Способ магнитной дефектоскопии и устройство для его осуществления

 

1. Способ магнитной дефектоскопии по авт.ев 913224, л ичающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в плазме создают локализованный участок с более высокой магнитной проводимостью и распределение тока определяют на этом участке. , 2. Устройотво для магнитной дефектоскопии по авт.св. 913224, о т л и ч а ю щ е .е с я тем, что оно снабжено магнитным конденсатором в виде стержня из ферромагнитного материала, закрепленным в корпусе вблизи анодов. // с/1 9 с &1 ff со 4а

1 . „„SU„„!010534 А

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУ6ЛИК

З(59 6 О1 И 27/72

В

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗО6РЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

Н АВТОРСН0МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 913224 (21) 3352649/25-28 (22) 09.11.81 (46) 07.0.4.83. Бюл. 9 13 (72) А. И. Рутман (71) Московский вечерний металлургический институт (53) 620.179.14:621.317;39(088.8) . {56) 1. Авторское свидетельство СССР 9 30263, кл. G 01 N 27/72, 193 3.

2. Авторское свидетельство СССР .М 913224, кл. G 0l й-27/72 1980 (прототип). (54) СПОСОБ МАГНИТНОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ

И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ. (57) 1. Способ магнитиой дефектоскопии по авт.св М 913224, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повиыения чувствительности, в плазме создают локализованный участок с более высокой магнитной проводимостью и распределение тока определяют на этом участке.

2. Устройство для магнитной дефектоскопии по авт.св. Р 913224, отл.ичающе.е.ся тем, что оно снабжено магнитньв конденсатором в виде стержня. из ферромагнитного материала, закрепленным в корl пусе вблизи анодов.

1010534

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для обнаружения дефектов в ферромагнитных изделиях во всех отраслях машиностроения. Известен способ определения дефектов в изделиях, заключающийся в том, что изделие намагничивают и регистрируют магнитные потоки рассеяния от дефекта в изделии путем взаимодействия их с потоком электрически заряженных частиц.

Способ осуществляется устройством, содержащим корпус, катод, два анода и схему для подключения устройства к источнику питания 1 . 15

Недостатком способа является низкая чувствительность к дефектам с малым раскрытием и глубиной.

Недостатком устройства является ассиметричность конструкции, что при- 7О водит к понижению чувствительности.

По основному авт.св. Р 913224 известен способ магнитной дефектоскопии, заключающийся в том. что изделие намагничивают и регистрируют магнитный поток рассеяния, обусловленный дефектами намагниченного иэделия, над поверхностью намагниченного иэделия посредством газового разряда создают токонесущий слой плазмы, определяЮт распределение тока в плазме и по нему определяют магнитные потоки рассеяния.

Газовый разряд над поверхностью изделия создают с помощью плоской газоразрядной ячейки, давление в ко- З5 торой меньше 100 мм ртутного столба, а ток разряда не превышает 1 мй, перемещаемой по поверхности контролируемого изделия. устройство для магнитной дефекто- 40 скопин содержит корпус, катод и два анода, катод выполнен штыревым, а аноды протяженными и соединены по дифференциальной схеме 2 )

Недостатком способа и устройства 45 является низкая чувствительность к дефектам малых размеров из-за наличия высокого шумового уровня газоразрядной плазмы устройства.

Цель иэобретзния — повышение чув- 5р ствительности при контроле изделий из ферромагнитных материалов.

Цель достигается тем, что согласно способу магнитной дефектоскопии

B плазме создают локализованный участок с высокой магнитной

55 проводимостью и распределение тока определяют на этом участке.

При этом устройство для магнитной дефектоскопии снабжено магнитным концентратором в виде стержня из 60 ферромагнитного материала, закрепленного в корпусе вблизи анодов.

На фиг. 1 представлена схема устройства",на фиг.2 — схема осуществ-, ления способа. 65

Устройство содержит газоразрядную ячейку с корпусом 1, установленные в корпусе электроды — штыревой катод

2 и два линейно протяженных дифферен- циально соединенные анода 3 и 4.

Вблизи анодов 3 и 4 размещен магнитный концентратор в виде стержня 5 из ферромагнитного материала. Электроды служат для получения необходимого разряда, посредством которого над поверхностью намагниченного изделия б с дефектом 7 создают токонесущий слой 8 плазмы. Иежду штыревым катодом 2 и анодами 3 и 4 подключены соединенные последовательно блок 9 питания и ограничивающий разрядный ток ip резистор 10. 1< анодам 3 и 4 подключены резисторы 11 и 12, которые являются наружными плечами измерительного моста (два внутренних плеча измерительного моста образуют разрядный промежуток в газоразрядной ячейке ). Таким образом, линейно протяженные дифференциальные аноды

3 и 4 одновременно выполняют две функции: они служат для получения необходимого разряда в гаэоразрядной ячейке и для измерения распределительных в нем токов. Раэностный ток в диагонали моста регистрируется с помощью индикатора 13. В разрядном промежутке около дифференциально соединенных анодов 3 и 4 размещается магнитный концентратор магнитного по-ля, образуя локализованный участок

14 с более высокой магнитной проводимостью.

Способ реализуется следующим образом.

В газоразрядной ячейке с помощью блока 9 питания создается токонесущий слой 8 плазмы, который распределяется между электродами. Для измерения магнитных потоков рассеяния газоразрядная ячейка устанавливается так, что слой 8 плазмы параллелен поверхности .намагниченного изделия 6, а магнитный концентратор магнитного поля находится над поверхностью намагниченного изделия 6 со слоем 8 плазмы.

Перемещая ячейку с плазмой над поверхностью намагниченного изделия 6 в направлении х улавливают магнитные потоки рассеяния изделия б от дефекта 7, которые воздействуют на токонесущий слой 8 плазмы в ячейке по нормали к нему. Под воздействием магнитных потоков рассеяния заряженные частицы в плазме смещаются относительно дифференциально смонтиро.ванных анодов 3 и 4. Это приводит к -перераспределению плотности токов „и 2 на магнитопроводящем локализо-. ванном участке 14, где расположены аноды 3 и 4. По отношению к электродам магнитный поток рассеяния, сконцентрированный концентратором и деформи-, 1010534

Составитель A.Áîäðîý

Редактор Г.Безвершенко Техред И.Гайду Корректор Е.Рошко

Заказ 2479/33 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, i(-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 руемый при смещении изделия, пронизывает плазму ассиметрично.

- Вследствие этого происходит такое же перераспределение разрядных токов в цепи резисторов 10 и 11.

В результате, в диагонали мостовой схемы возникает токд раэбаланса, который регистрируют индикатором 13.

По .величине тока Cii судят о величине магнитных потоков рассеяния и о ха1 рактере и местоположении дефектов в материале иэделия б.

Изобретение позволяет получить более высокий уровень разрешающей

5 способности при выявлении локальных,эон структурной неоднородности и дефектов (в том числе `одповерхностных ) с малым раскрытием и глубиной.