Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводникового прибора на GaAs подложке формируют слой нитрида алюминия AIN толщиной 55 нм, затем проводят имплантацию ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)*1012 см-2.
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении наноструктур. Способ получения структурированной поверхности полупроводников, заключающийся в том, что на поверхности полупроводниковой пластины выращивают защитный слой, на который наносят маску со вскрытыми окнами заданного размера, затем проводят облучение поверхности полупроводниковой пластины потоком ионов через маску и защитный слой, что приводит к получению аморфного слоя в полупроводниковой пластине во вскрытых окнах маски.