Резистивная паста

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (i»1005196 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27. 07. 81 (21.) 3323932/18-21

Р1 М g> з с присоединением заявки ¹

Н 01 С 7/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15,03,83, Бюллетень 9 10

Дата опубликования описания15.03.83 (53) УДК 621. 316. .8(088.8) В.И.Безруков, М.П.Дубинина, М.Е.Голоденко,, A.Т.Самсонов, A.Ã.Âoðoïàåâ, A.Â.Ïèñëÿêoâ, В.З.Петрова и Р.Ф.Шутова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель б м (54) РЕЗИСТИВНАЯ ПАСТА

0,5 7,5

47,5-50,5

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике в технологии изготовлении толстопленочных резисторов и микросхем.

Известна резистивная паста, BKJIKчающая диоксид рутения, стеклофритту и органическое связующее (1j.

Недостатками этой резистивной пасты являются относительно высокий температурный коэффициент сопротивления и низкая стабильность удельного поверхностного сопротивления.

Наиболее близкой к изобретению по технической сущности является резистивная паста," включающая диоксид рутения, оксид никеля, гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее (2 ).

Недостатки этой резистивной пасты заключаются в относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления, удельном поверхностном сопротивлении и недостаточной стабильности электричесйого сопротивления.

Цель изобретения — снижение удельного поверхностного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления .и йовышение стабильности электрического сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что реэистивная паста, включающая ди- оксид рутения, оксид металла УМ группы, гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее, дополнительно содержит оксид меди и в качестве оксида металла уй группы — оксид родня при.следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:

Диоксид рутения(Ви02) 6,76-7,03

Оксид родия (Ит205) 0,5-5,0

Оксид меди СиО 12, 24-16,97

Гексатанталат меди (Cu+Ta0019.820) 0,5-6.,0

ГЕксатанталат марганца (Мп+ТабО -Н2O)

Стеклофритта

Органическое связующее Остальное

При этом оксид меди и диоксид рутения введены в пасту в виде мелкодисперсных порошков 3.СиО.Ru02, 25 .взятых в .следующих количествах, вес.Ъ: оксид меди (CuO) 63,34 и диоксид рутения (НиО2)35,66, или

4 Cu"RuO>, взятых в следукщих количествах, вес.Ъ: оксид меди(СиО) 70.,64;

ЗО диоксид рутения (Ru02 )29,36..

1005196

В качестве стеклофритты используют стекло марки Ru-34, а в качест,ве органического связующего - смесь, состоящую из 15 вес.ч. ланолина, 3 вес..ч. вазелинового масла и 1 вес.ч. циклогексанола (ЕТО.035.304 ТУ ).

Для получения резистивной пасты приготовлено пять смесей компонентов. . Каждую смесь приготавливают следующим образом. Порошкообраэные компоненты— диоксид рутения, оксид родня, оксид 10 меди, гексатанталаты меди и марганца и стеклофритту — перемешивают в тече- ние 40 мин в агатовой ступке с пес.тиком, затем вводят органическое связующее и вновь перемешивают в 15 течение 20-30 мин. Полученную пасту выгружают в плотно закрывающиеся банки из темного стекла, крышки которых оклеивают полиэтиленовой лентой с липким слоем.

Приготовленные пасты наносят на керамические подложки из 22ХС методом трафаретной печати на чстановке ДЕК-1202 по 20 резисторов размером 2х2 мм на каждую подложку, под2 сушивают при температуре 300+10OC в течение 10 мин и вжигают в конвейерной печи ДЕК-840. Скорость подъема температуры при вжигании 20-25 С/мин.

Время выдержки при пиковой температуре 15 мин. Относительная влажность при вжигании 60-75%. Оптимальная пиковая температура 700 и 748 С.

Электросопротивление резисторов измеряют универсальным вольтметром

В7-18, ТКС по методике ЕТО 032.546 ТУ в интервале температур +20 — +125 С и от +20 до -55 С.

Составы приготовленных резистивных паст и характеристики изготовленных на их основе толстопленочных резисторов приведены в таблице, Изобретение позволяет снизить температурный коэффициент сопротивления, повысить стабильность электрического сопротивления, уменьшить удельное поверхностное сопротивление и сократить расход дефицитного дорогостоящего диоксида рутения в технологии изготовления толстопленочных резисторов.

1005196

1 !

