С использованием масок (H01L21/308)

Отслеживание патентов класса H01L21/308
H01L21/308              С использованием масок ( H01L21/3063,H01L21/3065 имеют преимущество)(47)

Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра // 2656109
Изобретение может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы методом химического травления с использованием масок.

Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков // 2648287
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении упругих элементов, используемых в конструкциях кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков - акселерометров, гироскопов, датчиков угловой скорости.

Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора // 2645920
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и направлено на улучшение электрических характеристик высоковольтных приборов, снижение количества выхода из строя приборов в результате обрыва металла и пробоя по поверхности высоковольтных планарных р-п-переходов.

Способ формирования монокристаллического элемента микромеханического устройства // 2628732
Изобретение относится к области приборостроения и могжет быть использованы для изготовления монокристаллических элементов, таких как струны, упругие элементы, технологические перемычки, используемые в конструкциях микромеханических приборов, например, микромеханических акселерометров, гироскопов, резонаторов.

Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем // 2625248
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых кристаллов микроэлектромеханических систем, используемых в конструкциях микромеханических приборов, таких как акселерометры, гироскопы, датчики угловой скорости.

Способ получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита // 2623681
Изобретение относится к области дифракционной оптики и может быть использовано для разработки новых дифракционных оптических элементов для диапазона 0,35-5,5 мкм.
Способ формирования 3d микроструктур кремния металл-стимулированным травлением // 2620987
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии создания 3D микроструктур кремния, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, металл-стимулированным травлением с использованием локально расположенных масок Ni.

Способ изготовления микромеханических упругих элементов // 2601219
Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков.

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2580910
Изобретение может быть использовано для создания упругих подвесов, торсионов и других элементов (например, балок, мембран, струн) микромеханических устройств, например кремниевых гироскопов и акселерометров.

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур // 2572288
Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры.

Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении // 2568977
Использование: для изготовления микроэлектромеханических структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия КОН включает формирование масочного рисунка с элементами защиты углов, элементы защиты углов, имеющие диагональную форму на топологической маске, располагают под углом 45° к контурам жесткого центра, причем размеры изготовляемых трехмерных микромеханических структур определяются из определенных условий.

Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. // 2562923
Изобретение относится к подложке с маской для травления, которая нанесена при помощи алмазоподобного углерода, и способу изготовления указанной подложки.

Способ микропрофилирования кремниевых структур // 2559336
Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих подвесов и всего чувствительного элемента в целом, например для микромеханических акселерометров и гироскопов.

Микроструктурные элементы для селекции электромагнитного излучения и способ их изготовления // 2548945
Использование: для селекции электромагнитного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что микроструктурный элемент выполнен в виде перфорированной сеточной структуры, объем которой в основном выполнен из полимерной пленки и вся ее поверхность, включая внутренние полости, металлизирована.

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур // 2539767
Изобретение относится к изготовлению конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках.

Способ формирования монокристаллических нанопроводников в матрице из собственного оксида // 2503084
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур и может быть использовано в нанотехнологии, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств.

Способ формирования рельефа из электронного или фотонного материала // 2495515
Изобретение относится к способу формирования рельефа из электронных и фотонных материалов и структурам и устройствам, изготовленным с использованием этого способа.

Жидкая композиция, способ получения кремниевой подложки и способ получения подложки для головки для выброса жидкости // 2468467
Изобретение относится к жидкой композиции, способу получения кремниевой подложки и к способу получения подложки для головки для выброса жидкости.
Способ изготовления чувствительного элемента датчика давления жидких и газообразных сред // 2465681
Изобретение относится к технологии изготовления упругих элементов микроэлектромеханических измерительных систем.

Способ обработки подложек и подложка, обработанная этим способом // 2459312
Изобретение относится к обработке подложек для получения вогнуто-выпуклой структуры. .

Способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем // 2439741
Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем. .

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур // 2437181
Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении полупроводниковых микромеханических устройств, например чувствительных элементов интегральных датчиков.

Способ изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур // 2435730
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. .

Способ получения нанослоев // 2425794
Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. .

Способ фотолитографии // 2399116
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также однослойных и многослойных печатных плат для радиоэлектронной аппаратуры.

Способ изготовления наносенсора // 2359359
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных кремниевых химических и биосенсоров для автоматизированного контроля окружающей среды, в экологии, в химическом производстве, в биологии и медицине.

Способ компенсации растрава внешних углов фигур травления на кремниевых пластинах с ориентацией поверхности (100) // 2331137
Изобретение относится к области технологических процессов изготовления микросистемной техники. .

Способ фотолитографии // 2325000
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также однослойных и многослойных печатных плат.

Способ получения рельефа в диэлектрической подложке // 2318268
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках, содержащих в своем составе двуокись кремния, при изготовлении микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д.
Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2302684
Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов. .

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2300823
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления упругих элементов, используемых, в частности, для подвеса чувствительных масс микромеханических измерительных устройств, например кремниевых гироскопов и акселерометров.

Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении // 2220475
Изобретение относится к микромеханике, преимущественно к технологии изготовления микропрофилированных интегральных механоэлектрических тензопреобразователей, и может быть использовано при разработке и производстве интегральных датчиков механических величин или микроэлектромеханических систем, содержащих трехмерные кремниевые микроструктуры.

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2209489
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления упругих элементов микромеханических устройств, используемых, в частности, для подвеса чувствительных масс микромеханических акселерометров.

Способ изготовления маски для нанесения тонких слоев в микроструктурах // 2209488
Изобретение относится к области микроэлектроники и может применяться для изготовления масок, используемых для формирования элементов микроструктур, в частности микромеханических гироскопов и акселерометров.

Способ уменьшения концентрации напряжений при изготовлении элементов микромеханических устройств // 2202137
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления элементов, используемых в конструкциях микромеханических устройств, например чувствительных элементов гироскопов и акселерометров, изготавливаемых методами микроэлектроники.

Способ анизотропного травления кристаллов кремния // 2106717
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем.

Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке // 2099813
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и предназначено для изготовления ряда полупроводниковых приборов, функциональное назначение которых требует формирования активных областей на тонких мембранах, например фото- и электронно-чувствительные матрицы, тензодатчики, газовые сенсоры и т.п.

Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния // 1829776
Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к изготовлению полупроводниковых схем памяти высокой степени интеграции на МДП-транзисторах.

Способ локального травления фосфида галлия // 1814446
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов на фосфиде галлия с ориентацией100} и может быть использовано в локально-эпитаксиальной и мезапланарной технологии изготовления полупроводниковых приборов.

Способ изготовления полупроводниковых структур со ступенчатым профилем островков поликристаллического кремния // 1814445
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологии изготовления интегральных схем, и может быть использовано для изготовления биполярных интегральных схем.

Способ пассивации примесных центров в полупроводниковых структурах // 1662294
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем.

Способ травления структур поликремний-окисел кремния // 1421189
Изобретение относится к электронной технике,а именно к технологии из-. .

Способ изготовления полупроводниковых микроструктур // 1304668
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем с повышенной плотностью элементов. .
Способ получения изолированных монокристаллических областей // 1115630
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к формированию транзисторных структур с диэлектрической изоляцией.
 
.
Наверх