диэлектрических материалов (поликора, сапфира и др.);

в-третьих, низким удельным весом (плотность) – 3,51 г/см³, это примерно в три раза меньше удельного веса меди – 8,93 г/см³, классического материала металлического основания для интегральной схемы СВЧ.

И в совокупности с другими признаками каждого из указанных аналогов, и в зависимости от их применения данные интегральные схемы, как указано выше, имеют на сегодня достаточно высокий уровень значений электрических и иных требуемых параметров в своем (аналогичном) классе изделий СВЧ.

Однако, материал алмаза отличается

во-первых, высокой себестоимостью, при этом как природный, так и искусственный CVD алмаз,

во-вторых, архисложен с точки зрения требуемых видов его обработки.

Техническим результатом заявленной интегральной схемы СВЧ является повышение коэффициента усиления, выходной мощности, уровня рабочей частоты, снижение себестоимости, при сохранении высокой степени интеграции элементов и надежности.

Технический результат достигается заявленной интегральной схемой СВЧ, содержащей

диэлектрическую подложку заданной толщины, на лицевой и обратной сторонах которой выполнено металлизационное покрытие соответственно, при этом на лицевой стороне – в виде локального слоя,

на лицевой стороне диэлектрической подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, выводы, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, собственно контактные площадки кристалла активного элемента,

в диэлектрической подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие,

при этом элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схемы соответственно,

интегральная схема заземлена.

При этом

диэлектрическая подложка выполнена из материала карбида кремния, толщиной 50-100 мкм,

металлизационное покрытие на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено в виде сплошного слоя, толщиной 1-3 мкм,

сквозное отверстие металлизировано,

непосредственно на собственно контактных площадках дополнительно выполнен проводящий слой, из, по меньшей мере, одной последовательности системы металлических слоев олово-золото, либо золото-олово-золото, либо их сплава, при этом каждая – толщиной 0,5-5,0 мкм, при соотношении олово-золото, в вес. % 20,0 и 80,0 соответственно,

лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с соответствующими собственно контактными площадками кристалла активного элемента посредством упомянутого проводящего слоя.

Интегральная схема СВЧ представляет собой гибридную либо гибридно-монолитную интегральную схему усилителя мощности СВЧ, приемопередающего устройства СВЧ различного назначения.

Пассивные элементы представляют собой мощный резистор, индуктивность, конденсатор, кристалл активного элемента – кристалл диода, транзистора, монолитной интегральной схемы различного назначения.

Линии передачи выполнены в виде копланарной, либо микрополосковой, либо щелевой.

На лицевой стороне диэлектрической подложки дополнительно выполнено пассивирующее покрытие из нитрида кремния толщиной 0,5-1,0 мкм.

Интегральная схема СВЧ дополнительно снабжена в области расположения кристалла активного элемента и его соединений крышкой, выполненной из высоко теплопроводящего материала, например, карбида кремния.

Раскрытие сущности изобретения.

Совокупность существенных признаков заявленной интегральной схемы СВЧ.

Как ограничительной части, когда интегральная схема СВЧ содержит:

диэлектрическую подложку заданной толщины, на лицевой и обратной сторонах которой выполнено металлизационное покрытие соответственно,

при этом на лицевой стороне – в виде локального слоя,

в диэлектрической подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие,

интегральная схема заземлена.

Так и отличительной части, когда:

диэлектрическая подложка выполнена из материала карбида кремния, толщиной 50-100 мкм,

сквозное отверстие металлизировано,

непосредственно на собственно контактных площадках кристалла активного элемента дополнительно выполнен проводящий слой, из, по меньшей мере, одной последовательности системы металлических слоев олово-золото, либо золото-олово-золото, либо их сплава, при этом каждая – толщиной 0,5-5,0 мкм, при соотношении олово-золото, в вес. % 20,0 и 80,0 соответственно,

Выполнение диэлектрической подложки из материала карбида кремния и благодаря следующим значениям его свойств – характеристик:

- теплопроводность – 380 Вт/м×К,

- ширина запрещенной зоны – более 3 эВ,

- относительная диэлектрическая проницаемость – 9,6 ед.,

- удельный вес (плотность) – 3,21 г/см³, при этом, которые близки к значениям аналогичных характеристик материала алмаза.