1

I

1 1

I

l !

«Р

Ю

4 Ъ

4 !

« (Ч

Ю с

Ю! х о

Ц

И о н и

1 о

OI O

In . г4

4Ч 1

4Ч

СО

«

«!

М

«-4!

РЪ

° Ф

Ю

«-4

СМ

«

СЧ

1 х х н и х а

Э н

Х

l6 а

I6

1 с

4 Ъ

%-1

4"Ъ

10

Ч) « ф

М

«

4«Ъ

О\

ОЪ

1 %О

Ю

C) 1

I

1 0Ъ с

С Ъ

1 <Ч

1 хх-о Й

III

4.и х ае Р\

owu ф

О 4 с с

О 4Ч

4Ч СЧ о о

М «

ОЪ

СЧ «-4

44Ъ

4п

4Ч

Ю

«

Ю

4Ч

1

1

I и

1 Х A а

Ф 6 е нон

u z

1 !

1

I

IA

Ю

4!Ъ . «

Ю аА

I х п3

l6 I н х

I6 н 46 и э! хна

Э Ф !б

Овине

I

I aA с ! о

u !

МЪ а о с. с

4-4

«

Э I

Х I

I 1 с

1 Я н !

I

I ! о с

I Ю

l6

И

I 1

6 46 и н ххн

Ф 46 !б

r нц о

Ю

«

С6 1 о х

Я 1

L I

Н I

u I

Х I

IaI

Э 1 а 1

IO 1

I6 I

Н-I

u I о !

1

I «l

1 СЧ !

4Ч

1 «.4

Ц х х иц

OX!

ОЪ

« аО

«4 т4

«3

4Ч

М

4Ч

%.« о

« Ф

«-4

Ц IC х х и Ц х и о.а

1

1 Ю ъ !

4Ъ

«3

IA I«I

« % о б

44Ъ с

C) М м

U I

I

1

1

1 ц х х х их х э

OI х» х(а!

I

ac!

1 °

1 О

4"Ъ о

М « О 1

4«1 IO

О с с 4О

Ю !

aCI! -ъ

I o

1 1<Ч

1 1 + I

1 I 140

I aCI с

1 1 an I IA и1 Л

1О

1 1

1«I 1

11 I an 1

1 о сч

l «4 l «.4 1

I ° 1 + 1

I u 1- 1ап

I М I 1 I

I Е4 1 1 СЧ ! о

III l 1СЧ

o»+

Ch о н 1 Э Ф 1

u l gog ol х1хо е.! ЭОХ

eIХХНМ1сч а!О аОХ1о

I ц ц ах

I Xeg1« н r(o ! о >и —, 1 1 1, 1

om use I

I ЦНХ ICla

eeох Iñ÷ цо аэ

1 о

l !6 1 eu

Фабио

g ь1л

ZI XIC

Э 46 М Х 3 наахн

«э со а

« « М

4Ч СЧ 4Ч! !

1О СЧ

ОЪ о

РЪ IA 4

+! +! +!

IA «-1

СР 1 CO

% % «

IA 4Ч «-1 в а an о а

« « ъ с %

Г- I О В

«4 «4 IA 4 «3 в о. о с ъ ъ . ь

О Г .СЪ .4Ч

1005196

Формула изобретения

Составитель.IO. Герасичкин

Редактор М. Петрова Техред Е.Харитончик Корректор И.Шулла

Заказ 1913/71 Тираж,701 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Резистивная паста, включающая диоксид рутения, оксид металла УШ группы,. гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее, о т л и ч а— ю щ а я с я тем, что, с целью снижения удельного поверхностного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления и повышения

30 стабильности электрического сопротивления, она дополнительно содержит, оксид меди и в качестве оксида металла УШ группы — оксид родия при следующем количестве соотношения ком-15 понентов, вес.Ъ:

Диоксид рутения (RuOg) 6,76-7,03

Оксид родня (Rh>0>) 0,5-5,0

Оксид меди (CuO) 12,24"16,97

Гексатанталат меди (Cu Ta60. 9- Н20) 0,5-6,0

Гексатанталат марганца (Мп+Та60 9 Н20) . 0,5-7,5

Стеклофритта 47,5-50,5

Органическое.связующее Остальное

Иаточники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

В 491161, кл. Н Ol С 7/00, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке 9 3312920/18-21, кл. Н 01 С 7/00, 1981.