Использование: для определения фактора насыщения электронных переходов парамагнитной подсистемы в веществе. Сущность изобретения заключается в том, что берут вещество, содержащее парамагнитную подсистему, помещают в резонатор двойного электронно-ядерного резонанса спектрометра ЯМР, МРТ, ДЭЯР или ДПЯ со схемой накачки на частоте(ах) электронного резонанса и детектирования, на частоте(ах) ядерного резонанса, измеряют положение линии ядерного резонанса вещества δ1 при приложении некоторой мощности микроволнового излучения с частотой нерезонансной с электронными переходами электронной подсистемы, далее измеряют положение линии ядерного резонанса вещества δ2 при приложении той же мощности микроволнового излучения на частоте резонансной с электронными переходами электронной подсистемы, после чего сравнивают сдвиги линии ядерного резонанса вещества δ1 и δ2 и определяют искомый фактор насыщения из сопоставления результатов измерений друг с другом, а именно из относительного сдвига линии ядерного резонанса δ=δ2-δ1.
Изобретение относится к способу определения совместного пространственного распределения взаимосвязанных частиц различного типа и применимо к веществам, содержащим совокупности связанных между собой примесных центров, вакансий, радикалов, ядер атомов.