Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы

Авторы патента:


Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы

 


Владельцы патента RU 2499081:

ДжиТиЭйТи Корпорейшн (US)

Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру. Вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере. Обеспечивается улучшение течения газа во всем объеме реакционной камеры, что позволяет повысить выход поликристаллического кремния, улучшается качество поликристаллического кремния и снижается потребление энергии. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННУЮ ЗАЯВКУ

Настоящая заявка утверждает преимущество находящейся одновременно на рассмотрении Предварительной патентной заявки США с серийным №61/039758, поданной 26 марта 2008 года, содержание которой включено здесь ссылкой во всей своей полноте.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Настоящее изобретение направлено на системы и способы получения таких материалов, как поликристаллический кремний, путем химического осаждения из паровой фазы в реакторе. Более конкретно, настоящее изобретение относится к системам и способам распределения газа для улучшения режимов течения в реакторе для химического осаждения из паровой фазы с использованием кремниевой вертикальной трубы.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) имеет отношение к реакциям, обычно протекающим в реакционной камере, в которой происходит осаждение твердого материала из газообразной фазы. CVD может быть использовано для получения с высокой производительностью высокочистых твердых материалов, например, таких как поликристаллический кремний, диоксид кремния и нитрид кремния. При производстве полупроводников и фотоэлектрических устройств CVD часто применяют для получения тонких пленок и массивных полупроводниковых материалов. Например, нагретые поверхности могут быть подвергнуты воздействию одного или более газов. Когда газы попадают в реакционную камеру, они приходят в контакт с нагретыми поверхностями. Как только это происходит, затем протекают реакции или разложение газов с образованием твердой фазы, которая осаждается на поверхности субстрата с формированием желательного материала. Для этого процесса весьма важным является режим течения газа, который влияет на скорость, с которой эти реакции будут протекать, и на качество продуктов.

Например, в процессах химического осаждения поликремния из паровой фазы поликристаллический кремний может быть осажден из силана (SiH4), дихлорсилана (SiH2Cl2), трихлорсилана (SiHCl3) и тетрахлорсилана (SiCl4), согласно соответствующим реакциям. Эти реакции обычно проводят в вакууме или в CVD-реакторе под давлением, с использованием либо чистого кремнийсодержащего сырьевого материала, либо смеси кремнийсодержащего сырьевого материала с другими газами. Необходимые для реакции температуры варьируют от сотен градусов Цельсия до температур, превышающих одну тысячу градусов Цельсия. Поликристаллический кремний можно также выращивать с непосредственным легированием, если в CVD-камеру добавлять такие газы, как фосфин, арсин или диборан.

Поэтому режим течения газа является важным не только для роста поликристаллического кремния и прочих материалов, но и для влияния на производительность, качество продукта и энергопотребление всего CVD-реактора.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение относится к системам и способам распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы, в частности, для улучшения течения газа в CVD-реакторе. Таким образом, настоящее изобретение может быть использовано для повышения эффективности реакций внутри CVD-реакционных камер, увеличения выхода твердого осажденного продукта, улучшения качества продукта и снижения общих эксплуатационных расходов. Настоящим изобретением также предусматривается, что кремний, осажденный на вертикальных трубах в CVD-реакторе, может быть использован как дополнительный поликремниевый продукт.

В реакторе и способе согласно настоящему изобретению, в частности, в CVD-реакторе и способе, применяют вертикальную трубу. Вертикальная труба может быть применена для введения разнообразных реагентов в реакционную камеру. Вертикальную трубу предпочтительно изготавливают из кремния или других материалов. Эти материалы, без ограничения, включают: металлы, графит, карбид кремния и другие подходящие материалы. Длина вертикальной трубы может варьировать от около 1-2 сантиметров вплоть до примерно нескольких метров, в зависимости от варианта применения. Диаметр трубы может варьировать от около 1-2 миллиметров до десятков сантиметров, в зависимости от величины расхода газового потока. Толщина стенки предпочтительно составляет от около 0,1 до около 5,0 миллиметров.

