Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках H01L31/0272- H01L31/032 (H01L31/0328)
H Электричество(232322)
H01L31/0328 Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках H01L31/0272- H01L31/032(2)
Четырехпереходный солнечный элемент // 2610225
Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный слой (10).
Четырехпереходный солнечный элемент // 2599064
Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2, 3, 4, 5), согласованные по постоянной решетки с подложкой (1) из p-Ge и соединенные между собой туннельными р-n-переходами (6, 7, 8), и контактный слой (9), при этом первый субэлемент (2) включает подложку (1) из p-Ge, слой (10) из n-Ge, слой (11) широкозонного окна из n-GaInP и буферный слой (12) из n-GaInAs, второй субэлемент (3) включает слой (13) из p-GaInAs и слой (14) из n-GaInAs, третий субэлемент (4) включает слой (15) из p-AlGaInAs и слой (16) из n-AlGaInAs, а четвертый субэлемент (5) включает короткопериодные сверхрешетки А2В6 р- и n-типа (17, 18).
