Реверсивный генератор
РЕВЕРСИВНЫЙ ГЕНЕРАТОР, содфжаший делитель напряжения, включенный между шинами питания, первый транзистор, база которого соединена со средней точкой делителя напряжения, а эмиттер через первый резистор - с одной ишнрй шгганин, второй транзистор, эмиттер которого соединен с другой шиной питания , база - с коллектором первого транзистора , а коллектор - с первым выводом второго резистора, третий транзистор , база которого через резистор соединена с выводом конденсатора, транзистор, эмиттер которого через третий резистор соединен с базой третьего, пятый транзистор и четвертый резистор, отличающийся там, что, с целью, повышения КПД устройства и расширения его функциональных возможностей , в него введен шестой транзисчюр, эмиттер которого соединен с ищной пи-тания , база - с вторьпл выводом второго резистора и через пятый резистор с отрицательной шиной питания, а коллекторс базой четвертого транзистора и шестой резисгор с положи- . тельной, шиной питания, и два диода, шун-, тирукяцие базо-эмщт рные переходы четвертого и пятого транзисторов во встречном направлении, причем эмиттер , третьего транзистора соединен с базой, а (Л коллектор - с эмиттером Первого транзистора , коллектор второго транзистора через четвертый резистор соединен с вторым выводом конденсатора, коллектор четвертого транзистора соединен с положительной шиной питания, коллектор пятого - с отрицательной, а его база - с коллектором второго транзистора.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
М ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2995848/18-21 (22) 22,10.80 (46) 30.06.83. Бюл. Мо 24 (72) В. И. Турченков (53) 621.344.33(088,8). (56) 1. Справочник по импульсной технике. Под ред, B. Н. Яковлева, М,. Техника",:l972, с. 231, рис. 6.X.
2. Авторское свидетельство СССР
_#_y 644029, Н 03 К 3/28, 12.10.77. (54) (57) PEBEPCHBHbIA ГЕНЕРАТОР, содержащий делитель напряжения, включенный между шинами питания, первый транзистор, база которого соединена со средней точкой делителя напряжения, а эмиттер через первый резистор - с одной шиной питания, второй транзистор, эмиттер которого соединен с другой шиной питания, база — с коллектором первого транзистора, а коллектор — с первым выводом второго резистора, третий транзистор, база которого через резистор соединена с первым выводом конденсатора, четвертый транзистор, эмиттер которого
„„SU„„1026286 A через третий резистор соединен с базой третьего, пятый транзистор и четвертый резистор, отличающийся тем, что, с целью повышения КПЙ устройства и расширения его функциональных возможностей, в него введен шестой транзистор, эмиттер которого соединен с шиной пи-- тания, база — с вторым выводом второго резистора и через пятый резистор с отрицательной шиной питания, а коллектор с базой четвертого транзистора и че рез шестой резистор с положи- .. тельной. шиной питания, и два диода, шун-, тирукяцие баэо-эмиттерные переходы четвертого и пятого транзисторов во встречном направлении, причем эмиттер, - д третьего транзистора соединен с базой, а Е коллектор. - с эмиттером первого транзистора, коллектор второго транзистора через четвертый резистор соединен с вто- С» рым выводом конденсатора, коллектор четвертого транзистора соединен с положительной шиной питания, коллектор пятого - с отрицательной, а его база - с коллектором второго транзвстора.
