Вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство (G11C16/06)
G Физика(403185)
G11 Накопление информации(18772)
G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)
(8290)
G11C16/06 Вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство (вообще G11C7)(15)
Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств. .
Способ и устройство для записи высокоскоростных входных данных в матрицу запоминающих устройств // 2417461
Изобретение относится к средствам записи в запоминающие устройства. .
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2391722
Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам с последовательным доступом, в частности к способу управления записью данных в указанное запоминающее устройство. .
Изобретение относится к технике приборостроения и может быть использовано для стирания записей с неоднородных полупроводниковых носителей информации, в частности устройств энергонезависимой памяти, флэш-памяти и т.п.
Изобретение относится к способу изменения и/или записи для перепрограммирования данных и/или программ по меньшей мере в одном запоминающем устройстве вычислительной системы и к вычислительной системе для осуществления указанного способа.
Схема для генерации отрицательных напряжений // 2189686
Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well).
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2182376
Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. .
Изобретение относится к способу полного перепрограммирования стираемой энергонезависимой памяти блока управления. .
Формирователь импульсов записи // 1381594
Изобретение относится к области электронной и вычислительной техники и используется в программируемых запоминающих устройствах, использующих инжекцию горячих носителей для записи информации в ячейки памяти накопителя, и является усовершенствованием изобретения по авт.
