Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (H01L31/18)

Отслеживание патентов класса H01L31/18
H01L31/18              Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L21)(268)

Способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки // 2676222
Использование: для изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках. Сущность изобретения заключается в том, что способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными матрицами включает формирование металлического подслоя под индий, формирование защитной фоторезистивной маски с окнами в местах микроконтактов, напыление слоя индия, изготовление индиевых микроконтактов одним из способов: удаление защитной маски со слоем индия вокруг микроконтактов (метод взрыва), формирование маски для травления на слое индия с последующим травлением слоя одним из известных способов (химическое травление, ионное травление) с последующим удалением слоев фоторезиста, при этом после формирования системы микроконтактов проводится обработка пластин в ультразвуковой ванне в течение нескольких минут.

Способ изготовления импульсного фотодетектора // 2676221
Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs.

Способ изготовления свч фотодетектора // 2676185
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Способ изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки // 2676052
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения.

Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой // 2675610
Изобретение относится к способу получения органо-неорганического светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой, который может быть использован при изготовлении перовскитных солнечных ячеек.

Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля // 2675408
Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Способ изготовления базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе cdte в квазизамкнутом объеме // 2675403
Изобретение относится к технологиям формирования базовых слоев тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе CdTe.

Оптоэлектронное устройство и способ его изготовления // 2673778
Оптоэлектронное устройство (10) содержит первую подложку (12), имеющую первую поверхность (14) и вторую поверхность (16), оптоэлектронное покрытие (17), расположенное поверх второй поверхности (16) и содержащее подстилающий слой (18), расположенный поверх второй поверхности (16), первый проводящий слой (20), расположенный поверх подстилающего слоя (18), верхний слой (22), расположенный поверх первого проводящего слоя (20), полупроводниковый слой (24), расположенный поверх первого проводящего слоя (20), и второй проводящий слой (26), расположенный поверх полупроводникового слоя (24).
Способ формирования солнечной батареи // 2671149
Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей, в частности к способу механического закрепления фотоэлементов и электрического их соединения в батарею.

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов // 2668944
Изобретение относится к области технологий получения преобразователей солнечной энергии в электрическую. Способ включает формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала.

Способ сборки монолитного солнечного модуля из ячеек фотоэлектрических преобразователей на клеевой слой // 2663543
Изобретение относится к фотоэлектрическим преобразователям, в частности к технологии сборки солнечных модулей и коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей.

Способ изготовления полупроводниковой структуры, содержащей p-n-переход под пленкой пористого кремния для реализации фотоэлектрического преобразователя // 2662254
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур с p-n-переходом и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечной энергии.
Способ изготовления гетероструктуры ingaasp/inp фотопреобразователя // 2660415
Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя включает последовательное выращивание методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке InP в потоке очищенного водорода при пониженном давлении при температуре эпитаксии буферного слоя InP из триметилиндия и фосфина и слоя InxGa1-xAsyP1-y, где 0,59<х<0,80 и 0,55<у<0,92, из триметилиндия, триэтилгаллия, арсина и фосфина путем последовательного выращивания субслоев InxGa1-xAsyP1-y толщиной не более 100 нм.

Преобразователь ионизирующих излучений с сетчатой объемной структурой и способ его изготовления // 2659618
Изобретение относится к области преобразователей энергии ионизирующих излучений изотопных источников в электрическую энергию Э.Д.С.

Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния // 2658560
Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечного элемента с тонким слоем из кремния. Способ включает нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1), нанесение на ТСО-слой (3) по меньшей мере одного слоя (4; 5) кремния, причем перед нанесением ТСО-слоя (3) стеклянную подложку (1) подвергают облучению электронным излучением, при этом образуется рассеивающий свет слой (2) стеклянной подложки (1), на которую наносится ТСО-слой (3).

Фотовольтаический элемент с переменной запрещенной зоной // 2657073
Предложен монолитный фотовольтаический элемент. Упомянутый элемент содержит по меньшей мере один переход.

Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов // 2656126
Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов.

Способ изготовления микроконтактов // 2655953
Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приборов и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа.

Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента // 2654998
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, предназначенных для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения.

Способ изготовления кремниевого фотодиода // 2654992
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,4-1,0 мкм и изготавливаемых на кремнии n-типа проводимости, которые предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре с высокой пороговой чувствительностью.

Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента // 2654961
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, и может быть использовано в электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Способ формирования матричных микроконтактов // 2654944
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии создания матричных фотоприемных устройств (МФПУ), и может быть использовано при формировании матричных микроконтактов для кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с последующей их гибридизацией методом перевернутого монтажа.

Способ получения пленок сульфида кадмия на монокристаллическом кремнии // 2651212
Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием // 2650785
Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Гетероструктура gapasn светодиода и фотоприемника на подложке si и способ ее изготовления // 2650606
Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.

Способ получения наномодифицированной структуры на поверхности кремния // 2649223
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ).

Конструкция тонкопленочного солнечного модуля и способ ее изготовления // 2648341
Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния.

Способ изготовления диодов средневолнового ик диапазона спектра // 2647979
Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты.

Способ изготовления диодов для средневолнового ик диапазона спектра // 2647978
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре.

