Для изменения свойств объектов или для нанесения тонких слоев на них, например ионное внедрение (H01J37/317)
H Электричество(232322)
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы (искровые разрядники H01T; дуговые лампы с расходуемыми электродами H05B; ускорители элементарных частиц H05H)
(10498)
H01J37 Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки (H01J33,H01J40,H01J41,H01J47,H01J49 имеют преимущество; исследование или анализ поверхностных структур на атомном уровне с использованием техники сканирующего зонда G01N13/10, например растровая туннельная микроскопия G01N13/12; бесконтактные испытания электронных схем с использованием электронных пучков G01R31/305; детали устройств, использующих метод сканирующего зонда вообще G12B21)
(805)
H01J37/317 Для изменения свойств объектов или для нанесения тонких слоев на них, например ионное внедрение ( H01J37/36 имеет преимущество)(30)
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при обработке внутренней поверхности протяженных отверстий металлических изделий или труб для повышения их поверхностной твердости, коррозионной стойкости и износостойкости.
Изобретение относится к способу коррекции эффекта близости, например, который можно выполнить в системе для литографии пучками заряженных частиц. Технический результат – выполнение улучшенного способа коррекции эффекта близости пучка заряженных частиц.
Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25.
Изобретение относится к устройству для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий и может быть использовано в автомобилестроении, в медицине при создании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, для изготовления тонкопленочных интегральных аккумуляторов и в химических реакторах.
Ускоритель-тандем с вакуумной изоляцией // 2653840
Ускоритель-тандем с вакуумной изоляцией относится к физике и технике ускорителей и может быть применен для получения пучков заряженных частиц для ионной имплантации, нейтронозахватной терапии рака или для обнаружения взрывчатых и наркотических веществ.
Изобретение относится к устройству модуляции для модуляции элементарных пучков заряженных частиц в соответствии с данными рисунка в системе литографии многочисленными элементарными пучками заряженных частиц.
Многоэлектродная охлаждаемая конструкция // 2644388
Изобретение относится к генерированию пучка заряженных частиц и системе литографии пучками заряженных частиц. Электрод коллиматора, используемый в генераторе пучков заряженных частиц, содержит тело (81) электрода, которое снабжено центральной апертурой (82), при этом тело электрода задает высоту электрода между двумя противоположными основными поверхностями, и вмещает охлаждающий канал (105) внутри тела электрода для переноса охлаждающей жидкости (102).
Агрегат и способ переноса радикалов // 2642494
Изобретение относится к агрегату для переноса радикалов, например для удаления отложений загрязнения.. Агрегат включает генератор плазмы и направляющее тело.
Изобретение относится к способу и устройству для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц.
Устройство для синтеза и осаждения покрытий // 2620845
Изобретение относится к области машиностроения, в частности к устройствам для синтеза и осаждения износостойких покрытий на изделиях в вакуумной камере. Устройство содержит вакуумную камеру, планарный магнетрон с плоской мишенью и источник питания разряда, соединенный положительным полюсом с вакуумной камерой и отрицательным полюсом с мишенью.
Изобретение относится к способам ионно-лучевой обработки изделий с большой площадью поверхности. Обрабатываемые изделия перемещают поперек большой оси пучка, формируемого с помощью ионно-оптической системы, содержащей плазменный и ускоряющий электроды, каждый из которых содержит большое число щелевых апертур.
Способ включает формирование в известной магнетронной распылительной системе планарного типа магнитного поля, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и его осаждение на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры.
Изобретение относится к установке для нанесения покрытий на поверхности деталей. Внутри корпуса вакуумной камеры установлен, по меньшей мере, один источник распыляемого материала, выполненный в виде N магнетронов, где N - целое число и N>1, и ионный источник.
Изобретение относится к кластерной литографической системе обработки подложки. Система содержит один или более литографических элементов, каждый литографический элемент выполнен с возможностью независимого экспонирования подложек в соответствии с данными шаблона.