Реактор согласно настоящему изобретению включает реакционную камеру, имеющую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную внутри реакционной камеры, и кожух, функционально соединенный с опорной плитой. К опорной плите внутри камеры прикреплены один или более накальных элементов, на которые разнообразные газообразные реактанты осаждаются во время цикла химического осаждения из паровой фазы. Накальный элемент может представлять собой кремниевый накальный элемент или может быть сделан из другого желательного твердого материала, который требуется получить. По меньшей мере один газовпуск и один газовыпуск соединены с реакционной камерой для обеспечения течения газа через реакционную камеру. Может быть также предусмотрено смотровое окно или иллюминатор для наблюдения внутренней части камеры. Источник электрического тока предпочтительно подсоединен к концам накального элемента через электрические подводы в опорной плите для подведения электрического тока для непосредственного нагревания накального элемента в течение CVD-реакционного цикла. Для снижения температуры в системе химического осаждения из паровой фазы может быть также применена система охлаждения, имеющая по меньшей мере один впуск для текучей среды и по меньшей мере один выпуск для текучей среды.

Предпочтительно вертикальная труба согласно настоящему изобретению функционально соединена с по меньшей мере одним газовпуском для введения газового потока в реакционную камеру. Вертикальная труба предпочтительно включает соединительный наконечник и корпус трубы. Длина и диаметр корпуса трубы могут быть выбраны на основе по меньшей мере желательной величины расхода газового потока. Соединительный наконечник дополнительно может включать уплотнительное устройство, такое как прокладка, для герметизации корпуса трубы по меньшей мере на одном газовпуске. Вертикальная труба предпочтительно имеет по меньшей мере одну нагнетательную трубу внутри камеры для распределения потока рабочего газа. Размеры по меньшей мере одной нагнетательной трубы основываются на желательной величине расхода потока. Материалом нагнетательной трубы может быть выбран кремний или еще один материал.

Эти и другие аспекты и преимущества настоящего изобретения станут более легко понятными из нижеследующего описания предпочтительных вариантов осуществления, приведенных с привлечением чертежей.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Для того, чтобы специалистам в данной области техники, в компетенцию которых входит настоящее изобретение, было без труда понятно, как реализовать способ и сделать устройство для использования настоящего изобретения без излишнего экспериментирования, предпочтительные варианты его осуществления будут здесь подробно описаны ниже с привлечением определенных фигур, в которых:

ФИГ.1 представляет перспективный вид системы реакционной камеры согласно настоящему изобретению;

ФИГ.2 представляет перспективный вид внутренней части реакционной камеры из ФИГ.1;

ФИГ.3А представляет увеличенный вид в разрезе вертикальной трубы согласно настоящему изобретению;

ФИГ.3В представляет более подробное изображение соединительного наконечника, присоединенного к трубчатому корпусу вертикальной трубы из ФИГ.3А;

ФИГ.3С представляет увеличенный вид прокладки на соединительном наконечнике, изображенном на ФИГ.3В; и

ФИГ.4 представляет вид частичного поперечного сечения системы реакционной камеры согласно настоящему изобретению, включающей многочисленные вертикальные трубы.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения описаны ниже с привлечением сопроводительных чертежей, в которых сходные ссылочные позиции представляют одинаковые или подобные элементы.

Настоящее изобретение относится к системам и способам распределения газа в реакторе, в частности, для улучшения течения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы (CVD). В частности, настоящее изобретение направлено на систему и способ распределения газа в CVD-реакторе с использованием вертикальной трубы. Выгоды и преимущества настоящего изобретения включают, но не ограничиваются таковыми, повышение уровней производительности при получении твердого осажденного материала (например, поликристаллического кремния), снижение энергопотребления и сокращение общих эксплуатационных расходов. В то время как описание настоящего изобретения ориентировано на примерную систему CVD-реактора для получения поликристаллического кремния, система и способы согласно настоящему изобретению могут быть применены в любом CVD-реакторе, для которой желательно усилить распределение газа и улучшить режим течения газа, и к любому реактору вообще.

В примерном варианте применения газообразный трихлорсилан реагирует на стержнях или кремниевых трубчатых накальных элементах внутри реакционной камеры с образованием отложений из поликристаллического кремния на тонких стержнях или накальных элементах. Настоящее изобретение не ограничивается CVD-реакторами, в которых используют осаждение поликристаллического кремния, включающее реакцию трихлорсилана, но может быть применено для реакций с участием силана, дихлорсилана, тетрахлорида кремния или других производных или комбинаций газов, например, с использованием тонких стержней или накальных элементов, имеющих геометрические формы с большой площадью поверхности и сходные характеристики удельного электрического сопротивления в соответствии с изобретением. Могут быть использованы накальные элементы разнообразных форм и конфигураций, например, такие, как описанные в Публикации Патентной Заявки US 2007/0251455, которая включена здесь ссылкой.

