Способ определения коэффициента затухания ультразвука в слое вещества
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАТУХАНИЯ УЛЬТРАЗВУКА В СЛОВ ВЕЩЕСТВА, заключающийся в , что размещают на его поверхности слой эталонной среды, вводят ультразвуковой Импульс со сторО1Ш слоя вещества, измеряют амплитуду отраженного от свободной поверхности эталонного слоя ультразвукового импу шса и учитывают амплитуду по определении коэффициента затухания ультразвука, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с йелью расширения технологических возможностей, перед вводом ультразвукового и шульса размвцают между точкой ввода ультразвукового импульса и слоем вещества дополнительный слой эталонной среды, измеряют амплитуду отраженных от границ слоя вещества с аталонньми слоями ультразвуковых импульсов, а коэффнциент затухания ультразвука опр целяют из соотношения (-t ,hJ4 .. cL козффициен затухания ультгде 1 звука в слое веп ства; cL - коэффициент затухания эталонной среды; в - толцина слоя веществау g - толщ;-на дополнительного слоя эталонной среды; Bjt - -толщина основного слоя эталонной среды; Ч, амплитуда отраженного от гранишь слоя вещества с дополнительным слоем эталонной среды ультразвукового импульса; . о. амплитуда отраженного от границы слоя вещества с основным слоем эталонной среды ультразвукового импульса; IND и. амплитуда отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя 10 ультразвукового импульса. со
СОЮЗ ООЮЕТОНИ)(ООЦИАЛИОТИЧЕСКИХ
РКМЗУБЛИН
„„SU„„1012123 .. А
3(59 В 01 И 29/00
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ОООР
fI0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ !
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (21) 2927505/25-28 (22) 20 ° 05.80 (46) 15.04.83. Вюл. Р 14 (72) И.A.Ìóëÿð (7l) Донской ордена ТрудовЬго Красного Знамени селъскохозяйственный институт (53) 620.179.16(088.8) (56) 1. Колесников A.E. Ультразвуковые измерения, М., Издательство Стандартов, 1970, с.110-111 (прототип). импулъсов, а коэффициент затухания ультразвука определяют из соотношения а- ф, .с„(+)», -фри) ф где
Ct е
ej е н»»то»сна»а с»ид»твъ»»в» (54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАТУХАНИЯ УЛЬТРАЗВУКА В СЛОЕ
ВЕЩЕСТВА, захлючакщийся в том, что размещают на его поверхности слой эталонной среды, вводят ультразвуковой импульс со стороны слоя ве" щества, измеряют амплитуду отраженного от свободной поверхности эта» лонного слоя ультразвукового импульса и учитывают амплитуду по определении коэффициента затухания ультразвука, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью. расширения технологических возможностей, перед вводом ультразвукового импульса размещают между точкой ввода ультразвукового импульса и слоем вещества дополнительный слой эталонной среды, измеряют амплитуду отраженных от границ слоя вещества с эталонными слоями ультразвуковых — коэффициент затухания ультразвука в слое веществами
- коэффициент затухания эталонной среды»
- толщина слоя веществау
- Tomp:.Hà дополнительного слоя эталонной средыу
- толщина основного слоя эталонной средыу
- амплитуда отраженного от границы слоя веществе с дополнительньаа слоем эталонной среды ультразвукового импульсау
- амплитуда отраженного от границы слоя вещества с основным слоем эталонной среды улътразвукового импульсау
Ъ
- амплитуда отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя ультразвукового импульса.
1О12123
35 щения
Составитель P.Âîñêàíÿí
Техред К.Мыцьо
Редактор М.Товтин
Корректор О. Билак.
Заказ 2751/54 Тираж 871
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к ультра- звуковому контролю и может быть использовано для измерения коэффициента затухания ультразвука в биологических материалах.
Известен способ определения коэффициента затухания ультразвука в слое вещества, заключакщийся в том, что размещают на его поверхности слой эталонной среды, вводят ультразвуковой импульс со стороны слоя вещества, измеряют амплитуду отраженного от свободной поверхности эталонного слоя ультразвукового импульса н учитывают амплитуду при определении коэффициента затухания ультразвука р11.
Однако этот способ характеризуется недостаточно широкими техно-. логическими возможностями, обусловленными невозможностью определе ння с его помощью коэффициента зату" хания ультразвука в слое не жидкого вещества.
Целью изобретения является расширение технологических возможностей.
Цель достигается тем, что в способе определения коэФФициента затухания ультразвука в слое вещества перед вводом ультразвукового импульса размещают между точкой ввода ультразвукового импульса и слоем вещества дополнительный слой эталонной среды, измеряют амплитуды отраженных от границ слоя вещества с эталонньии слоями ультразвуковых импульсов, а коэффициент затухания ультразвука определяют из соотнеае А Жи(цф
+ф(ц)едри(м -фе ри„ g2(,: где g — коэффициент затухания ультразвука в слое веществау с »- коэффициент затухания эталонной среды!. толщина слоя веществау
К„ - толщина дополнительного слоя эталонной средыу
В - толщина основного слоя.
S- эталонной среды
U - амплитуда отраженного от границы слоя вещества с дополнительньи слоем эталонной среды ультразвукового импульсау
0 - амплитуда отраженного от границы слоя вещества с основньм слоем эталонной сре» ды ультразвукового импульсаю
U - амплитуда отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя ультразвукового импульса.
Сущность способа определения коэф20. Фициента затухания ультразвука в слое вещества заключается в следующем.
Размещают слой вещества между основньм и дополнительно слоями эта25 лонной среди, вводят ультразвуковой импульс со стороны дополнительного слоя эталонной среды, измеряют амплитуды отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя, от30 раженных от границ слоя вещества с эталонными слоями ультразвуковых им пульсов, а коэффициент затуханйя ультразвука в слое вещества определяют из соотношения
Таким образом, благодаря измерению амплитуд отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя, отраженных от границ слоя вещества
45 с эталоннняи слоями ультразвуковых импульсов, исключается необходимость изменения толяины слоя вещества и, тем;самьаа, расширяются технологические возможности.
