Способ реставрации микроизображений, например,фотошаблонов

 

II1I 528537

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬГИтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.12.74 (21) 2088266 10 (51) М. Кл.- G 03 С 11/04

Н 01 1 21/70 с присоединением заявки М 2088272/10

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 23) Приоритет

Опубликовано 15.09.76. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 24.09.76

53) 1 ДК 621.396.6 049..75.002 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. П. Журавлев, А. А. Волков, В, Б. Баюков и М. С. Кал (71) Заявитель (54) СПОСОБ РЕСГАВРАЦИИ МИКРОИЗОБРАЖЕНИЙ, НАПРИМЕР ФО ГОШАБДОНО В

Известны способы реставрации микроизображений, например фотошаблонов, заключающиеся в нанесении на дефект микроизображения ретуширующего материала кисточкой или другим инструментом (1) .

Недостатками известных способов реставрации и ретуширования микроизображений являются низкое качество реставрации фотошаблонов и большая трудоемкость, так как при ретушировании фотошаблонов выступы ретуширующего материала мешают созданно плотного оптического контакта, необходимого при копировании для правильной передачи изображения.

Для улучшения качества микроизображения по предлагаемому способу ретуширующий материал наносят на всю площадь микроизображения с последующим затемнением его на непрозрачных участках путем экспонирования через маску и химической обработки. Согласно этому способу маскирование изображения осуществляется либо при помощи красителя, удаляемого после экспонирования, либо при помощи «зеркальной» копии основного микроизобр ажения.

Возможная реализация описываемого способа представлена на фиг. 1 и 2, где 1 — фотошаблон с дефектами, 2, 3 — диазотипный материала, 4 — краска, 5 — «зеркальная» копия, 6 — пятно.

Пример 1. На дефектный эмульспонный фотошаблон 1 со стороны эмульсии наносят центрифугированисм слой диазотпппого материала 3 толщиной 3 — 4 мкм и высушивают

5 его в шкафу в течение 20 мпн прп 70 С.

Фотошаблон с нанесенным дпазоматерпалом устанавливают под микроскоп и наносят на дефекты 2 капельки невысыхающей крас10 ки 4, максирующей УФ излучение, после чего пластину экспонируют УФ светом. Временную краску убирают тампоном. Изображение проявляют в парах аммиака прп нормальных условиях. В результате над дефектом образуется пятно 6, маскирующее дефект в УФ свете.

Невысыхаlощуlо краску можно использовать для маскирования прп размере ретушируемых дефектов íà TEMHllx noлях размером

20 более 50 мкм. Реставрированное микропзображение является безрельефным, что важно для Операции коп!1рования пзоораженпй контактным способом.

2ý II р и м е р 2. Hd металлпзпрованный фотошаблон 1 с дефектом 2 со стороны макснрующего покрытия экструзионным способом наносят слой дпазотипного матсрпала 3 толщиной 4 — 5 мкм II высушивают его в пнфра30 красных лучах в течение 3-х мпн прп 70 С.

528537

Формула изобретения

Уиг. f

Фиг.2

Госташпс.ll> Л. Теплова

Тсхрсд Е Г1одурушина

Корректор Е. Хмелева

Редактор С. Хейфиц

Заказ 2058;12 1.1зд.. Ге 1606 Тираж 581 Г!одиисиос

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делим изобретен ш и открытий

113035, Москва, %-35, Раушскаи иаб., д. 4, 5

Типографии. 110 CBII) èîâà, 2

Далее на стандартных установках проводят совмещение и экспонирование УФ светом диазоматериала на дефектном фотошаблоне через «зеркальную» копию 5 фотошаблона. После проявления изображения в парах аммиака в нормальных условиях получают фотошаблон, не имеющий дефектов, так как вероятность совпадения дефектов на основном фотошаблоне, диазоматериала и «зеркальной» копии черезвычайно мала.

Изобретение может быть использовано в производстве прецизионных фотошаблонов с малой дефектностью, которые необходимь1 для изготовления больших интегральных схем.

Способ реставрации микроизображепий, например фотошаблонов, заключающийся в

5 нанесении на микроизображение ретуширующсго материала, отличающийся тем. что, с целью улучшения качества микроизображенпя, рстуширующий материал наносят на всю пло цадь микроизобр ажения с последующим

10 затемнением на непрозрачных участках путем экспонирования через маску и химической обработки.

Источник информации, принятый во вни15 мание при экспертизе:

1. Патент США ¹ 3804б23, кл. 9б-47, 1974.