Способ ионной имплантации // 2403646
Изобретение относится к устройству и способу для изменения свойств трехмерной фасонной детали (2) посредством электронов, содержащему по меньшей мере один ускоритель (3а; 3b) электронов для генерирования ускоренных электронов и два окна (5а; 5b) выхода электронов, при этом оба окна (5а; 5b) выхода электронов размещены друг против друга, при этом оба окна (5а; 5b) выхода электронов и по меньшей мере один отражатель (7a1; 7a2; 7b1; 7b2) ограничивают технологическую камеру, в которой поверхность или краевой слой фасонной детали (2) бомбардируют электронами, при этом посредством сенсорной системы регистрируется распределение плотности энергии в технологической камере по меньшей мере по одному пространственному измерению.
Изобретение относится к устройству имплантации ионов азота в деталь (5) из алюминиевого сплава и способу обработки алюминиевого сплава и может найти применение в области обработки пластмасс при изготовлении пресс-форм из алюминиевого сплава.
Способ изготовления подложки с резистом // 2334261
Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру. .
Магнетронная распылительная система // 2242821
Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. .
Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для изменения механических, химических, электрофизических свойств приповерхностных слоев металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и других материалов путем нанесения покрытий или изменения состава поверхностных слоев ионной имплантацией.
Изобретение относится к области электронно-лучевой обработки объектов. .
Магнетронная распылительная система // 2151439
Способ импульсно-периодического нанесения вакуумных покрытий и устройство для его осуществления // 2141004
Изобретение относится к вакуумной ионно-плазменной технике, предназначенной для нанесения покрытий при их одновременном облучении ускоренными ионами и используемой для модификации поверхностей материалов и изделий в машино- и приборостроении, в инструментальном производстве и других областях.
Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для нанесения различных покрытий на поверхность диэлектрических материалов, преимущественно листовых, с большой площадью поверхности. .
Ионный микропроектор и способ его настройки // 2126188
Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение при изготовлении интегральных схем с большой информационной емкостью методом литографии, а также в других процессах прецизионной обработки поверхности материалов ионным лучом, например нанесение на субстрат рисунков с изменением в нем поверхностных свойств материалов, в частности изменение типа проводимости в полупроводниковых материалах путем внедрения легирующих ионов, изменение других физических свойств материала за счет внедрения одноименных и инородных ионов, создание на поверхности новых слоев в результате осаждения атомов вещества из окружающих паров облака под влиянием падающих ионов, удаление вещества с поверхности субстрата в результате его распыления.
Способ имплантации частиц в твердое тело // 2120680
Изобретение относится к технической физике и может быть использовано в любой отрасли для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий. .
Устройство для имплантации ионов // 2118012
Изобретение относится к устройствам получения интенсивных ионных пучков и может быть использовано в установках имплантационной металлургии для увеличения глубины ионной имплантации (ИИ). .
Установка для имплантации // 2110110
Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов. .
Магнетронная распылительная система // 2107971
Магнетронная распылительная система // 2107970
Генератор атомарного водорода // 2088056
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к устройствам для получения химически активных частиц, а еще точнее, к генераторам атомарного водорода. .
Способ ионной имплантации // 2087586
Изобретение относится к способам нанесения покрытий ионной имплантацией и может быть использовано в электронной и других отраслях промышленности. .
Способ обработки семян растений // 2076557
Изобретение относится к сельскому хозяйству, к растениеводству и может быть использовано при обработке семян растений перед посевом. .
Изобретение относится к легированию поверхностей твердотельных образцов путем облучения их пучком ионов. .
Изобретение относится к технической физике, в частности к радиационному материаловедению, и может быть использовано для улучшения электрофизических, химических и механических свойств приповерхностных слоев металлов и сплавов, полупроводников и др.
Способ ионной имплантации // 1565288
Изобретение относится к области радиационного материаловедения и предназначено для модификации поверхности изделий из металлов и сплавов. .
Способ ионной имплантации // 1412517
Изобретение относится к технической физике, в частности к радиацирииому материаловедению, и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков и др.