Это в совокупности с указанной толщиной диэлектрической подложки, которая при этом максимально оптимизирована,

и в совокупности с другими указанными признаками формулы изобретения обеспечивает:

во-первых, повышение:

электрических параметров – коэффициента усиления, выходной мощности, уровня рабочей частоты,

во-вторых, снижение себестоимости.

При этом при сохранении:

- высокой степени интеграции элементов и

- надежности интегральной схемы СВЧ.

Выполнение металлизационного покрытия на обратной стороне диэлектрической подложки в виде сплошного слоя,

равно как выполнение сквозного отверстия металлизированным обеспечивает снижение себестоимости.

Выполнение непосредственно на собственно контактных площадках кристалла активного элемента дополнительно проводящего слоя, из, по меньшей мере, одной последовательности системы металлических слоев олово-золото, либо золото-олово-золото, либо их сплава, при этом когда каждая – толщиной 0,5-5,0 мкм, при соотношении олово-золото, в вес. % 20,0 и 80,0 соответственно,

И в совокупности с тем, что соединение лицевой стороны кристалла активного элемента с соответствующими собственно контактными площадками кристалла активного элемента посредством упомянутого проводящего слоя.

Это в совокупности обеспечивает:

во-первых, соединение кристалла активного элемента с диэлектрической подложкой кратчайшим путем и, тем самым, – улучшение отвода тепла от кристалла активного элемента и, как следствие, – повышение выходной мощности;

во-вторых, снижение его электрических паразитных составляющих и, как следствие, – повышение коэффициента усиления и уровня рабочих частот;

в-третьих, при меньших значениях теплопроводности диэлектрического материала подложки карбида кремния (380,0 Вт/(м×К) относительно теплопроводности диэлектрического материала подложки из алмаза (2000,0 Вт/м×К) не только достичь уровня значений электрических характеристик прототипа, но и превысить их.

Выполнение диэлектрической подложки толщиной как менее 50 мкм, так и более 100 мкм не допустимо: в первом случае – из-за резкого снижения ее целостности, во втором – из-за увеличения теплового сопротивления интегральной схемы СВЧ.

Выполнение пассивирующего покрытия из нитрида кремния толщиной как менее 0,5 мкм, так и более 1,0 мкм не желательно, в первом случае из-за недостаточной защиты интегральной схемы СВЧ (снижения его функциональных свойств), во втором – из-за снижения электрических параметров.

Итак, заявленная интегральная схема СВЧ, в полной мере, обеспечивает заявленный технический результат – повышение коэффициента усиления, выходной мощности, уровня рабочей частоты, снижение себестоимости, при сохранении высокой степени интеграции элементов и надежности.

Работа интегральной схемы СВЧ.

Работа интегральной схемы СВЧ рассмотрена относительно интегральной схемы усилителя мощности СВЧ.

Интегральная схема усилителя мощности СВЧ выполнена, на основе двух мощных полевых транзисторов с барьером Шотки, включенных по схеме с общим истоком.

Интегральная схема усилителя мощности СВЧ содержит один каскад усиления, мосты Ланге, цепи согласования по входу и выходу.

Согласование осуществляется с помощью согласующих элементов – согласующих конденсаторов, индуктивностей, линий передачи.

Для развязки по постоянному току используются развязывающие конденсаторы.

Для блокировки источников питания - блокировочные конденсаторы.

Интегральная схема усилителя мощности СВЧ питается от двух источников питания: первый положительной полярности питает цепь стоков, второй отрицательной полярности обеспечивает необходимое напряжение смещения на затворах полевых транзисторов с барьером Шотки.

