Ретушевальный станок

 

¹ 102585

П Р е Д м е т и 0 0 0 P (. I ()I II;I

1, 1 е! yl.!0))a)!)

Отв. редактор И. В. Макаров

Л59523 от 12/1Ъ 1956 г, Стаидартгиз, Обьсм 0,125 и. л Тираж 500, Цена 25 кон.

Типография иад-ва «Московская правда>, Потаповский пер., 8. Зак. 1888 штаб увелич(нин и,!Обр<1женин ()(Г1.шруется приближением пли удалением рамки (4) относительно увеличителя (8). что обеспечивается подвижностью направляющих в горпзонтал! ном направлении в хомутиках (5).

Для выбора кадра по высоте и углу поворота изображсни» панель (3) имеет подвижность вверх и вниз I!0 наклонной части направля)ощпх (1)< а рамка — подвижность в плоскости панели вокруг ее центра, например, в I 0;II !r(вой или сскторно)! оправе (на ч(рп»;0 нс изображены).

Отрегулированное указанным путем. увеличснно". H(гативп(н) пзобраK(ни(ретушируетс» на матовой нов(рхно(ти стекла и затем непосредственно экспонируется через -)Tv матовув> маску «ретушью в той же копировальной рамк( на (()Отобумаl l, )1;(енк .< )ып диа((оз)(т(!)5ную пластинку. тем, что, (, целью вьшолнения ретуши на вспомогательной матовой поверхности при проекции на нее увеличенного черIr0-белого пли цветного негативного изображеш(я и последующего экспонирования (ротобумагп через маску с ретушью, он выполнен в виде приставки к фотоувс,шчител)о, состоящей пз двух изогнутых по! углом о — 60 — 65 . Нап()авл»ющих, на одной из которых установлена панель

« I;0rrIIp0r)a;rI>)roir рамкой, и съемного кронштейна с зеркалом, ук(>«пленного

lr0I углом 90 — о=-25 — 30 .

2 Форма выполнения ретушевального станка но и. 1, о т л и ч à 10 щ а я с я тем, )то, с целью регулирования масштаба увеличения, направляющие выпо;шепы подвижными в горизонтальном направлении.

3. Форма выполнения рстушевальног0 станка по и. 1, отлича1оща яс я тСМ, ЧтО, С ЦЕЛЬЮ ВЫООра Ка;(ра. ПННЕЛь выполнена передвижной вверх и вниз по наклонной части напр((вля)0)цпх,

Ретушевальный станок Ретушевальный станок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов для микросборок, устройств функциональной электроники и печатных плат

Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике и позволяет повысить точность ретуширования фоторезистивных слоев

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя - до получения оптически плотного слоя Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения , определяемая фотометрированием

Изобретение относится к фотографии, в частности к составу для ретуширования фотошаблонов, применяемых при изготовлении гибридных интегральных схем с размерами элементов 50 мкм и более, и для печатных плат

Изобретение относится к фотографии, в частности к составу для ретуширования фотошаблонов
Наверх