Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов

 

тТ,» 1i"Ilqayr8

Класс 12с, ВСССГ, Ш TL<

1 Гз Х1 т Т,п.

БИБ„ 1иптЕ g i

ОПМСАЯ

ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

П. Г, Поздняков и А, A. штернберг

СПОСОБ ИЗГОтОВЛЫИЯ ЗАТРАВОК ДЛЯ ВЬЮЛЩИВЛНКЯ

КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 7 января 1952 г. в Министерство проеяышлепности средств связи СССР за ¹ А-1164)450193

Фосфат аммония (однозамещенная аммонийная соль ортофосфорной кислоты) образует прозрачные бесцветные кристаллы, относящиеся к тетрагонально-скальеноэдрическому классу симметрии и имеющие вид призм квадратного сечения, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами.

Фосфат аммония принадлежит к группе веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом кристаллов.

В частности, одной из главных особенностей образования кристаллов фосфата аммония является очень большое различие скоростей роста граней призмы и пирамиды. В то время как грани пирамиды хорошо и быстро растут, роста кристалла в направлении граней призмы практи=.ески не происходит, вследствие чего из р"ñòâ,îðà îáðàçóþòñÿ ä,",ë.ïнные вытянутые вдоль осп С кристаллы игольчатого вида, имеющие малое сечение. Между тем для практических целей требуются кристаллы большого сечения.

Как известно, для промышленного выращивания кристаллов весьма важен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов KpHcTBëëû, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.

Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая op!IeH.гнровка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.

В частности, в случае использования фосфата аммония, КрНсТВ лы которого, как уже указывалось, нме1от .",ид призм квадратного сече:f.: ÿ, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами, стержневая затравка вырезается таким образом, чтобы ее длина была параллельна одному пз ребер, образованному пересечением соседних граней пирамиды. Такая ориентиров а стержневой затравки представлена на чертеже.

Предлагаемая ориентировка стеркневой затравки дает начало ооразова нню комплекса из четыре . граней пирамиды, которые, быстро p=iHвиваясь, вскоре приводят к образованию широкого полной формы кристалла, поперечник которого имеет азмер, составляющий Около О,б От длины стер-кня, взятого в качестве затрату„

И р 0 д м е т и з о б р е т е н и я

Способ изготовления затравок для

::.ыращиьания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, преимущест=-енно к" исталлов фосфата аммония, путем вырезания из кристалла стержней заготовок, о т л и ч а ю— щи и ся тем, что, с целью получения кристаллов с большим поперечным сечением стержнеобразную затравку вырезают из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней (в частности — параллельно ребру пирамиды в случае использования фосфата аммония). т-е, -,:.Ктор И. В. Маимов !i("»Ç от 29/V537 1955 -. Стаидлртеиз. Ооъс11 0,i25 и.,т, Тир:>и ОО. Цеи". 25 ксп. иисГРи. Йия иЗд-Р;: (<Л!ОСКОВеии 1 пйэВ !2». ПОтип02екии пер. 3..>йкии

Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики

Изобретение относится к области биомедицины, конкретно к способам выращивания кристаллов кальцийфосфатов и может быть использовано в травматологии, ортопедии, стоматологии, клеточной инженерии, фармакологии

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов

Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения

Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов для нелинейной оптики

Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН2РО4 (KDP) при постоянной фильтрации раствора
Наверх