При подаче на вход интегральной схемы усилителя мощности СВЧ входной мощности на его выходе реализуется усиленный сигнал СВЧ в рабочем диапазоне частот 12-15 ГГц.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг. 1 дан общий вид заявленной интегральной схемы СВЧ, где:

- диэлектрическая подложка – 1,

- металлизационное покрытие – на лицевой (2) и обратной (3) сторонах диэлектрической подложки, на лицевой стороне – в виде локального слоя, на обратной стороне – в виде сплошного слоя,

- пассивные элементы – 4,

- линии передачи – 5,

- выводы – 6,

- собственно контактные площадки кристалла активного элемента – 7,

- кристалл активного элемента – 8,

- сквозное отверстие – 9,

- проводящее покрытие из системы металлических слоев олово-золото – 10.

- на фиг.1 (а) дан частный случай выполнения интегральной схемы СВЧ – усилителя мощности СВЧ, в котором:

- пассивирующее покрытие – 11, выполненное из нитрида кремния,

- интегральная схема СВЧ дополнительно снабжена в области расположения кристалла активного элемента и его соединений крышкой – 12, выполненной из высоко теплопроводящего материала.

На фиг. 2 дана её электрическая схема.

На фиг. 3 дана зависимость выходной мощности (Рвых.) от рабочей частоты.

На фиг. 4 дана зависимость коэффициента усиления (Ку) от рабочей частоты.

Примеры конкретного выполнения.

Пример 1.

Интегральная схема СВЧ представляет собой гибридно-монолитную интегральную схему (частный случай) усилителя мощности СВЧ (КРПГ.434815.600) и содержит.

Диэлектрическую подложку 1 из материала карбида кремния (SiС) ДФКЛ.431421.060 ТУ, толщиной 75 мкм.

На лицевой стороне диэлектрической подложки 1 выполнены:

- металлизационное покрытие в виде локального слоя 2, прямой последовательности из системы металлических слоев: титан (Ti) – платина (Pt) – золото (Au), общей толщиной 2 мкм.

- пассивные элементы 4 – конденсаторы (развязывающие – С1, С2, С13, С14, блокировочные – С3 – С10, согласующие – С11, С12), резисторы (R1 и R2), индуктивности (L1-L4) и мосты Ланге (W1, W2);

- линии передачи 5 – микрополосковые линии передачи (TL1-TL10) с разным волновым сопротивлением 50 – 150 Ом соответственно;

- выводы 6 – вход и выход СВЧ, положительного питания U_пит1, отрицательного питания U_пит2;

Непосредственно на собственно контактных площадках кристалла активного элемента 7 выполнен проводящий слой 10, из двух последовательностей системы металлических слоев золото-олово-золото, общей толщиной 2,75 мкм, при соотношении олово-золото, в вес. % 20,0 и 80,0 соответственно,

На обратной стороне диэлектрической подложки 1 выполнено металлизационное покрытие в виде сплошного слоя 3, прямой последовательности из системы металлических слоев: титан (Ti) – золото (Au), общей толщиной 2 мкм.

В диэлектрической подложке 1 выполнено 20 сквозных отверстий 9, которые металлизированы золотом, толщиной 2 мкм;

На лицевой стороне диэлектрической подложки 1 располагают два кристалла активных элементов 8 – два мощных полевых транзистора с барьером Шотки (ПТШ) КРПГ.432153.015 и соединяют каждый их лицевой стороной с соответствующими собственно контактными площадками кристалла активного элемента 7 посредством упомянутого проводящего слоя 10.

Интегральная схема заземлена посредством сквозных металлизированных отверстий 9.

При этом все элементы интегральной схемы СВЧ выполнены и соединены электрически согласно её заданной топологии и электрической схемы соответственно.

При этом упомянутые элементы интегральной схемы СВЧ выполнены посредством типовых технологических операций методов тонкопленочной технологии и метода электронной литографии.

Примеры 2-7.

Аналогично выполнены образцы интегральной схемы СВЧ – усилитель мощности СВЧ, но при других конструкционных параметрах, заявленных в формуле изобретения (примеры 2-3, 6-7), а также выполненные за пределами формулы изобретения (примеры 4-5).

Пример 8 соответствует прототипу.

На изготовленных образцах заявленной интегральной схемы СВЧ – гибридно-монолитная интегральная схема усилителя мощности СВЧ КРПГ.434815.600.

Измерены зависимости:

- выходной мощности (Рвых.) от рабочей частоты (12-15 ГГц).

- коэффициент усиления (Ку) от рабочей частоты (12-15 ГГц).

Надежность оценивается временем безотказной работы интегральной схемы СВЧ.

Данные представлены на фиг. 3 и фиг. 4.

Из представленных зависимостей (Фиг. 3, Фиг. 4) и таблицы (примеры 1-3, 6-7) видно:

- образцы интегральной схемы СВЧ – усилителя мощности СВЧ КРПГ.434815.600, выполненные согласно заявленной формуле изобретения, имеют:

- резонансный характер,

- выходную мощность (10,0-11,0) Вт,

- коэффициент усиления (9,0-10,0) дБ,

- рабочую полосу частот 12-15 ГГц.

Снижение себестоимости примерно в 1,5 раза.

При сохранении высокой надежности – 13000,0 (тринадцать тысяч) часов, высокой степени интеграции.

В отличие от образцов, выполненных за пределами формулы изобретения (примеры 4-5) имеют примерно выходную мощность 9,0-10,0 Вт, коэффициент усиления 8,0-10,0 дБ в рабочей полосе частот 12,0-15,0 ГГц (один каскад усиления).

Надежность – 13000,0 (тринадцать тысяч) часов.

И прототипа (пример 8), который имеет примерно выходную мощность 1,5-3,0 Вт, коэффициент усиления 8,0-10,0 дБ в рабочей полосе частот 9,0-10,0 ГГц (один каскад усиления).

Надежность – 13000,0 (тринадцать тысяч) часов.

Таким образом, заявленная интегральная схема СВЧ по сравнению с прототипом обеспечивает повышение:

- выходной мощности интегральной схемы усилителя мощности СВЧ примерно в 3 раза;

- коэффициента усиления на 1 дБ;

- уровня рабочей частоты на 5 ГГц;

Снижение себестоимости примерно в 1,5 раза.

При сохранении надежности (13000,0 часов) и высокой степени интеграции.

Данная интегральная схема СВЧ с достаточно высокими электрическими параметрами, высокой надежностью и малыми массогабаритными характеристиками особенно востребуема в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками, в состав которых, входит множество (порядка тысячи) идентичных интегральных схем СВЧ различного назначения.

1. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку заданной толщины, на лицевой и обратной сторонах которой выполнено металлизационное покрытие соответственно, при этом на лицевой стороне – в виде локального слоя,

в диэлектрической подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие,

при этом элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схеме соответственно,

интегральная схема заземлена, отличающаяся тем, что

диэлектрическая подложка выполнена из материала карбида кремния толщиной 50-100 мкм,

металлизационное покрытие на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено в виде сплошного слоя толщиной 1-3 мкм,

сквозное отверстие металлизировано,

2. Интегральная схема СВЧ по п. 1, отличающаяся тем, что интегральная схема представляет собой гибридную либо гибридно-монолитную интегральную схему усилителя мощности СВЧ, приемопередающего устройства СВЧ различного назначения.

3. Интегральная схема СВЧ по п. 1, отличающаяся тем, что пассивные элементы представляют собой мощный резистор, индуктивность, конденсатор, кристалл активного элемента – кристалл диода, транзистора, монолитной интегральной схемы различного назначения.

4. Интегральная схема СВЧ по п. 1, отличающаяся тем, что линии передачи выполнены в виде копланарной, либо микрополосковой, либо щелевой.

5. Интегральная схема СВЧ по п. 1, отличающаяся тем, что на лицевой стороне диэлектрической подложки дополнительно выполнено пассивирующее покрытие из нитрида кремния толщиной 0,5-1,0 мкм.

6. Интегральная схема СВЧ по п. 1, отличающаяся тем, что интегральная схема дополнительно снабжена в области расположения кристалла активного элемента и его соединений крышкой, выполненной из высоко теплопроводящего материала, например карбида кремния.

Подложка дисплея и устройство отображения. Подложка дисплея содержит базовую подложку и множество подпикселей, размещенных в виде матрицы на базовой подложке.

Дисплейная подложка и дисплейное устройство // 2778835

Предложены дисплейная подложка (10) и дисплейное устройство (30). Дисплейная подложка (10) содержит первую электропроводную структуру (110), имеющую противоположные первую поверхность (111) и третью поверхность (113) и противоположные вторую поверхность (112) и четвертую поверхность (114), причем первая поверхность и вторая поверхность выполнены из одного и того же материала.

Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2778281

Изобретение относится к области электронной техники. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена с топологическим рисунком проводников металлизации по крайней мере на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя; с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом и активным управляющим компонентом, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, а также коаксиальным диэлектрическим резонатором, выводы которых электрически соединены с топологическим рисунком проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя многослойной платы и которые в совокупности образуют генератор, управляемый напряжением; коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией платы; по меньшей мере один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи, при этом в многослойной печатной плате выполнено отверстие, соразмерное расположенному в нем диэлектрическому коаксиальному резонатору, который установлен на дне металлического корпуса и электрически соединен с дном корпуса металлизацией своей боковой поверхности; часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, соединяющая активные генераторный и управляющий компоненты с коаксиальным выходом коаксиального диэлектрического резонатора, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора и электрически соединена с пленочными проводниками топологического рисунка, расположенного на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, и имеет в своем составе емкостные связи, причем емкостная связь между пленочным проводником соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде по меньшей мере одного зазора шириной 0,035-0,055 мм, а емкостная связь между боковой стороной пленочного проводника соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,16-0,24 мм.

Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2777532

Изобретение относится к области электронной техники. В известной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена: с топологическим рисунком проводников металлизации, по крайней мере, на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом, активным управляющим компонентом, и коаксиальным диэлектрическим резонатором, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя и электрически соединенными с его топологическим рисунком проводников металлизации, образующими генератор, управляемый напряжением; обратная сторона верхнего диэлектрического слоя многослойной платы также имеет экранную заземляющую металлизацию, по меньшей мере, на части, занятой генератором, управляемым напряжением, коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией через топологический рисунок проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя, и, по меньшей мере, один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, который электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи.

Подложка дисплея и способ ее изготовления // 2759445

Изобретения относятся к области технологии отображения, в частности к подложке дисплея и способу ее изготовления. Подложка дисплея содержит подложку; первый электрод, расположенный на подложке; и выпуклость, расположенную на первом электроде, при этом соотношение между размером поперечного сечения выпуклости в плоскости, параллельной подложке, и расстоянием от указанного поперечного сечения до поверхности первого электрода имеет отрицательный коэффициент корреляции, при этом выпуклость включает в себя первую часть и вторую часть, покрывающую первую часть, в которой ортогональная проекция первой части на подложку находится в пределах ортогональной проекции первого электрода на подложку, вторая часть контактирует с первым электродом, поверхность второй части, удаленная от подложки, соответствует поверхности первой части, удаленной от подложки, и первая часть состоит из диэлектрического материала, а вторая часть состоит из электропроводящего материала.

Матричная подложка, панель отображения и устройство отображения // 2745921

Изобретения относятся к устройствам отображения изображения. Матричная подложка содержит базовую подложку, содержащую множество пиксельных областей, множество тонкопленочных транзисторов, распределенных в соответствующих пиксельных областях, при этом каждый из тонкопленочных транзисторов содержит активный слой, расположенный на подложке; электрод затвора, расположенный на базовой подложке, причем активный слой и электрод затвора уложены один поверх другого; электрод истока, расположенный над электродом затвора, причем электрод истока электрически соединен с активным слоем через первое сквозное отверстие; электрод стока, расположенный над электродом затвора, причем электрод стока электрически соединен с активным слоем через второе сквозное отверстие, при этом электрод стока содержит первый участок, расположенный во втором сквозном отверстии; пассивирующий слой, расположенный на электродах истока и электродах стока, множество электродов пикселей, распределенных в соответствующих пиксельных областях, причем каждый из электродов пикселей электрически соединен с соответствующим одним из электродов стока через соответствующее третье сквозное отверстие, при этом электрод пикселя в каждой из пиксельных областей содержит два отдельных первых участка, расположенных в третьем сквозном отверстии, и второй участок, соединяющий два первых участка, два первых участка электрода пикселя находятся на двух противоположных сторонах второго сквозного отверстия, соответственно.

Подложки матрицы и способы их изготовления // 2688814

Изобретение относится к подложке матрицы и способу ее изготовления. Способ изготовления подложки матрицы включает: осаждение проводящего слоя на подложку и применение первой маски для травления проводящего слоя с формированием трех электродов тонкопленочного транзистора, первой сигнальной линии и второй сигнальной линии, причем первая сигнальная линия содержит первую часть и вторую часть, разделенные и расположенные с каждой стороны второй сигнальной линии, последовательное осаждение промежуточных слоев и применение второй маски при травлении промежуточных слове с формированием первой соединительной перемычки, соединяющей первую часть и вторую часть, осаждение проводящего электрода и применение третьей маски при травлении проводящего электрода с формированием электрода пикселя и соединительной линии, электрически соединенной с первой частью и второй частью.

Способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов // 2669546

Предлагаются способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления после формирования затвора и изолирующего слоя затвора тонкопленочного транзистора последовательно наносятся полупроводниковый слой и первый защитный слой.

Способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов // 2669546

Схема goa и жидкокристаллический дисплей // 2669520

Изобретение относится к области жидкокристаллических устройств отображения. Технический результат заключается в снижении энергопотребления жидкокристаллических устройств отображения.

Интегральная схема свч // 2782187

Изобретение относится к электронной технике СВЧ и может быть использовано в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР) наземного, морского, воздушного и космического базирования. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах которой выполнены слои металлизационного покрытия, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное высокоэлектротеплопроводным металлом, с минимально низким уровнем газовыделения, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схемы соответственно, при этом диэлектрическая подложка выполнена из SiC, выводы расположены на обратной стороне подложки, пассивные элементы, линии передачи, кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента расположены в центральной части лицевой стороны подложки, а прочие контактные площадки расположены по периферии лицевой стороны диэлектрической подложки и выполнены в виде сплошного контура, непосредственно на обратной стороне кристалла активного элемента, контактных площадках кристалла активного элемента и прочих контактных площадках дополнительно выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото в определенном соотношении, лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с его контактными площадками посредством упомянутого проводящего слоя, интегральная схема СВЧ дополнительно снабжена основанием, выполненным из высокоэлектротеплопроводного материала, на лицевой стороне основания выполнено углубление, размеры которого определены размерами пассивных элементов, линий передачи, кристалла активного элемента, контактных площадок, при этом часть лицевой стороны подложки, с расположенными на ней пассивными элементами, линиями передачи, кристаллом активного элемента, контактными площадками собственно кристалла активного элемента, расположена в углублении, лицевая сторона подложки соединена с лицевой стороной основания посредством проводящего слоя на прочих контактных площадках, обратная сторона кристалла активного элемента соединена с дном углубления посредством его проводящего слоя. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления, выходной мощности, уровня рабочей частоты, надежности, расширение области применения, снижение себестоимости. 6 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.