Реверсивный мультивибратор

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А (19) (11) ;КО)) Н 03 К 3/281.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2937382/18-21 (22) 09,06.80, (46) 30.06,83, Бюл, % 24 (72) B. И, Турченков

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (53) 621,374,5(088.8) (56) 1. Справочник по импульсной технике, Под ред. В. Н. Яковлева, Mö "Тех- ника, 1972, с. 207, рис, 5 L.

2. Авторское свидетельство СССР

% 399050, кл, Н 03 К 3/283

4. 2.07,7 1. (54) (57) РЕВЕРС ИВНЫЙ МУЛ-)ТИВИБРАТОР, содержаший первый и второй транзисторы, эмиттеры которых соединены с одной шиной питания, третий и четвертый транзисторы противоположного типа проводимости, эмиттеры которых соединены с другой шиной. питания, колшжторы - с коллекторами соответственно первого и второго транзисторов, а базы — с первыми выводами параллельно соединенных резисторов и конденсаторов, и два резис- тора, отличающийся тем, что, с делью увеличения КПД, в него дополнительно введены пятый и шестой транзисторы, коллекторы которых соединены с базами первого и второго транзисторов соответственно, базы через резисторыс коллекторами первого и второго транзисторов, а эмиттеры - с вторыми выводами параллельно с оединенньис конденса-, торов. и резисторов противоположного д плеча. е

3.026289

ВНИИПИ . Заказ 4575/48 Тираж 936 Подписное

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к генераторам прямоугольных импульсов и может быть использовано в устройствах автомат жи и импульсной . техники.

Известен мультивибратор на двух транзисторах с коллекторно-базовыми связями 513.

Недостатком указанного устройства является низкий 1 ПЙ из-уа паразитного расхода мощности на коллекторных резисторахе

Известен также мультивибратор, содержащий первый и второй транзисторы, емиттеры которых соединены с одной шиной питания базы - через резисторы с шиной питания и через конденсаторы с коллекторами транзисторов противоположного плеча, и третий и четвертый транзисторы противоположного типа проводимости, амиттеры которых соединены с другой шиной питания, коллекторы — с коллекторами соответственно первого ,и второго транзисторов, а базы через параллельно соединенные конденсаторы и резисторы - с коллекторами транзисторов противоположного плеча $2(.

Банное устройство также обладает недостаточно. высоким КПИ, что связано с дополнительным расходом мощности на резисторах и базовых цепях первого и второго транзисторов.

Цель изобретения - повышение КПД устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в реверсивный мультивибратор, содержащий первый и второй транзисторы, .емиттеры которых соединены с одной шиной питания, третий и четвертьЮ транзисторы противоположного типа проводимости, емиттеры которых соединены с другой шиной питания, коллекторыс коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а базы - с первыми выводами параллельно соединенных резисторов и конденсаторов, и два резистора, введены пятый и шестой транзисторы, коллекторы которых соединены с базами первого и второго транзисторов соответственно, базы через резисторы с коллекторами первого и второго транзжторов, а емиттеры — с вторыми выводами параллельно соединенных резисторов и конденсаторов противоположного плеча, На чертеже представлена схема ревер-, 1 сивного мультивибратора.

Мультивибратор. содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 транзисторы, конденсаторы 5.и 6, соединенные параллельно с резисторами 7 и 8, резисторы 9 и 10, включенные в базовые цепи пятого 11ишестого 12 транзисторов.

B работе устройства основную роль играют регенеративные ключи, образованные трйнзисторами 1, 11 и 2, 12, Предположим, что транзистор 1 открыт и насыщен.

При этом за счет обратной связи через резистор 9 коллекторным током транзистора 11 он поддерживается в таком состоянии. Транзистор. 4 также открьг и насыщен. В результате к транзистору 4прикладывается практически все напря жение питания. Происходит заряд конденсатора

6 по цепи база транзистора 1 - коллекторно-эмиттерный переход, транзистора 11 конденсатор 6 - база транзистора 4. Ско? рость заряда при атом задается резистором 9, определяющим эмиттерный ток транзистора 11, Транзисторы 2,3 и 12 в ето время нахопятся в закрытом состоянии за счет напряжения, накопленно- ;.

ЗЕ го в предыдущем цикле работы на конден-. саторе 5. Последний при етом разряжается через резистор 7. Величины резисторов 9 и 7 подобраны так, что за время заряда конденсатора 6 конденсатор

5 успевает разряпитьс;я.

После заряпа конпенсатора 6 ток ба- зы . транзисторов 1 и 4 бупет задаваться резистором 8, транзисторы выходят из насьпрения. При етом потенциал .базы трап, 4 зистора 12 становится выше потенциала его емиттера, срабатывает регенератив ный ключ на транзисторах 2 и:L2, переводя транзисторы 2 и 3 в насыщение, что в свою очередь вызывает запирание

45 транзисторов 1, 4 и 11. Йалее процессы идут аналогично описанному выше.

Поскольку в каждый полупериод работы устройства к источнику питания подключается базовая цепь лишь одного тран50 зистора 1 или 2, общая потребляемая мощность уменьшается, что и ведет к ру КПД.