Электронно-полупроводниковая усилительная лампа

 

№ 108085

Класс 21@, 13 „

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. М. Бонч-Бруевич, Е. t. Гришин и Б. С. Солтамов

ЭЛЕКТРОННО-ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ УСИЛИТЕЛЬНАЯ

ЛАМПА

Заявлено 3 апреля 1957 r. за № 570436 в 1(омитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Предмет изобретения

Предметом изооретения является конструкция электронно-полупроводниковой усилительной лампы, в которой в качестве анода использован р-и переход, облучаемый электронным потоком.

В отличие от известных конструкций электронных ламп, в которых основной параметр-крутизна характеристики определяется геометрией лампы и введением дополнительных электродов, в описываемой конструкции для повышения крутизны характеристики лампы используется усиление вр-и переходе, облучаемом электронным потоком, интенсивность которого, как и в обычной лампе, управляется потенциалом сетки.

Лампа состоит из катода К (фиг. 1), управляющей сетки С и полупроводникового элемента А с р-и переходом, обращенным своей стороной с р-проводимостью к катоду.

Через делитель напряжения К„

R,„ на электрод .р подается ускоряющее анодное напряжение Ua, а на р-tl переход — напряжение Un в запорном направлении.

Усиленное напряжение Uabix снимается с нагрузки Zn, включенной последовате,льно с р-и переходом, Крутизна Sn характеристики 1п = f (Uax) электронно-полупроводниковой лампы в а раз превышает крутизну S характеристики анодного тока электронной лампы с такой же конфигурацией электродов.

Sn — xS.

Прп напряжении Ua=300 в это превышение достигает ста раз (фиг. 2).

На фиг. 3 изображены зависимости тока нагрузки 1п от величины тока в электронном пучке ia, при двух значениях напряжения U.

На фиг. 4 приведено семейство характеристик тока, протекающего через нагрузку от напряжения Un, причем за параметр принята величина тока в пучке ia .

Описываемая электронно-полупроводниковая лампа может найти широкое применение в релейных и усилительных схемах.

Электронно - полупроводниковая усилптельчая лампа, отл и ч а|о¹ 108085

Фиг. 1 щ а я с н тем, что, с целью повышения крутизны характер:бюстики, использован полупроводниковый элемент с р-и переходом в качестве анода, облучаемый модулируемым электронным потоком, с включением нагрузки в цепь питания р-и перехода,

Электронно-полупроводниковая усилительная лампа Электронно-полупроводниковая усилительная лампа Электронно-полупроводниковая усилительная лампа Электронно-полупроводниковая усилительная лампа Электронно-полупроводниковая усилительная лампа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и касается термоэмиссионных катодов для электронных устройств с эмиттером из гексаборида лантана

Изобретение относится к области газоразрядных высоковакуумных (Р<0,1 Па) устройств

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно к конструкции эмиттера (в том числе эмиссионного) у активных элементов микро- и наноэлектроники таких, как диодов и транзисторов
Изобретение относится к области электровакуумных приборов, в частности к способу изготовления импрегнированных катодов

Изобретение относится к устройствам и способам получения отрицательно заряженных наночастиц для использования в медицине, бытовых приборах, биоинженерии и т.п

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности для повышения качества катодов и электрической прочности электровакуумных приборов и конструкций

Изобретение относится к технологии изготовления макро- и микроизделий - эмиттеров электронов с пониженной работой выхода электронов и с большим ресурсом работы, предназначенных для термоэмиссионных элементов электродуговых катодов генераторов плазмы и термоэмиссионных катодов электровакуумных или газонаполненных приборов, являющихся источником электронов
Наверх