Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках H01L31/0272-H01L31/0312 (H01L31/032)
H Электричество(232322)
H01L31/032 Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках H01L31/0272-H01L31/0312(3)
Стеклопакет с электрическим потенциалоуправляемым затемняющим экраном (202a, 202b) и связанные с ним способы. В таком стеклопакете между двумя подложками (102, 104), образующими стеклопакет, размещен динамически управляемый затемняющий экран (202a, 202b), выполненный с возможностью перемещения между отведенным и выдвинутым положениями.
Изобретение относится к дистанционирующим элементам (спейсерам), подходящим для применения с фотоэлектрическими устройствами. Предлагается дстанционирующий элемент для изолирующих стеклопакетов с тремя или более панелями остекления, ограничивающими по меньшей мере одно герметично закрытое внутреннее пространство между по меньшей мере двумя панелями остекления, содержащий: корпус (2) дистанционирующего элемента, изготовленный из первого материала и проходящий в продольном направлении (Z), с двумя внешними поверхностями (АР) в поперечном направлении (X), перпендикулярном продольному направлению (Z), для прикрепления к внешним панелям (3, 4) остекления изолирующего стеклопакета, и газонепроницаемый барьер (40), выполненный из второго материала, причем корпус дистанционирующего элемента имеет поперечное сечение (X-Y), перпендикулярное продольному направлению (Z), с первой камерой (10) для размещения осушающего материала, расположенной рядом с первой (АР, 13) из двух внешних поверхностей, со второй камерой (20) для размещения осушающего материала, расположенной рядом со второй (АР, 23) из двух внешних поверхностей, и с пазом (30), расположенным между первой и второй камерами (10, 20) в поперечном направлении (X) и открытым на первой стороне дистанционирующего элемента в вертикальном направлении (Y), перпендикулярном продольному и поперечному направлениям (Z, X), газонепроницаемый барьер (40) расположен на и/или в корпусе дистанционирующего элемента в вертикальном направлении (Y) на второй его стороне, которая находится напротив первой стороны дистанционирующего элемента, и паз (30) ограничен в поперечном направлении двумя боковыми сторонами (14, 24) и в вертикальном направлении на второй стороне нижней стенкой (31), паз (30) приспособлен для введения в него внутренней панели (5) остекления, причем дистанционирующий элемент содержит по меньшей мере две электропроводные части (51, 52, 44, 53, 54), электрически изолированные друг от друга и расположенные в одной или в обеих боковых стенках (14, 24) и/или в нижней стенке (31) паза (30).
Изобретение относится к материалам детекторов для регистрации ионизирующего излучения, а также может быть использовано как оптический материал для ИК-оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристаллы на основе бромида таллия дополнительно содержат 0,0028-0,00008 мас.% примеси бромида магния.
Четырехпереходный солнечный элемент // 2610225
Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный слой (10).
Четырехпереходный солнечный элемент // 2599064
Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2, 3, 4, 5), согласованные по постоянной решетки с подложкой (1) из p-Ge и соединенные между собой туннельными р-n-переходами (6, 7, 8), и контактный слой (9), при этом первый субэлемент (2) включает подложку (1) из p-Ge, слой (10) из n-Ge, слой (11) широкозонного окна из n-GaInP и буферный слой (12) из n-GaInAs, второй субэлемент (3) включает слой (13) из p-GaInAs и слой (14) из n-GaInAs, третий субэлемент (4) включает слой (15) из p-AlGaInAs и слой (16) из n-AlGaInAs, а четвертый субэлемент (5) включает короткопериодные сверхрешетки А2В6 р- и n-типа (17, 18).
Изобретение относится к полупроводниковому компоненту, а более конкретно к солнечному элементу по меньшей мере с одним полупроводниковым материалом для подложки моно- или поликристаллической структуры, состоящим по меньшей мере частично из пирита с химическим составом FeS2, который очищают с целью достижения определенной степени чистоты.
