Приборы с переключением из сверхпроводящего состояния в нормальное состояние или наоборот (H01L39/16)
H Электричество(232322)
H01L39/16 Приборы с переключением из сверхпроводящего состояния в нормальное состояние или наоборот(67)
Изобретение относится к сверхпроводящим устройствам, более конкретно изобретение относится к способам и аппаратуре для защиты от нарушения сверхпроводимости в таких устройствах, и особенно в магнитах для применения в термоядерных реакторах.
Изобретение относится к области сверхпроводящих ограничителей тока, предназначенных для применения под высоким напряжением. Сверхпроводящий ограничитель (1) тока содержит по меньшей мере один проводник (3) типа сверхпроводника, намотанный с образованием катушки (2), расположенной в единой плоскости и соединяющей первую клемму (Т1) электрического соединения со второй клеммой (Т2) электрического соединения, при этом между двумя витками катушки (2) расположена электроизоляционная распорка (8).
Изобретение относится к области измерительной техники и может применяться для калибровки шумового сигнала чувствительных усилителей и детекторов при низких и сверхнизких температурах. Сверхпроводящий источник высокочастотного шума содержит источник широкополосного дробового шума в виде сверхпроводящего туннельного перехода и источник широкополосного термодинамического шума в виде СВЧ нагрузки, которые смонтированы на диэлектрической подложке совместно с общей планарной линией передачи СВЧ, по электродам которой сверхпроводящий туннельный переход и СВЧ нагрузка включены в нее последовательно и согласованы с ней на гигагерцовых частотах.
Изобретение относится к области измерительной техники для проведения исследований при низких температурах, в частности к приборам с переключением из сверхпроводящего состояния в нормальное состояние или наоборот, и может применяться в технике низких и сверхнизких температур.
Наноразмерный генератор импульсов // 2753276
Изобретение относится к наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем различного назначения где требуется формирование однополярных сигналов прямоугольной формы для работы последующих логических схем с элементами нанометровых размеров.
Контрольно-измерительное устройство для применения в криогенной системе. Контрольно-измерительное устройство содержит первый (201) и второй (202) проводящие элементы и детектор (205) тока.
Изобретение относится к наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложен наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние.
Наноразмерный элемент цифровой логики // 2744160
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к цифровым устройствам, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров.
Наноразмерное логическое устройство // 2743510
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложено наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов, была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Использование: для создания счетного компонента в наноразмерных цифровых устройствах в различных областях науки и техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержит подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, при этом сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное.
Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования сверхпроводящих функциональных элементов электронных устройств, имеющих области с различными значениями плотности критического тока, включает использование корпускулярного излучения, при этом создают элементы требуемых геометрических форм и размеров, облучают только выбранные участки функциональных элементов, а в качестве корпускулярного излучения используют низкоэнергетический поток ионов или атомов, энергия и доза которого достаточны для образования дефектов кристаллической структуры и/или изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.
Использование: в области электротехники. Технический результат – уменьшение напряженности электрического поля между сборкой токоограничивающих модулей и заземленными стенками криостата и, как следствие, повышение электрической прочности токоограничителя.
Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.
Использование: в области электротехники. Технический результат - обеспечение стабильной эксплуатации сильноточного сверхпроводящего ограничителя тока за счет реализации одинакового подводящего и отводящего сопротивления в цепи к каждому модулю ограничителя тока, а также уменьшение габаритов сверхпроводящего ограничителя тока и его упрощение.
Использование: для регистрации отдельных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый однофотонный детектор содержит подложку, контактные площадки, размещенные на ней, чувствительный элемент, выполненный в форме меандра из сверхпроводящего материала, расположенный между контактными площадками, концы которого подсоединены к последним, при этом к чувствительному элементу последовательно подключен полосковый резистор, сопротивление которого превышает сопротивление контактных площадок, расположенный с зазором относительно подложки, на расстоянии от нее, не превышающем значение, получаемое из следующего выражения: L=V×(t/2), где V - скорость распространения сигнала в линии; t - длительность импульса.
Использование: для создания сверхпроводящего быстродействующего выключателя. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящий быстродействующий выключатель, содержащий отключающий элемент, выполненный в виде двух последовательно соединенных фольговых проводников из сверхпроводящего материала, к выводам которых подключены выводы двух последовательно соединенных и заряженных разнополярно конденсаторов, между точкой соединения конденсаторов и точкой соединения проводников отключающего элемента включен замыкающий прибор, проводники отключающего элемента сложены между собой через изоляционный материал бифилярно, а вместе эти проводники уложены в индуктивную обмотку, в центральной области отключающего элемента расположен медный стержень круглого сечения с волнообразной в осевом направлении боковой поверхностью, имеющий замкнутую полость, толщина стенки стержня превышает глубину проникновения магнитного поля на частоте управления, стержень подключен к точке соединения проводников отключающего элемента с замыкающим прибором, снаружи отключающего элемента и концентрично с ним размещен полый цилиндр из металла с высокой электропроводностью, который имеет волнообразную в осевом направлении внутреннюю поверхность, при этом толщина его стенки превышает глубину проникновения магнитного поля на частоте управления.
