Приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения aiiibv с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками (H01L21/18)
H Электричество(232322)
H01L21/18 Приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения aiiibv с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками(44)
Изобретение относится к области производства электроники последнего поколения, а именно к способам соединения МОП-компонентной базы на основе кристаллов типа А3В5 с помощью реакционных многослойных фольг.
Изобретение относится к технологии получения пленок карбида кремния на кремниевой подложке. Изобретение заключается в двухэтапном процессе, где на первом этапе осуществляется процесс молекулярно-слоевого осаждения полимера из газовой фазы на кремниевой подложке.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии формирования GaN транзисторов различного назначения (мощных и СВЧ транзисторов) и, в частности, к созданию термостабильных меток совмещения, подходящих для электронной литографии и фотолитографии.
Изобретение раскрывает тонкопленочный транзистор, включающий в себя базовую подложку, активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область, причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга, при этом данный активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки, причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, и вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, оптический резонатор с активной областью и апертурным слоем из AlxGa1-xAs р-типа, где 0,97≤х<1, внутрирезонаторный контактный слой р-типа, формирование электрического контакта р-типа; формирование оксидной токовой апертуры в апертурном слое, формирование электрического контакта n-типа и формирование верхнего диэлектрического РБО, формирование пассивирующего и планаризующего слоя с низкой диэлектрической проницаемостью и формирование металлизации контактных площадок р- и n-типа.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления полупроводниковых датчиков давления. Технический результат изобретения заключается в повышении параметров надежности и обеспечении долговременной стабильности параметров датчика давления за счет того, что полупроводниковый чувствительный элемент структуры «кремний на сапфире» соединен с керамической шайбой стекловидным диэлектриком системы PbO-В2О3-ZnO.
Способ создания скирмионов и их массивов в магнитной среде с помощью зонда сканирующего микроскопа // 2702810
Изобретение относится к области электроники и наноэлектроники, а именно к способу создания скирмионов и их массивов в магнитных нано- и микроструктурах, а также пленках с взаимодействием Дзялошинского-Мория и перпендикулярной магнитной анизотропией с помощью воздействия магнитным зондом атомного силового микроскопа с определённым шагом сканирования.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления дискретных ограничителей напряжения. Способ изготовления вертикального низковольтного ограничителя напряжения включает формирование на высоколегированной подложке первого типа проводимости локальных областей скрытого слоя второго типа проводимости, осаждение низколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование областей прибора с помощью щелевой изоляции, формирование на поверхности низколегированного слоя высоколегированных областей первого и второго типов проводимости.
Способ формирования т-образного затвора // 2686863
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV, в частности к созданию гетероструктурных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов.
Способ соединения кремниевых пластин // 2680263
Изобретение относится к измерительным устройствам и может быть использовано в микроэлектромеханических системах при производстве интегральных датчиков. Технический результат заявленного изобретения заключается в повышении точности и надежности интегральных датчиков.
Способ изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия // 2665368
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии полупроводниковых приборов на эпитаксиальных структурах арсенида галлия. Техническим результатом предлагаемого способа изготовления интегральных элементов микросхемы на эпитаксиальных структурах арсенида галлия является обеспечение равенства слоевых сопротивлений для различных интегральных элементов, рабочая область которых формируется в эпитаксиальных структурах арсенида галлия при помощи жидкостного травления.
Изобретение относится к оксидному полупроводнику p-типа, композиции для получения оксидного полупроводника p-типа, способу получения оксидного полупроводника p-типа, полупроводниковому компоненту, отображающему элементу, устройству отображения изображений и системе отображения информации об изображении.
Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов согласно изобретению включает формирование структуры планарного диода, проведение термических операций, металлизации лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки, разделение подложки на кристаллы, присоединение электропроводящих шин, формирование защитного покрытия на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах, при этом защитное покрытие на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах формируют на основе никель-золота последовательно в несколько этапов: удаление органических загрязнений жидкостными методами, нанесение химического никеля, промывка никелированного диода в сборе, нанесение иммерсионного золота, промывка позолоченного диода в сборе, сушка в вакууме.
Способ соединения кремниевых пластин // 2635822
Изобретение относится к измерительным устройствам и может быть использовано в микроэлектромеханических системах при производстве интегральных датчиков первичных параметров. Задачей, на решение которой направлено заявленное изобретение, является обеспечение стабильности размеров и зазоров в процессе соединения кремниевых пластин.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине. .
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием.
Способ изготовления магнитодиода // 2304322
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. .
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др. .
Способ изготовления тиристоров // 2106038
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. .
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных схем, в частности, к способам изготовления приборов с использованием эпитаксиального наращивания кремния в атмосфере водорода.
Способ изготовления кремниевых транзисторов // 1840259
Изобретение относится к технологии изготовления биполярных планарных транзисторов с полным диффузионным эмиттером. .
Способ изготовления мдп-конденсаторов // 1752139
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных конденсаторов. .
Изобретение относится к области электронной техники. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. .
Способ изготовления магнитодиодов // 1595272
Способ изготовления микросхем // 1591750
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов. .
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.
Способ изготовления полевых транзисторов // 1085437
Устройство для изготовления светодиодов // 972616
Способ изготовления диодов шоттки // 818372
Изобретение относится к электронике, преимущественно к технологии изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей. .
Геттер для уменьшения уровня шумов // 668502
