Электронный ключ-разрядник для емкостных цепей

 

СООЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБЛИН

3(Я) Н 03 К 17/б г

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТЙРЬГГИЙ (21 ) 3301353/18-21 (22) 11.06.81 (46) 23.07.83. Бюл. Р 27 !

72) Б.И.Строцкий (71.) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова (53) 621.382(088.8) (56) 1."Приборы и системы управления", 1975, М 11, с. 26.

2. Авторское свидетельство СССР

9 371684 кл Н 03 К 17/10 29 11 71г (54)(57) ЭЛЕктроннцй КЛЮЧ-рлЗрядниК

ДЛЯ КИКОСТНЫХ ЦКПКа, сод<@жа и „„= позиционный переклЬчатель и ЯДП-тран зистор, . исток и сток которого соединены соответственно с входой и выход..SU„„I 030968 А ной шинами устройства, входы двух" позиционного переключателя соединены с шинами источника питания,,а управляющий вход двухпозиционного переключателя подключен .к управляющей шине: устройетва, о т л.и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения быстродей ствия, в него введены первый и этр- . рой резисторы, конденсатор и диод,первый резистор и конденсатор соеди- нены параллельно и включены между выходом двухпозиционного переключа теля и затвором ИЦП-транзистора, а второй резистор и диод соединены последовательно и включены между затвором 5ggI-транзистора и общей шиной.

1030968 ной 8 шинами устройства. Входные шины 9 и 10 двухпозиционного переключателя 2 соединены с шинами 11 и

12 источника питания, управляющий вход 13 двухпозиционного переключа5 теля 2 соединен с управляющей шиной 14 устройства, а выход 15 двухпоэиционного переключателя 2 через параллельно соединенные первый резистор 3 и,конденсатор 5 подключен к 0 затвору МДП-транзистора 1.

Устройство функционирует следующим образом.

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к электронной коммутационной технике, и может быть использовано, например, при построении систем сбора измери-, тельной информацмм и аналоговых вычислительных машин.

Известен электронный ключ, содержащий МДП-транзистор, последовательно включенный в коммутируемую цепь, затвор МДП-транзистора соединен с управляющей шиной устройства j1 ).

Недостатком устройства является низкое быстродействие.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и схемной реализации является электронный ключ-разрядник для емкостных цепей, содержащий двухпоэиционный переклю.- . чатель и МДП-транзистор, исток и сток которого соединены соответственно с входной и выходной шинами устройства 20 входы двухпозиционного переключателя соединены с шинами источника питания, а управляющий вход двухпозиционного переключателя подключен к управляющей шине устройства f2 j.

Однако устройство имеет низкое быстродействие. Это обусловлено высоким значением сопротивления

МДП-транзистора в открытом состоянии, что ведет к затягиванию процессов ; 30 переэаряда в коммутируемой емкостной цепи.

Цель изобретения - повышение быстродействия.

Поставленная цель достигается тем, что в электронный ключ-разрядник для емкостных цепей, содержащий двухпозиционный переключатель и МДП-тран-. зистор, исток и сток которого. соединены соответственно с входной и с 40 выходной шинами устройства, входы двухпозиционного переключателя соединены с шинами источника питания, а управляющий вход двухпозиционного переключателя подключен к управляющей шине устройства, введены первый: и второй резисторы, конденсатор и диод, первый резистор и конденсатор соединены параллельно и включены между выходом двухпоэиционного переключателя и затвором МДН-транзистора а второй резистор и диод соединены последовательно и включены между затвором МДП-транзистора и общей шиной.

На чертеже приведена принципиаль. ная схема устройства.

Электонный ключ-разрядник для емкостиых цепей содержит МДП-транзистор 1,. двухпозиционный переключатель 2, первый 3 и второй 4 резис" .торы, конденсатор 5 и диод 6. Исток, и сток МДП-транзистора 1 соединены соответственно с входной 7 и с выходВ исходном состоянии на управляющей шине 14 устройства присутствует сигнал высокого уровня и на выход 15 двухпозиционного переключателя 2 поступает сигнал с его входной шины 9, т.е. положительное напряжение с шины 11 источника питания. С резистивного делителя напряжения, образованного первым 3 и вторым 4 резисторами, часть этого напряжения поступает на затвор

ЩП-транзистора 1 и обеспечивает ,запертое состояние этого МДП-транзистора ° Входная 7 и выходная 8 шины устройства в этом случае разомкнуты.

Конденсатор 5 заряжен до напряжения, равного падению напряжения на первом резисторе 3.

Когда на управляющую шину 14 устройства приходит сигнал низкого уровня, на выход 15 двухпозиционного переключателя 2 поступает сигнал с его входа 10, т.е. отрицательное напряжение с шины 12 источника питания. Диод 6 в этом случае заперт и напряжение на затворе МДП-транзистора 1 представляет собой алгебраичес° кую сумму напряжения на шине 12. источника питания и напряжения, до .которого заряжен конденсатор 5. Таким образом, напряжение на затворе

МДП-транзистора 1 более отрицательно, чем на шине 12 источника питания.

МДП-транзистор 1 опирается, входная 7 и выходная 8 шины замыкаются и в коммутируемой емкостной цепи протекают процессы перезаряда.

Положительным эффектом изобретения является увеличение быстродействия ключа-рарядника для емкостных цепей, что обусловлено. введением в устройство первого и второго резисторов, конденсатора и диода, включенных описанным способом. Увеличение быстродействия устройства является следствием. Уменьшения сопротивления

МДП"транзистора в открытом состоянии, так как уменьшение этого сопротивления уменьшает длительность процессов переэаряда в коммутируемой емкостиой цепи. Уменьшение сопротивления МДП-транзистора 1 в открытом °

10309б8 состоянии обусловлено тем, что бла« годаря описанному схемному решению, напряжение на ezo затворе превышает

Составитель В. Нефедов

Техред,В. Далекорей Корректор В. Вутяга

Тираж 936

Подписное

BHHHHH Государствениого комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д . 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор A. Шишкина

Заказ 5233/57 напряжение на шине 12 источника питания, что увеличивает степень отпм» ранмя транзистора.