Использование: для криостатирования сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя. Сущность изобретения заключается в том, что способ криостатирования и запитки сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя включает режим захолаживания, ввод тока в сверхпроводящую обмотку и удержание магнитного поля, где захолаживание сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя осуществляют за счет принудительного протока жидкого гелия, а ввод тока и удержание магнитного поля обеспечивают с помощью сверхпроводящего преобразователя тока, который располагают между накопительной емкостью с жидким гелием и сверхпроводящей обмоткой индукционного накопителя, при этом накопительную емкость с жидким гелием, сверхпроводящий преобразователь тока и сверхпроводящую обмотку индукционного накопителя располагают в разных криостатах и соединяют между собой при помощи коаксиальных каналов, внутри которых располагают гелиевые магистрали и токоподводы.
Сверхпроводящий выключатель // 2541380
Сверхпроводящий выключатель может быть использован для коммутации электрических цепей постоянного тока, в системах вывода энергии из индуктивных сверхпроводящих накопителей, для защиты крупных магнитных сверхпроводящих систем, работающих в режиме «замороженного» магнитного поля, сверхпроводящих обмоток электрических машин и в качестве токоограничителей в экспериментальных сверхпроводящих линиях электропередачи.
Изобретение относиться к области измерения параметров слабых потоков излучения и касается способа измерения параметров однофотонных источников излучения. Параметры источника излучения измеряются с помощью однофотонного сверхпроводникового детектора.
Изобретение относится к электротехнике, к средствам для использования эффекта сверхпроводимости, и может быть использовано в установках для активации высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Технический результат состоит в повышении технологичности и качества процесса намагничивания.
Сверхпроводящий размыкатель // 2487439
Изобретение относится к электротехнике, в частности к сверхпроводящим размыкателям постоянного тока многократного действия. .
Сверхпроводящий выключатель // 2482567
Изобретение относится к области сверхпроводниковой электротехники и может быть использовано для коммутации тока сверхпроводящих магнитных систем и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии, в системах защиты сверхпроводящих обмоток электрических машин, сверхпроводящих кабелей и линий электропередачи.
Сверхпроводящий выключатель // 2473153
Изобретение относится к области сверхпроводящей электротехники, в частности к сверхпроводящим выключателям (СПВ) постоянного тока многократного действия, и может быть использовано, например, для коммутации тока сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии и сверхпроводящих магнитных систем, в системах защиты сверхпроводящих обмоток электрических машин, линий электропередачи и сверхпроводящих кабелей.
Мощный сверхпроводящий выключатель // 2460176
Изобретение относится к области сверхпроводящей электротехники и может быть использовано для коммутации электрических цепей постоянного тока. .
Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. .
Бистабильный индуктивный ограничитель тока // 2405236
Изобретение относится к электротехнике, к криоэлектронике и может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок. .
Сверхпроводниковый быстродействующий ключ // 2381597
Изобретение относится к области высокочастотной техники, в частности к устройствам для коммутации сигналов сантиметрового, миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. .
Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. .
Способ богданова изменения количества энергии в магнитной системе и устройство для его реализации // 2295146
Изобретение относится к области способов изменения количества энергии в магнитных катушках и к области устройств для их реализации. .
Сверхпроводниковый пленочный датчик слабого магнитного поля с трансформатором магнитного потока // 2289870
Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. .
Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. .
Изобретение относится к магнитометрии и может быть использовано при создании объемов с магнитным вакуумом, т.е. .
Втсп ограничитель тока с дискретным экраном // 2230417
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок. .
Изобретение относится к электроэнергетической импульсной технике и касается сверхпроводниковых ключей-перемычек (СКП) из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) с магнитным управлением работой сверхпроводникового индуктивного накопителя (СПИН) преимущественно тороидального типа, предназначенного для питания импульсных нагрузок, например индуктивной нагрузки через промежуточный многокаскадный емкостной генератор (ЕГ).
Датчик слабого магнитного поля // 2221314
Изобретение относится к области электротехники, в частности, может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок. .
Сверхпроводниковый переключающий элемент // 2181517
Изобретение относится к области криоэлектроники. .
Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе. .
Устройство для ограничения тока // 2126568
Изобретение относится к области исследования характеристик ВТСП материалов. .
Сверхпроводящий переключательный элемент // 2077755
Изобретение относится к средствам управления и может быть использовано в составе систем управления техническими объектами различного назначения, например химическим реакторами, энергоблоками атомных электростанций.
Изобретение относится к сильноточной электронике и может быть использовано для генерирования мощных импульсов тока как со сверхпроводящими накопителями энергии, так и с накопителями энергии на обычных проводниках; также в быстродействующих системах защиты сверхпроводящих накопителей энергии.
Изобретение относится к криоэлектронике, а именно к сверхпроводящим размыкателям многократного действия, и может быть использовано для коммутации токов и создания логических схем в сверхпроводниковой микроэлектронике.
Изобретение относится к криоэлектронике, в частности к сверхпроводящим размыкателям многократного действия, и может быть использовано для коммутации токов и создания логических схем в сверхпроводниковой микроэлектронике.
Сверхпроводящий ключ // 2031488