1 1 026286 2
Изобретение относится к импульсным торого соединен с шиной питания, базагенераторам .и может быть использовано с вторым выводом второго резистора и в устройствах автоматики и элехтропи- через пятый резистор с отрицательной тания устройств в качестве преобразо- шиной питания, а коллектор — с базой вателя напряжения. 5 четвертого транзистора и через шестой
Известен несимметричный мультивибра. Резистор с положительной шиной питания, тор на двух транзисторах с эмиттерной ° и два диода, шунтирующие баэо-эмиттервремяэадакщей цепью (1 j ные переходы четвертого и пятого транК недостаткам мультивибратора можно зисторов во встречном направлении, приотнести малый КПЙ и большую скваж-. !0 чем эмиттер третьего транзистора соединость формируемых импульсов. нен с базой, а коллектор — с эмиттером
Наиболее близким по технической сущ- . первого транзйстора, коллектор второго ности к предлагаемому является генера- транзистора через четвертый резистор тор импульсов, содержащий делитель нап- соединен с вторым выводом конденсатора, ряжения, включенный между шинами пита- 5 коллектор четвертого транзистора соедииия, первый транзистор, база которого нен с положительной шиной питания, кол-, соединена со средней точхой делителя лектор пятого — с отрицательной, а его напряжения, а эмиттер через первый ре- база - с коллектором второго транзистора., зистор — с одной шиной питания, второй На чертеже приведена схема ревертранзистор, эмиттер которого соединен 20 сивного генератора. с другой шиной питания, база - с коллекто- Он содержит источник 1 питания, транЪ ром первого транзистора, а коллектор - зисторы 2-7, конденсатор 8, диоды 9 и с первым выводом второго резистора, 10, делитель напряжения на резисторах третий транзистор, база хоторого через 11 и 12, резисторы 13 и L8 и нагрузрезистор соединена с первым выводом 25 ку 19. конденсатора, четвертый транзистор, Генератор работает следующим обраэмиттер которого через третий резистоР зом. соединен с базой третьего, пятый тран- После подачи напряжения питания от зистор и четвертый резистор P2$. источника 1 током заряда конденсатора 8
Недостаток известного генератора - 30 транзистор 4 насыщают, запирая транзисмалый КПЙ, а также невозможность ре- торы 2, 3, 6 и 7, Транзисторы 5 и 6 версирования напряжения на нагрузке, что отпираютинагрузка19 подключается к не позволяет использовать его, HaapHMept шинам питания, причем левым выводом к в качестве преобразователя напряжения в . положительной шине,(согласно чертежу). устройствах 9JIeKTpoHHTQHKB, 35 Заряд ко нде нс ат ора 8 ид ет по цепи "+"
Оель изобретения — повышение КПД питания — транзистор 5 резистор 15 . и расширение фую циональных BOGMO3cRQc и параллельно включенные им резистор l 1. тей устройства путем реализации устройст" базо-емиттерный переход транзистора 4-кон. ва, обеспечивающего формирование разно- денсатор8-резисторы 14и Х7-"- питаполярных импульсов на нагрузке при ис.40 „ния. В конце заряда конденсатора 8 попользовании одного источника питани тенциал базы транзистора 4 приближаетПоставленная цель достигаетея тем ся х величине, задаваемой делителем на что в реверсивный генератор, содержащий резисторах 11 и 12, и транзистор выделитель напряжения, включенный между ходит из насыщения, Транзисторы 2 и 3 шинами питания, первый транзистор, база 45 открываиися и благодаря наличию полокоторого соединена со средней точкой жительной обратной связи через ределителя напряжения, а эмиттер через .эистор 16 и конденсатор 8 происходит первый резистор - с одной шиной питания релаксационный процесс, в результате второй транзистор эмиттер хоторого которого транзисторы 3 и 7 насыщаются, соединен с другой шиной питания ба- а транзисторы 4 6 оказываются закры- за-сколлектором первого транзистора t тыми. Полярность напряжвния на нагруза коллехтор — с первым выводом второго ке 19меняют, посколькуона оказывается резистора, третий транзистор, база ico- подключенной к шинам питания по цепи трантоРого через Резистор соединена с пер- .эистор 3 - диод 9 транзистор 7 вым .выводом конденсатора, четвертый транзистор, эмиттер которого через тре- Начинают процесс перезарядки конден55 тий резистор соединен с базой третьего, сатора 8 по цепи + питания — транпятый транзистор и четвертый резистор, зистор 3 - резистор 16 - резистор 15введены шестой транзистор, эмиттер ко- диод 9 - транзистор 7 - - питания.
Составитель С. Агеев
Редактор А, Курах Техред М,- Тенер Корректор Ю. Макаренко
Заказ 4575/48 Тираж 936 . Подписное
ВНИИПИ Госч арственного комитета СССР по делам изобретений g открытий
113035, Москва, Ж 335, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, .4
3 1
В процессе перезаряда потенциал базы транзистора 4 меняютот Е + Vy до фу
:где / - потенциал, задаваемый делите лем на резисторах ll и l2, B конце перезаряда транзистор. 4 опять отпирают, происходит обратный релаксационный процесс, после. которого транзисторы 2„
026286 4. е
3 и 7 окаэы ваются запертыми, а 4-6 от, крытыми. 3Ьлее процессы повторщбтся.
ПреимуШествами предлагаемого устроено ва являются получение определенной фа.зы генерации или подаче напряжения питания и большая нагрузная способность.
