Управление или регулирование (C30B13/28)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B13 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B17 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B15; под защитной жидкостью C30B27; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B28; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)(146)

C30B13/28 Управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)(11)

Установка для очистки галогенидных солей // 2696474

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для получения особо чистых галогенидных солей методом зонной перекристаллизации, применяемых, в частности, при пирохимической переработке ядерного топлива, химическом и электрохимическом синтезе элементов и соединений в получаемых солях.

Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом отф // 2381305

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ.

Способ управления процессом выращивания кристаллов из расплава // 2357023

Изобретение относится к технике выращивания монокристаллов из расплава в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону. .

Способ выращивания монокристаллов германия методом отф // 2330127

Способ управления процессом выращивания кристаллов и устройство для управления процессом выращивания кристаллов // 2203351

Изобретение относится к области автоматизации управления технологическими процессами получения полупроводниковых материалов и может использоваться для выращивания кристаллов в космических условиях при отсутствии оператора.

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // 2163943

Изобретение относится к выращиванию кристаллов. .

Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки // 1818363

Устройство для исследования направленной кристаллизации // 1624065

Телевизионное устройство для автоматического регулирования и стабилизации // 347073

Аппарат для очистки жидкостей методом низкотемпературной зонной плавки // 184812

Холодильник к печи для зонной очистки металлов // 151474

Устройство для получения монокристаллов кремния // 139440