Связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (H01L31/12)

H01L31/12              Связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, приспособленные для излучения света H01L33; электролюминесцентные элементы и фотоэлементы H03F17; электролюминесцентные источники света как таковые H05B33)(16)

Оптопара с полупроводниковым лазером // 2752615
Изобретение относится к области преобразования световой энергии в электрическую и касается оптопары с полупроводниковым лазером. Оптопара содержит корпус, выполненный в виде трубы из диэлектрического материала.

Способ создания диодных оптоэлектронных пар, стойких к гамма-нейтронному излучению // 2739863
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких оптоэлектронных устройств. Технический результат - создание диодных оптоэлектронных пар с предельными уровнями стойкости к воздействию гамма-нейтронного облучения, соответствующими требованиям к радиационно-стойким устройствам систем управления и связи достигается тем, что кристаллы источника излучения выполняют на основе двойных гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия - алюминия, кристаллы приемника излучения выполняют на основе структур «кремний на сапфире», а в качестве иммерсионной оптической среды используют оптически прозрачный компаунд, при этом источник и приемник оптического излучения согласуют по параметрам путем выбора конструктивного исполнения кристаллов, подбирая рабочую длину волны таким образом, что источник имеет максимальную мощность оптического излучения, а приемник - максимальную величину токовой чувствительности, кроме того, кристаллы источника и приемника излучения монтируют в корпус друг над другом с зазором, сопоставимым с толщиной кристаллов.

Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом // 2701184
Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом согласно изобретению выполнен в виде полупроводниковой n-p-n-структуры, при этом электрод базы вместо обычного металлического электрода выполнен из фоточувствительного материала, в качестве которого использован металл с малым уровнем работы выхода электронов, переход база-эмиттер является светоизлучающим, а переход база-коллектор является фоточувствительным.

Оптопара с катадиоптрической линзой // 2627565
Изобретение предназначено для преобразования световой энергии в электрическую. Оптопара содержит источник света в виде шаровой ксеноновой лампы, фотопреобразователь в виде батареи солнечных элементов и корпус в виде трубы из диэлектрического материала, на внешней боковой поверхности которого имеются распределители потенциала.

Термоотверждающаяся композиция эпоксидной смолы и полупроводниковое устройство // 2528849
Изобретение относится к термоотверждающейся композиции на основе эпоксидной смолы и полупроводниковому устройству, полученному с использованием ее. Композиция содержит (А) реакционную смесь триазинпроизводной эпоксидной смолы и ангидрида кислоты при отношении эквивалента эпоксидной группы к эквиваленту ангидрида кислоты 0,6-2,0; (В) внутренний агент высвобождения из формы; (С) отражающий материал; (D) неорганический наполнитель; и (Е) катализатор отверждения.

Фотоприемник // 2462742
Изобретение относится к фотоприемникам и предназначено для селективной регистрации оптических сигналов в оптоэлектронных устройствах. .

Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра // 2286618
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к диодным источникам и приемникам, излучающим и принимающим излучение с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи.

Светодиодное устройство // 2258979
Изобретение относится к конструктивным элементам полупроводниковых приборов, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенных для светового излучения, в частности, к железнодорожным светодиодным светофорам.

Многофункциональный индикаторный оптрон // 2174269
Изобретение относится к оптоэлектронному приборостроению и может быть использовано для создания оптоэлектронных преобразователей и информационных матричных дисплеев. .

Полностью оптический регенератор // 2105389
Изобретение относится к области обработки информации, представленной оптическими сигналами, в частности к устройствам регенерации, усиления, коммутации оптических сигналов (ОС) полупроводниковыми структурами.

Оптоэлектронный прибор // 1329510
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к монолитным оптоэлектронным приборам, и может быть использовано в вычислительной технике, устройствах автоматики, системах оптической связи. .

Оптрон // 551730

 // 329602
 
.
Наверх