Способ монтажа многоэлементного матричного фотодетектора // 2647223
Использование: для изготовления устройств рентгеновской маммографии и томосинтеза. Сущность изобретения заключается в том, что по меньшей мере один матричный фотоприемник контролируемо юстируют путем вращения и перемещения по жидкой фазе оптического полимера, предварительно нанесенного на по меньшей мере часть поверхности волоконно-оптической плиты, с последующей фиксацией отверждением указанного полимера.

Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния // 2646644
Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения.

Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления // 2646415
Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов.

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом // 2645438
Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Перовскитная солнечная ячейка и способ ее изготовления // 2645221
Изобретение относится к технологиям преобразования солнечной энергии в электрическую. Перовскитная солнечная ячейка представляет собой слоистую структуру, включающую, по меньшей мере, три слоя: два проводящих слоя - р-проводящий и n-проводящий, а также размещенный между ними светопоглощающий слой, при этом один из проводящих слоев выполнен пористым, а светопоглощающий слой имеет перовскитную структуру общей структурной формулой АВХ3, где в качестве А используют Cs+, или СН3МН3+, или (NH2)2CH+, в качестве В используют Pb2+ или Sn2+, в качестве X используют I-, или Br-, или Cl-.

Способ изготовления фотопреобразователя // 2644992
Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД).

Способ изготовления фотодетектора с ограниченным диапазоном спектральной чувствительности на основе массива наностержней оксида цинка // 2641504
Изобретение относится к оптоэлектронным приборам, в частности к нанотехнологиям солнечно-слепых фотодетекторов ближнего ультрафиолетового излучения (БУФИ) на основе 1D наноструктурированного оксида цинка.

Способ изготовления солнечного элемента // 2636405
Настоящее изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, имеющего долговременную надежность и высокую эффективность, причем упомянутый способ включает в себя: этап нанесения пастообразного электродного вещества на просветляющую пленку, сформированную на стороне светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки, имеющей по меньшей мере pn-переход, причем упомянутое электродное вещество содержит проводящий материал; и этап обжига электрода, включающий в себя локальную термообработку для подачи тепла так, что обжигают по меньшей мере часть проводящего материала посредством облучения лазерным лучом только участка с нанесенным электродным веществом, и термообработку всего объекта для нагревания полупроводниковой подложки целиком до температуры ниже 800°C.

Способ изготовления солнечного элемента и изготовленный с помощью этого способа солнечный элемент // 2635834
Способ изготовления солнечного элемента включает в себя формирование с высокой производительностью просветляющей пленки, содержащей нитрид кремния, причем упомянутая просветляющая пленка обладает превосходным пассивирующим эффектом.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas // 2633656
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения.

Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству // 2632267
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей.

Способ изготовления многоэлементного ик фотоприемника // 2628449
Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия.

Солнечная батарея и способ ее изготовления // 2626053
Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы формирования пленки SiNx поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа; формирования диффузионного слоя p-типа поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа после стадии формирования пленки SiNx; и формирования поверх диффузионного слоя p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия.

Способ получения фотокатализатора на основе полупроводниковой нано-гетероструктуры cds-wo3-tio2 // 2624620
Изобретение относится к способам получения тройных нано-гетероструктур из полупроводниковых материалов, характеризующихся различной шириной запрещенной зоны, и может быть использовано при разработке фотокатализаторов на основе нано-гетероструктурных материалов в фотоэлектрохимических и фотокаталитических устройствах для получения чистого водорода и кислорода, синтеза органических молекул.

Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей // 2623820
Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния, в частности к способу контактирования контактных шин к пластинам фотоэлектрических преобразователей с применением адгезивов и ультразвуковой пайки.

Способ получения переизлучающих текстурированных тонких пленок на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния // 2619446
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания переизлучающих текстурированных покрытий для использования в тонкопленочных солнечных элементах.

Способ сборки кристаллов мфпу // 2619362
Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Одной из основных операций при изготовлении МФПУ является сборка кристаллов в корпус с последующим соединением контактных площадок кристалла БИС с внешними выводами корпуса МФПУ.

Диод с p-n-переходом, имеющий регулируемую гетероструктуру, самопозиционирующуюся на hgcdte, для формирователя сигналов изображения в инфракрасной области спектра // 2618483
Изобретения могут быть использованы для формирователя сигналов изображения в инфракрасной области спектра. Гетероструктурный диод с p-n-переходом содержит подложку на основе HgCdTe, главным образом n-легированную, причем упомянутая подложка содержит первую часть (4), имеющую первую концентрацию кадмия, вторую часть (11), имеющую вторую концентрацию кадмия больше, чем первая концентрация кадмия, причем вторая часть(11) образует гетероструктуру с первой частью (4), р+-легированную зону (9) или р-легированную зону, расположенную в концентрированной части (11) и продолжающуюся в первую часть (4) и образующую p-n-переход (10) с n-легированным участком первой части (4), называемым базовой подложкой (1), при этом концентрированная часть (11) расположена только в р+-легированной зоне (9) и образует карман (12) по существу с постоянной концентрацией кадмия.

Интегральная схема быстродействующего матричного приемника оптических излучений // 2617881
Изобретение может быть использовано в современных системах дальнометрии, управления неподвижными и движущимися объектами, зондирования облачности, контроля рельефа местности и т.д.

Способ получения фоточувствительных химически осажденных пленок селенида свинца // 2617350
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, широко используемых в изделиях оптоэлектроники в ИК-диапазоне 1-5 мкм, лазерной и сенсорной технике.
 
.
Наверх