Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, образо ,вании между струнами зева, уклады СЕСиЮЗШ . j .-.Л;1/ .-Г / вании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, частичном сведении зева, последовательном опускании струн зоны плетения частично сведенного зева в плоскость их нейтрального положения и одновременном формовании струнами провода в направлении его свободного конца, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления запоминающих матриц,- после опускания струн в плоскость их нейтрального положения и формования провода удерживают струны в данном положении, фиксируют струнами сформованный провод и закрывают зев, после чего отпускают струны. (Л с 00 Од

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

9fSD G 11 С 5 02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГГИЙ (21) 33466 37/18-24 (22) 15.10.81 (46) 07.05.83 . Бюл. Р 17 (72) И.Д. Довбий, И.И. Виксман, Е.Е. Баяндуров и Л.Т.Лысый (53) 681.327.66(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 474842, кл. С 11 С 5/02, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

9 489153, кл. G 11 С 5/02, 1975 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, образовании между струнами зева, уклады„„Я0„„1016831 A вании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, частичном сведении зева, последовательном опускании струн зоны плетения частично сведенного зева в плоскость их нейтрального положения и одновремен-ном формовании струнами провода в направлении его свободного конца, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления запоминающих матриц, после опускания струн в плоскость их нейтрального положения и формования провода удерживают струны в данном положении, фиксируют струнами сформованный провод и закрывают эев, после чего отпускают струны. 9

1016831

ow последовательно опускаются в полость их нейтрального положения в порядке расположения в направлении свободного конца провода и одновре° менно формуют провод. После прохождения роликом струны она опускается им к возвращается в исходное положение частично сведенного зева. После формования провода всеми струнами зев закрывают. В результате прокат-.

10 ки роликом струн провод принимает волнообразную форму. Длина полученных пслуволн. зависит от угла прокладывания в зеве числового провода относительно струн, величина которо 5 го определяется диаметром струн их количеством и шагом между ними 2 ).

Недостатком известного способа является то, что с увеличением количества струн, уменьшением их диаметра и шага между ними необходимо увеличивать угол прокладывания про. вода в зеве относительно струн и его длину.

Кроме того, при опускании струн роликом и возвращении их в исходное положение частично сведенного зева отформованные полуволны провода ничем не фиксируются и смещаются как относительно плоскости его формовки, так и в направлении его формовки.

В результате этого при закрывании зева после формовки провода всеми струнами происходит его переформирование с нарушением равномерности размеров полуволн.

35 Это не обеспечивает необходимой точности размеров числовых обмоток Матриц при их плетении, приводит к снижению их качества и надежности.

Цель изобретения — повышение точ-

40 ности изготовления запоминающих матриц.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП, основан4 ному на натяжении технологических струн, образовании между струнами зева, укладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, частичном сведении зева, последовательном опускании струн эоны плетения частично сведенного зева в плоскость их нейтрального положения и одновременном формовании струнами провода в направлении его свободного конца, после опускания струн в полость их нейтрального положения и формования провода удерживают струны в данном положении, фиксируют струнами сформованный провод и закрывают зев, после чего отпускают струны.

60 На фиг. 1 изображено устройство

Изобретение относится к вычисли. тельной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических маг нитных пленках (ЦМП ) методом ткачест ва.

Известен способ изготовления эапо минающих матркц на ЦМП, основанный на натяжении технологических струн на раме ткацкого станка, образовании зева между струнами, прокладывании проводника адресной обмотки в зев под углом к струнам, закрывании зева, последовательном формировании проводника струнами с втягиванием его свободного конца, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам.при закрытом зеве, перемещении технологических струн, отделе нии адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн растягиванием за противоположные концы до разрыва (13.

Недостатком указанного способа является то, что с увеличением числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними уменьшаются интервалы сближения струн с формуемым ими проводником. Это вызывает необходимость увеличения угла прокладывания провода и его длины в зеве и приводит к деформациям сформованных полувитков адресных обмоток при перемещении их по струнам в закрытом зеве, изменению их формы и размеров, отклонению маги.- тных и электричес- ких параметров амплитуды магнитного поля, величины выходного сигнала, помех и др.1 .

