Характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический (C23C16/22)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/22 Характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический(16)
Группа изобретений относится к термообрабатываемой подложке с покрытием, содержащим слой из алмазоподобного углерода, и способу ее получения. Покрытие упомянутой подложки, начиная от подложки, содержит в указанной последовательности слой из алмазоподобного углерода, металлическое одно- или многослойное покрытие и барьерный для кислорода слой.
Способ изготовления функционального элемента полупроводникового прибора осуществляется в вакуумной печи в два этапа, на первом из которых осуществляют нагрев основы до температуры 950-1400°С и синтез пленки карбида кремния на ее поверхности в газовой среде, представляющей собой оксид или диоксид углерода или смесь оксида или диоксида углерода с инертным газом и/или азотом (и/или силаном) при давлении 20-600 Па.
Изобретение относится к классу полупроводниковых приборов и может быть использовано в микро-, нано- и оптоэлектронике. Функциональный элемент полупроводникового прибора имеет основу, выполненную из кремния со сформированным на нем переходным слоем, содержащим карбид кремния, на котором имеется покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа.
Изобретение относится к применению по меньшей мере одного бинарного соединения элемента группы 15 в качестве эдукта в методике осаждения из паровой фазы. Бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулойв которой R1 и R2 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (С1-С10), R3=R4=Н и Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As и Bi, в которой Е=Е' или Е ≠ Е', и в котором гидразин и его производные исключены из указанного применения, и/или бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулойв которой R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10), и Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As и Bi, в которой Е=Е' или Е ≠ Е'.
Изобретение относится к стальной подложке с износостойким, коррозионно-стойким покрытием и к способу получения указанной подложки. Осуществляют подготовку стальной подложки, нанесение на указанную подложку слоя, содержащего алмазоподобный углерод (DLC) и имеющего точечные дефекты, закрывание по меньшей мере части точечных дефектов, предпочтительно их большинства, наиболее предпочтительно, по существу, всех точечных дефектов DLC-содержащего слоя слоем материала, содержащего кремний (Si) и отличного от материала, образующего DLC-содержащий слой.
Изобретение относится к скользящему элементу, в частности поршневому кольцу, с износостойким покрытием, а также к цилиндропоршневой группе. Скользящий элемент имеет износостойкое покрытие, содержащее в направлении изнутри наружу слой CrN, слой Me(CхNу), где Ме представляет собой вольфрам, хром, титан или кремний, при этом х и у находятся в диапазоне 0-99 атомных процентов, за исключением слоя чистого хрома, и слой алмазоподобного углерода (DLC-слой), который состоит из нижнего металлосодержащего DLC-слоя и не содержащего металл верхнего DLC-слоя, при этом твердость CrN-слоя составляет 1100-1900 НV.
Изобретение относится к скользящему элементу, в частности поршневому кольцу с покрытием по меньшей мере на одной поверхности скольжения, которое в направлении изнутри наружу содержит адгезионный слой (10), металлосодержащий, предпочтительно содержащий вольфрам, DLC-слой (12) и не содержащий металла DLC-слой (14).
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы // 2499081
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру.
Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы на внутреннюю поверхность полого изделия // 2446230
Изобретение относится к способу плазменно-химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия или удаления материала с внутренней поверхности полого изделия. .
Изобретение относится к трибологии в масляной среде и используется в автомобильных двигателях. .
Изобретение относится к печам для обработки, в которые газ реагент вводится как часть этапа обработки газовой фазы, в частности к печам для процесса химической инфильтрации газовой фазы. .
Изобретение относится к области технологии тонких пленок и покрытий, в частности к получению тонких пленок и покрытий неорганических фторидов, которые могут быть использованы как оптические, изоляционные и буферные материалы со строго определенной кристаллографической ориентацией - ориентированные фторидные покрытия.
Изобретение относится к способу изготовления поглощающей кислород частицы и может найти применение при изготовлении упаковочных материалов. .
Изобретение относится к способу и устройству плазменного осаждения полимерных покрытий. .
Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. .
Изобретение относится к области материалов для микроэлектроники. .
Изобретение относится к высокотемпературным композиционным материалам, полученным инфильтрацией газовой фазы химического вещества и осаждением матрицы связующего материала в пористой структуре. .
Подложка с алмазным покрытием // 2138396
