Типы полупроводниковых приборов (H01L29/66)
H Электричество(232322)
H01L29/66 Типы полупроводниковых приборов(6)
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов. Техническим результатом является увеличенное ослабление СКИ, за счет его разложения на последовательность из четырех импульсов меньшей амплитуды: перекрестную наводку, импульс четной моды, дополнительный импульс и импульс нечетной моды.
Меандровая микрополосковая линия задержки из двух витков, защищающая от сверхкоротких импульсов // 2724972
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов. Техническим результатом является увеличенное ослабление СКИ, за счет его разложения на последовательность из девяти импульсов меньшей амплитуды: сначала на три импульса в первом витке, а затем каждого из них на три импульса во втором витке.
Предоставлено полупроводниковое устройство. Устройство содержит: первый транзистор, который включает в себя первый первичный вывод, второй первичный вывод и первый управляющий вывод; второй транзистор, который включает в себя третий первичный вывод, четвертый первичный вывод и второй управляющий вывод; и резистивный элемент.
Изобретение относится к технике безотходной ядерной технологии. Компактный бетавольтаический источник тока длительного пользования с бета-эмиттером, представляющий собой сборку «сэндвичевой» структуры в виде стопки чередующихся между собой единичных или комплектных микроисточников тока, где каждый из микроисточников тока содержит кремнийсодержащую n+ легированную пластинку с р+ эпитаксиальным слоем, и источник бета-частиц в виде содержащего радиоизотоп никеля-63 металлического электропроводного слоя, контактирующего с одной или с двух сторон с полупроводниковым преобразователем, и систему токосъемных электродов для подключения к нагрузке, при этом в качестве полупроводникового преобразователя энергии бета-частиц в электрическую энергию - матрицу монокристаллического р-кремния, а в качестве источника бета-частиц - соразмерную с пластинкой полупроводника токопроводящую металлическую пластинку, в качестве системы токосъемных электродов - комбинацию системы внутренних встроенных с обеих сторон кремниевой пластинки по всей площади поверх слоя нитрида кремния серебряных линейных электродов.
Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности усиления сигналов. Технический результат - уменьшение статического тока, потребляемого ОУ при отключенной нагрузке.
Интегральный логический элемент // 2094944
Кольцевой акустоэлектронный генератор // 1160906
Изобретение относится к полупроводниковой технике к области твердотельных преобразователей изображения. .
Термотранзистор // 498869