Таким образом, этот способ не обеспечивает достаточной точности размеров и качества плетения адресных обмоток матриц различных типоразмеров при их изготовлении.

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления запоминающих матриц на ЦМП, который основан на натяжении технологических струн, образовании между Струнами зева, укладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, . сведении зева до касания струнами провода, последовательном,ормовании провода прокатыванием ролика по струнам под углом к проводу в направлении его свободного конца, закрывании зева, перемещении сформованного провода к числовым обмоткам и отделении.их от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн.

Согласно известному способу формовку провода числовой обмотки осуществляют прокатыванием ролика по струнам под углом к проводу в направлении его свободного конца. В результате прокатки роликом струн

Ф для изготовления запоминающих матриц на ЦМП, общий вид; на фиг. 2 — то .же, вид сверху в момент опускания струн в плоскость их нейтрального положения и формования струнами про101 б 831

47uê Г вода; на фиг. 3 — разрез А-А на .фиг. 2.

Устройство для изготовления запоминающих матриц на ЦМП содержит (фиг. 1) технологические струны 1, вплетаемый в них провод 2 числовых обмоток 3, толкатели 4 и 5, штанги б и 7, прижим 8, .упор 9 и челнок 10.

В соответствии с предлагаемым способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим образом.

В образованный между технологическими струнами 1 зев прокладывают челноком 10 и под углом к струнам провод 2 и частично сводят зев на величину касания струнами 1 провода .2, а под струны 1 подводят упор 9.

Движением штанги б в направлении свободного конца провода 2, т.е. в направлении челнока 10, последовательно перемещают вертикально вниз к струнам 1 толкатели 4, каждым иэ которых опускают в плоскость нейтрального положения струн соответствующую ему струну 1 и одновременно формуют струной 1 провод 2, в результате чего провод 2 принимает волнообразную форму (фиг. 2 ). После. формования провода 2 всеми струнами

1 удерживают их толкателями 4 в плоскости нейтрального положения и закрывают зев. Затем движением штанги б в направлении от челнока 10 перемещают толкатели 4 вертикально вверх, отпускают струны 1 и возвращают толкатели в исходное положение.

Затем упор 9 отводят от струн 1, сформованный струнами 1 провод 2 подбивают к сплетенным обмоткам 3, разводят прижимы 8 и .выводят вплетенный в струны 1 провод 2 из зоны 40 плетения.

После этого прижимы 8 сводят, про-. изводят очередное образование между струнами 1 зева, .в которнй челноком

10 в противоположном направлении .4 прокладывают провод 2, частично сводят зев на величину касания струнами 1 провода 2, подводят под струны

1 упор 9, движением штанги 7 в направлении-свободного конца провода

2 последовательно перемещают вертикально вниз к струнам 1 толкатели 5, каждым иэ которых опускают в плоскость нейтрального положения струн соответствующую ему струну 1 и одновременно формируют струной провод 2.

После формования провода 2 всеми струнамы 1 удерживают их толкателями

4 в плоскости нейтрального положе" ния и закрывают зев. Затем движением штанги .7 в противоположном направлении перемещают толкатели 5 вертикально вверх. отпускают струны 1 и возвращают толкатели 5 в исходное положение. В дальнейшем все операции плетения обмоток матриц повторяют.

П р И м е р. Предлагаемый способ опробывают для плетения обмоток

20-разрядной, 32-числовой матрицы.

Диаметр технологических струн выбирают 0,2 мму шаг между струнами принимают равным 0,5 мм. Диаметр провода числовых обмоток выбирают равным

0,08 мм; марку провода выбирают

ПЭВТЛК.. Каждая обмотка содержит б витков Провода. Между числовыми обмотками вплетают по 3 витка магнитного кипера. На концах матрицы сплетают по 10 витков балластных обмоток.

Контроль плетения обмоток осуществляют визуально с применением лупы восьмикратного увеличения..

В результате получают числовые обмотки матрицы с одинаковыми полувитками в соленоидах, беэ обрывов проводов, нарушения его изоляции, а плетение полотна числовых обмоток не имеет деформированных участков, что говорит о повышении точности изготовления запоминающих матриц на

ЦМП.

ВНИИПИ Заказ 3393/ 50

Тираж 594 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,ул.Проектная,4

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх