Патенты принадлежащие федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" (RU)
Изобретение относится к аналого-цифровой измерительной электронике, в частности к аналого-цифровым преобразователям для преобразования аналоговых сигналов в цифровой код, и может использоваться для преобразования аналоговых сигналов с датчиков физических величин в цифровой формат для дальнейшей обработки.
Аналого-цифровой преобразователь // 2760906
Изобретение относится к аналого-цифровой измерительной электронике, в частности к аналого-цифровым преобразователям с промежуточным преобразованием напряжения в длительности импульсов. Технический результат - повышение точности преобразования аналогового сигнала.
Частотно-фазовый детектор // 2721416
Изобретение относится к цифровой электронике и может использоваться в системах фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). Технический результат заключается в исключении возможности «захвата» когерентных и кратных частот опорного сигнала, что позволит избежать рисков сбоя в режиме частотного детектирования, увеличении стабильности работы системы контура ФАПЧ, повышении надежности, снижении энергопотребления.
Изобретение относится к элементам магнитной стрейнтроники и может быть использовано в преобразователях механических деформаций (напряжений, давлений), акустических преобразователях на основе многослойных тонкоплёночных магнитострикционных наноструктур с анизотропным магниторезистивным эффектом.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в вычислительных и управляющих системах различного назначения. Технический результат заключается в обеспечении возможности определения исправности всех трёх резервирующих элементов модуля во время тестирования изготовленной микросхемы, при сохранении сбоеустойчивости схемы к одиночным отказам.
Использование: для конструкции оптоволоконных датчиков магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент преобразователя магнитного поля для волоконно-оптического датчика содержит подложку из монокристаллического кремния, мембрану, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры, и планарную чувствительную площадку, отражающую свет, из магнитострикционного материала в центральной области мембраны, причем мембрана содержит по меньшей мере два диэлектрических слоя, имеющих внутренние напряжения противоположного знака, а также на мембране выполнен рельеф гофров в виде по меньшей мере одной кольцевой концентрической канавки.
Ячейка оперативного запоминающего устройства // 2688242
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленки в гальванической ванне при плотности тока 20±1,0 мА/см2, температуре 60-70°С при перемешивании электролита, содержащего хлорид никеля NiCl2⋅6H2O и хлорид железа FeCl2⋅4H2O, обеспечивающие отношение концентраций атомов никеля и железа NNi/NFe = 4,26, борной кислоты Н3ВО3 - 30 г/л, разрыхлителя сахарина C7H5NO3S - 5 г/л, соляной кислоты HCl (30%) для получения рН 1,7±10%, осаждение проводят в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, металлизированной никелем с подслоем нихрома, при этом металлизированный слой контактирует с никелевым электродом катода на краю пластины, при этом электролит при приготовлении очищают от трехвалентного железа за счет фильтрации оксида трехвалентного железа, а для компенсации удаленного хлорида железа и повышенной скорости осаждения никеля в электролит вносят добавку очищенного хлорида двухвалентного железа для получения состава пленки Ni81Fe19, а при осаждении пленок анодом служит углеродная пластина.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости, увеличении нагрузочной способности ячейки и напряжения выходного сигнала.
