Способ настройки, преимущественно спусковых транзисторных функциональных узлов на навесных элементах

 

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО СПУСКОВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ НА НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ , включающий измерение амплитуды .напряжения U,, при условиях Е „ц„ EQU, шоке в нормальных климатических е ./. i.r / I si i-f -;f- -: условиях отличаю.щийся тем/ что, с целью повышения качества и надежности настройки, до подачи паряжения и за п измеряют в нормальных климатических условиях параьютр транзистора, устанавливают минимальное значение параметра 4)21 Е указанное в технических условиях при низшей температуре окружающего возду .ха, путем увеличения трка базы 3, до значения, соответствующего увеличению амплитудынапряжения зап АО величины

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

ИЦ ИР

РЕСПУБЛИН (19) (И) i,(50 (: 01R 31/26

/ и

i7

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ/

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2866448/18-21 (22) 21..12.79 (46) 30.03.83. Бюл.- 9 12 (72) Ю.М. Котровский (53) 621.373(088.82 (56) 1. Малинский В.Д. Контроль и испытание радиоаппаратуры. Энергия

1970.

2. Лиховецкий Б.П, Плоские модули.

М., Советское радио, 1972,с.110 (прототнп). (54)(57) СПОСОБ НАСТРОЙКИ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО СПУСКОВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ НА НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ, включающий измерение амплитуды ,напряжения ()зпп при условиях.Е „„ди

Еем мок в нормальных климатическйх условиях о т л и ч а ю,шийся тем, что, с целью повышения качества и надежности настройки, до подачи паряжения U> z- измеряют в нормальных климатических условиях параметр

:%2„е транзистора, устанавливают минимальное значение параметра Ь21Б, укаэанное в технических условиях при низшей температуре окружающего возду. ха, путем увеличения тука базы 3, до значения, соответствующего увеличению амплитуды напряжения Оз п до величины (0.,8 - 1,0)Еп, далее изменяют ток базы регулируемого транзистора до значения, соответствующего -уменьшению напряжения О <„ до величины не меньшей 0,2Еп мюи ° 9

1008677

1 фиг.2

Составитель В. Чижиков

Редактор A . Лежнина Техред С.Мигунова.

Корректор В.Бутяга

Заказ 2331/56 Тираж 708 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул, Проектная, 4

Изобретение относится к импульсной технике. и может быть использовано в различных устройствах автоматики.

Известен способ физического моделирования параметров активных элементов с помощью генератора случайных процессов, управляющих параметрами элементов fl ), Недостаток этого способа — невозможность оценки влияния разброса транзисторов по параметру h <1Е на минимально допустимую амплитуду запуска.

Наиболее близким к предлагаемому является способ настройки спусковых схем,по которому функциональные узлы,15 .(Фу) проверяются при мини .альном значении напряжения источника питания(Е„„„); максимальном значении напряжения источника смещениЯ (ебм waKc ) сначала при температуре воздуха 15 — 25 С, а затем при понижении или повышении температуры Фу до значении, при которых ФУ еще должен работать в соответствии с требованиями технических условий на этот тип Фу f2 j.

Недостаток данного способа заключается в том, что он не позволяет оценивать влияние технологического разброса параметров навесных транзисторов на работающих Фу.

Цель изобретения — повышение качества и надежности настройки.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, включающему измерение амплитуды напряжения U3<„ при условиях Eq щин i Есм макс в нор

35 мальных климатических условиях, до подачи напряжения U>ä„èçìåðÿþò в нормальных климатических условиях параметр 11 „е транзистора, устанавливают минимальное значение параметра укаэанное В технических условиях при низшей температуре окружающего воздуха, путем увеличения тока базы 3б до значения, соответствующего увеличению амплитуды напряжения 0эап до величины (0,8 — 1,0)

Eä, далее изменяют ток базы регулируемого транзистора до значения, соответствующего уменьшению напряжения

U3o„ до величины не меньшей 0,2Еп„„„,.

На фиг. 1 показана схема включения диода и переменного резистора в цепь транзистора; на фиг. 2 — триггер, который необходимо настроить.

Пример. К входам транзисторов подключают нелинейную последовательную цепочку, состоящую иэ диода (D310) 1 и переменного резистора

2 типа СП-1 — 510 Ом, таким образом, как показано на фиг. 1. Затем устанавливают резистором 2 параметр равным минимальному значению, укаэанному в Ту при низшей окружающей температуре воздуха далее транзисторы с нелинейной цепочкой впаивают цв лабораторный макет разрабатываемого триггера, например, показанного на фиг. 2, подают напряжение Еп ц

Е „„ ., затем увеличивают ток баэй, например, уменьшением номиналов резисторов 3 и 4 (фиг.2) до тех пор, пока триггер не изменит своего состояния.

Способ настройки, преимущественно спусковых транзисторных функциональных узлов на навесных элементах Способ настройки, преимущественно спусковых транзисторных функциональных узлов на навесных элементах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх