Устройство сканирования микроволнового поля

 

УСТРОЙСТВО СКАНИРОВАНИЯ МИКРОВОЛНОВОГО ПОЛЯ, содержащее электронно-лучевую трубку, снабженную системой отклонения электронного луча, и приемник излучения,размещенный перед экраном электронно-лучевой трубки, отличающеес я тем, что, с целью повышения разрешающей способности и быстродействия устройства, экран электроннолучевой трубки выполнен в виде полупроводниковой пластины, внутренняя поверхность которой металлизирована, а на внешней расположен слой диэлектрика . (Л 5.

СОЮЗ COBETCHHX

- СОЦИАЛИСТИЧЕОКИХ

РЕСПУБЛИК ()9) ())) %5!) G 01 R 29 08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABT0PCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТБЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3421200/18-09 (22) 07.04.82 (46) 23 ° 07.83, Вюл. Р 27 (72) В.Е.Чайковский, В.Н.Иванов, А,Ф.Сидоркин и )0.С.Обтемперанский, (71) Воронежский государственный университет и Ярославский государственный университет (53) 621.317.32 (088.8) (56) 1. Голография. Методы и àïïàратура. Под ред. В.М.Гинзбурга и Б.N.Ñòåïàíîéà, И., "Советское радио", 1974, с. 77-81.

2. Левин В.С. и др. Система видения миллиметрового диапазона для работы в любых метеорологических условиях.-"Электроника", 1970, Р 17, с. 16-23 (прототип) . (54) (57) УСТРОЙСТВО СКАНИРОВАНИЯ

МИКРОВОЛНОВОГО ПОЛЯ, содержащее электронно-лучевую трубку, снабженную системой отклонения электронного луча, и приемник излучения,размеценный перед экраном электронно-лучевой трубки, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения разрешающей способности и быстродействия устройства, экран электроннолучевой трубки выполнен в виде полупроводниковой пластины, внутренняя поверхность которой металлизирована, а на внешней расположен слой диэлектрика.

1030745

Составитель В . Досов

Редактор Н.Лазаренко Техред А. дч Корректор Г. Огар

Заказ 5206/46 Тираж 710 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент"„ г. Ужгород, ул„ Проектная, 4.Изобретение относится к радиотехнике, а именно к устройствам исследования распределений электромагнит»ого поля, и может быть использовано в радиоголографии и антенных измерениях

Известно устройство сканироваиия микроволнового поля, содержащее полу. проводниконую пластину, источник света, снабженный системой фокусировки и сканирования светового луча, прием-10 ник излучения (11.

Однако устройство обеспечивает малую модуляцию переизлученного г<оля.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является уст-)5 ройство сканирования микроволнового поля, содержащее электронно-лучевую трубку, снабженную системой отклонения электронного луча, и приемник излучения, расположенный перед экраном электроннр-лучевой трубки P2), Однако известное устройство имеет низкую .разрешающую способность и быстродействие.

Цель изобретения — повышение раз.решающей способности и быстродействия устройства.

Цель достигается тем, что в устройстве сканирования микроволновсго поля, содержащем электронно-лучевую трубку, снабженную системой отклонения электронного луча, и приемник излучения, размещенный перед экраном электронно-лучевой трубки, эк ран электронно-лучевой трубКИ выПОлнен в виде полупроводниковой пластины, ннутренняя поверхность которой металлизирована, а на внешней расположен слой диэлектрика.

На чертеже приведена конструкция устрс>йства.

Устройство сканирования микроволнового поля содержит электроннолучевую трубку 1, систему 2 отклонения электронного луча, приемник излучения 3, полупроводниковую пластину 4, слой 5 металла и слой б диэлектрика.

Устройство работает следующим образом.

В исследуемую область поля помещают экран электронно-лучевой трубки 1. При сканировании электронного луча н полупроводниковой пластине 4 возникает локальное изменение проводимости, что, в свою очередь, обуславливает локальное увеличение отражательной способности структуры (полупроводниковая пластина 4, слой

5 металла и слой б диэлектрика) н области фокусировки электронного пу ка. Исследуемое поле переизлучается этой областью и регистрируется приемником 3 излучения. Выполнение экрана в виде структуры (полупроводниковая пластина 4, слой 5 металла и слой б диэлектрика) при нысоких ее отражающих свойствах воз- можно при толщине полупроводниковой пластины 4, !сравнимых с диффузионной длиной неравновесных носйтелей заряда в полупроводнике. Поэтому при сканировании электронного луча может быть обеспечена максимальная скорость рекомбинации носителей в области фокусировки электронного пучка, что понышает быстродействие устройства и пространственное разрешение.Наряду с повышением разрешающей способности и быстродействия устрой.ствО имеет высокую виброустойчивость, а из-за защищенности полупроводниковой гластины 4 слоем 6 дизлек. трика повышается его надежность.