Приборов, имеющих один или два электрода, например диодов (H01L21/329)
H Электричество(232322)
H01L21/329 Приборов, имеющих один или два электрода, например диодов(18)
Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых диодных структур с барьером Шоттки. Способ изготовления поверхностно-барьерного детектора на кремнии n-типа проводимости включает химическое травление кремниевой пластины, прогрев на воздухе после травления, защиту края перехода диэлектрическим покрытием, в качестве которого используют кремнийорганический компаунд марки КЭН-2 с добавлением пиридина в весовом соотношении 20-25:1 соответственно и микро- или нанопорошок графита в весовом соотношении 10-15:1 соответственно и термическое напыление выпрямляющего контакта.
Изобретение относится к области технологии изготовления диодов Шоттки, включающей также детекторы ядерного излучения, в частности поверхностно-барьерные детекторы. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины обратных токов, улучшение вида вольт-амперных характеристик, устранение избыточных шумов, что повышает выход годных детекторов.
Высокочастотный силовой диод содержит полупроводниковую подложку, имеющую первую главную сторону (101) и вторую главную сторону (102), первый слой (103) первого типа проводимости, сформированный на первой главной стороне (101), второй слой (105) второго типа проводимости, сформированный на второй главной стороне (102) подложки, и третий слой (104) второго типа проводимости, сформированный между первым слоем (103) и вторым слоем (105).
Вакуумный туннельный диод (втд) // 2657315
Изобретение относится к области вакуумных туннельных диодов (ВТД). Одним из основных применений изобретения является создание высокоэффективных преобразователей тепловой энергии в электроэнергию или электрической энергии в холод или тепло.
Способ изготовления ограничителей напряжения // 2651624
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Способ изготовления диода с вискером "Меза-подложка" терагерцового диапазона включает нанесение на поверхность гетероэпитаксиальной структуры диэлектрической пленки, в которой по маске фоторезиста травлением до высоколегированного катодного слоя создается окно катодного контакта U-, или О-образной формы, формирование в нем металлизации низкоомного омического катодного контакта с последующим удалением резиста, отжигом и гальваническим утолщением, формирование с использованием тонких резистивных масок на поверхности активных слоев окна анодного контакта микронного или субмикронного диаметра между U-выступами катода, или в центре О-образного катода, удаление в окне анодного контакта слоя диэлектрика, проведение финишных обработок, формирование металлизации анодного контакта, удаление резиста, формирование резистивной маски или маски диэлектрика для травления мезы вокруг площадки с расположенными на ней анодом и катодом, травление мезы как минимум до полуизолирующего слоя подложки, формирование анодной и катодной контактных площадок на полуизолирующем слое у основания мезы, соединение анода со своей контактной площадкой металлическим воздушным мостом, место соединения которого с анодом представляет собой расширенный контакт, выступы поля которого опираются на слой диэлектрика, соединение катода со своей контактной площадкой осуществляется либо металлическим воздушным мостом, либо металлической шиной, лежащей на боковой поверхности мезы или на слое диэлектрика, утонение подложки и разделение на отдельные кристаллы.
Изобретение относится к быстродействующим диодам. Диод содержит полупроводниковый слой, имеющий первую сторону и противоположную первой стороне вторую сторону, полупроводниковый слой имеет толщину между первой стороной и второй стороной, при этом толщина полупроводникового слоя сравнима со средней длиной свободного пробега носителей заряда, эмитированного в полупроводниковый слой.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к представляющему собой меза-структуру с барьером Шоттки полупроводниковому кремниевому диоду, который может быть использован в качестве выпрямительного диода или сверхвысокочастотного детектора, и способу его изготовления.
Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центральной части пластины пар локальных углублений с плоским дном в местах расположения меза-структур, легировании выделенных областей на обеих сторонах пластины акцепторной и донорной примесями, формировании балочных выводов на противоположных сторонах пластины с областями взаимного перекрытия и получении парных меза-структур приборов.
Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации.
Изобретение относится к области полупроводниковой промышленности, в частности к диодам Шоттки, и может быть использовано при создании микросхем радиочастотной идентификации в диапазоне частот сканирующего электромагнитного поля СВЧ-диапазона.
Способ изготовления диода шоттки // 2488912
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых диодов с барьером Шоттки на основе синтетического алмаза, широко применяющихся в сильнотоковой высоковольтной и твердотельной высокочастотной электронике.
Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к области силовой промышленной электронной техники. .
Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении шунтирующих диодов для солнечных батарей космических аппаратов. .
Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении диффузионных p-i-n диодов с большим уровнем управляемой мощности групповым методом. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. .
Способ изготовления свч меза-диодов // 2280914
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов, предназначенных для работы особенно в миллиметровом СВЧ диапазоне, таких как мощные генераторные лавинно-пролетные диоды, диоды Ганна и др.
Способ изготовления диода шоттки // 2197767