С привлечением ФИГ.1 и 2 показан реактор для химического осаждения из паровой фазы (CVD), в котором поликристаллический кремний осаждают на тонких стержнях или накальных элементах согласно настоящему изобретению. Реактор 10 включает реакционную камеру 12, имеющую опорную плиту 30, наконечник 24 газовпуска или фланец для рабочих газов, наконечник 22 газовыпуска или выпускной фланец, и электрические подводы или проводники 20 для подведения тока для непосредственного нагревания одного или более накальных элементов 28 внутри реакционной камеры 12, как показано на ФИГ.2. Наконечник 18 впускного канала для текучей среды и наконечник 14 выпускного канала для текучей среды соединены с системой охлаждения для введения текучей среды в реакционную камеру 10. В дополнение, иллюминатор 16 или смотровое окно предпочтительно обеспечивает визуальное наблюдение внутренней части реакционной камеры 12 и необязательно может быть использована для проведения температурных измерений внутри реакционной камеры 12.

Согласно предпочтительному варианту осуществления настоящего изобретения, как изображено на ФИГ.1 и 2, реактор 10 сконфигурирован для получения массивного поликристаллического кремния. Реактор включает опорную плиту 30, которая, например, может представлять собой одиночную плиту или многочисленные противостоящие плиты, предпочтительно скомпонованные для поддержания накальных элементов, и кожух, присоединяемый к опорной плите 30 так, чтобы сформировать осадительную камеру. Как используемый здесь, термин «кожух» имеет отношение к внутренней части реакционной камеры 12, где может протекать CVD-процесс.

Один или более кремниевых накальных элементов 28 предпочтительно размещают внутри реакционной камеры 12 на опорах накальных элементов (не показаны), и источник электрического тока может быть подсоединен к обоим концам накальных элементов 28 через электрические подводы 20 в опорной плите 30 для подведения тока для прямого нагревания накальных элементов. Дополнительно предусмотрены по меньшей мере один наконечник 24 газовпуска в опорной плите 30, соединяемый, например, с источником кремнийсодержащего газа, и наконечник 22 газовыпуска в опорной плите 30, с помощью которого газ может быть выведен из реакционной камеры 12.

С привлечением ФИГ.2 показана структура примерной вертикальной трубы 42, в которой предпочтительно трубчатый корпус 44 функционально соединен с по меньшей мере одним наконечником 24 газовпуска для ввода разнообразных газов в реакционную камеру 12 для проведения CVD-реакции, протекающей в реакционной камере 12 (смотри также ФИГ.3А). Хотя на ФИГ. 2 изображена одиночная нагнетательная труба 42, в реакционной камере могут быть размещены одна или более вертикальных труб. Например, с привлечением ФИГ.4, одиночная вертикальная труба может быть заменена вертикальными трубами 42. Размеры каждой вертикальной трубы или нагнетательной трубы 42 могут варьировать от около 1-2 см в длину вплоть до нескольких метров, и от около 1-2 мм в диаметре до десятков сантиметров, в зависимости от желательной конфигурации газового потока.

Предпочтительно одну или более вертикальных труб 42 используют для нагнетания одного или более газов в различные части реакционной камеры 12, в зависимости от желательного режима течения. Вертикальная(-ные) труба(-бы) 42 может(-гут) быть закреплена(-ны) в реакторе с помощью любого известного монтажного устройства, например, путем ввинчивания корпуса 44 трубы в соединительный наконечник 25 реакционной камеры 12 (смотри ФИГУРЫ 3А-3С, как здесь описано). Поскольку режимы течения могут быть критически важными для выращивания, уровня производительности, качества продукта и энергопотребления при получении поликристаллического кремния, настоящее изобретение может быть применимым для способов получения поликристаллического кремния и любых других способов, которые включают осаждение кремния или кремниевого соединения. Более конкретно, оно может быть также применено в способах, где коррозия, загрязнение и осаждение могут происходить на трубе и компонентах других форм.

Опять с привлечением ФИГУР 3А-3С различные компоненты вертикальной трубы 42 предпочтительно изготавливают из кремниевой трубы. Кремний применяют в качестве альтернативы некремниевым материалам, таким как нержавеющая сталь или другие металлы, которые могут обусловливать коррозию, загрязнение, расплавление и нежелательное осаждение кремния внутри корпуса 44 трубы. На одном конце корпуса 44 трубы материал, из которого сделан корпус 44 трубы, сваривают с материалами, которые могут быть подвергнуты станочной обработке. Эти материалы включают металлы, графит, карбид кремния и любой другой подходящий материал. На другом конце, как показано на ФИГ.3А-3С, корпус 44 трубы предпочтительно присоединяют к соединительному наконечнику 25, имеющему надлежащий диаметр. Соединительный наконечник 25 предпочтительно формируют с прокладкой 26 для обеспечения воздухонепроницаемого уплотнения между наконечником 24 газовпуска и источником газа, подводимого в вертикальную трубу. Длина корпуса 44 трубы может варьировать от примерно нескольких сантиметров до примерно нескольких метров, в зависимости от варианта применения. Диаметр корпуса 44 трубы может варьировать от примерно нескольких миллиметров до десятков сантиметров, в зависимости от величины расхода газового потока. Толщина стенки корпуса 44 трубы предпочтительно составляет величину порядка примерно нескольких миллиметров или меньше. Корпус 44 трубы предпочтительно сделан из кремния.

Способ осаждения материала в реакторе может включать стадии, в которых: предоставляют реакционную камеру, включающую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную внутри реакционной камеры, и кожух, функционально соединенный с опорной плитой/вставляют по меньшей мере один накальный элемент в опорную плиту; подсоединяют источник электрического тока к реакционной камере для подведения тока к накальному элементу; подсоединяют источник газа для обеспечения возможности протекания газа через реакционную камеру; подсоединяют вертикальную трубу к источнику газа для распределения газового потока внутри реакционной камеры; и обеспечивают работу (эксплуатируют) реактора для осаждения материала на по меньшей мере одном накальном элементе в реакционной камере.

Дополнительное преимущество вертикальной трубы согласно настоящему изобретению состоит в том, что она может быть повторно использована или переработана для повторного применения. В ходе процесса нагнетания газа кремний осаждается на корпусе 44 трубы. Когда слой кремния нарастает, кремний может быть удален с трубчатых оснований и использован в качестве кремниевого продукта.

Хотя настоящее изобретение было описано в отношении предпочтительных вариантов осуществления, квалифицированным специалистам в этой области технологии будет без труда понятно, что изменения или модификации его могут быть сделаны без выхода за пределы смысла и области настоящего изобретения, как определенных в прилагаемых пунктах формулы изобретения.

ВКЛЮЧЕНИЕ ССЫЛКОЙ

Полное содержание всех патентов, опубликованных патентных заявок и прочих литературных ссылок, цитированных здесь, тем самым определенно включено здесь ссылкой во всей своей полноте.

1. Реактор для химического осаждения из паровой фазы поликристаллического кремния, включающий реакционную камеру, включающую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру, и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру, причем вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере.

2. Реактор по п.1, в котором ток подводят непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите.

3. Реактор по п.1, в котором реакционная камера дополнительно включает смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры.

4. Реактор по п.1, в котором вертикальная труба сделана из кремния.

5. Реактор по п.1, дополнительно включающий по меньшей мере одну дополнительную вертикальную трубу, введенную в реакционную камеру.

6. Реактор по п.1, в котором вертикальная труба дополнительно включает соединительный наконечник и корпус трубы, причем соединительный наконечник предназначен для соединения с источником кремнийсодержащего газа.

7. Реактор по п.6, в котором диаметр корпуса трубы выбирают на основе по меньшей мере желательной величины расхода потока кремнийсодержащего газа.

8. Реактор по п.6, в котором соединительный наконечник дополнительно включает прокладку для уплотнения вертикальной трубы с источником кремнийсодержащего газа.

9. Реактор по п.1, который представляет собой реактор для химического осаждения из паровой фазы.

10. Реактор по п.1, дополнительно включающий систему охлаждения, имеющую по меньшей мере один впуск для текучей среды и выпуск для текучей среды, функционально связанные с реактором.

11. Способ химического осаждения из паровой фазы поликристаллического кремния в реакторе, включающий стадии, на которых предоставляют реакционную камеру, включающую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, присоединяют по меньшей мере один накальный элемент к опорной плите, подсоединяют источник электрического тока к реакционной камере для подведения тока к накальному элементу, подсоединяют источник кремнийсодержащего газа к реакционной камере для обеспечения протекания кремнийсодержащего газа через реакционную камеру, подсоединяют вертикальную трубу к источнику кремнийсодержащего газа для распределения потока кремнийсодержащего газа внутри реакционной камеры, причем вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере, и обеспечивают работу реактора для осаждения материала на по меньшей мере одном накальном элементе в реакционной камере.

12. Способ по п.11, в котором материал, осаждаемый на накальном элементе, представляет собой поликристаллический кремний.

13. Способ по п.11, в котором накальный элемент включает кремний.

14. Способ по п.11, в котором реактор представляет собой реактор для химического осаждения из паровой фазы.

15. Способ по п.11, дополнительно включающий стадию, на которой подводят электрический ток непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите.

16. Способ по п.11, в котором реакционная камера дополнительно включает смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры.

17. Способ по п.11, в котором вертикальная труба сделана из кремния.

18. Реакционная камера реактора для химического осаждения из паровой фазы поликристаллического кремния, содержащая по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, причем реакционная камера соединена с источником электрического тока и источником кремнийсодержащего газа для обеспечения осаждения материала на по меньшей мере одном накальном элементе, и вертикальную трубу, прикрепленную к источнику кремнийсодержащего газа, для распределения потока кремнийсодержащего газа внутри реакционной камеры, причем вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере.

19. Реакционная камера по п.18, в которой электрический ток подводят к накальному элементу с помощью источника электрического тока.

20. Реакционная камера по п.19, в которой электрический ток подводят непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите.

21. Реакционная камера по п.18, дополнительно включающая по меньшей мере один впуск кремнийсодержащего газа и выпуск кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой, для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру.

22. Реакционная камера по п.18, дополнительно включающая смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры.



 

Похожие патенты:

Производственная установка и электрод для использования с производственной установкой предназначены для осаждения материала на несущую подложку. Несущая подложка имеет первый конец и второй конец, находящиеся на расстоянии друг от друга.

Изобретение относится к производственной установке для осаждения материала на несущую подложку и к электроду для использования с такой производственной установкой.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для получения нанопорошков плазмохимическим методом. Композиционный нанопорошок включает частицы, состоящие из ядра, состоящего из слоев карбонитрида титана и нитрида титана, и оболочки, состоящей из слоя никеля, при следующем соотношении слоев ядра и оболочки, мас.%: TiCxNy, где 0,28≤x≤0,70; 0,27≤y≤0,63; - 24-66; TiN0,6 - 30-67; Ni - 4-9.

Изобретение относится к технологии получения покрытий из тугоплавких металлов методом химического осаждения из газовой фазы, а именно к методам получения защитных покрытий из иридия и родия, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и устройств, а также для получения высокотемпературных защитных покрытий.

Изобретение относится к устройству для каталитического химического осаждения из паровой фазы и может быть использовано для формирования пленки на подложке. .

Изобретение относится к вакуумной камере для установок для нанесения покрытии. .

Изобретение относится к реакторной установке для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе. .

Изобретение относится к способам уплотнения пористых матриц путем химической инфильтрации газовой фазы (CVI). .

Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы. .

Изобретение относится к термоисточнику, используемому в устройствах для осаждения из паровой фазы для подачи исходного вещества в реактор. .

Изобретение относится к способу плазменно-химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия или удаления материала с внутренней поверхности полого изделия.

Изобретение относится к трибологии в масляной среде и используется в автомобильных двигателях. .

Изобретение относится к печам для обработки, в которые газ реагент вводится как часть этапа обработки газовой фазы, в частности к печам для процесса химической инфильтрации газовой фазы.

Изобретение относится к области технологии тонких пленок и покрытий, в частности к получению тонких пленок и покрытий неорганических фторидов, которые могут быть использованы как оптические, изоляционные и буферные материалы со строго определенной кристаллографической ориентацией - ориентированные фторидные покрытия.

Изобретение относится к способу изготовления поглощающей кислород частицы и может найти применение при изготовлении упаковочных материалов. .

Изобретение относится к способу и устройству плазменного осаждения полимерных покрытий. .

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. .

Изобретение относится к области материалов для микроэлектроники. .

Изобретение относится к высокотемпературным композиционным материалам, полученным инфильтрацией газовой фазы химического вещества и осаждением матрицы связующего материала в пористой структуре.

Изобретение относится к производству высокочистого кремния в виде наноразмерного порошка, который может быть использован в полупроводниковой электронике и в нанотехнологиях.
Наверх