Устройство для моделирования входных характеристик транзистора

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА , содержащее переменный резистор, первый транзистор, коллектор котороро соединен с базой второго транзистора , коллектор которого подключен к эмиттеру первого транзистора, о тличающееся тем, что, с целью повышения точности,в него введены резистор температурной компенсации и дополнительный транзистор, эмиттер и база которого объединены и через резистор температурной компенса ции подключены к базе первого транзистора , эмиттер которого соединен с базой дополнительного транзистора |и является эмиттерным выводом устройства , базовый вывод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора и с базой первого транзистора , коллектор которого подключен к первому выводу переменного резистора, g второй вь№од которого подключен к W эмиттеру второго транзистора и является коллекторным выводом устройства.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11)

3(51),6 06 G 7/62

ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

" " - " «-1 « »

« " о

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР .

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3451828/18-24 (22) 28.04.82 (46) 23.10.83. Бюл. )) 39 (72) В.Д. Андреев, Е.А. Баранов, )..С. Валитов, Б.A. Волков, В.В. Каширин, Н .Б. Курносова и И.И. Пестрякова (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (531 681 ° 333 (088 ° 8) (56). 1. Авторское свидетельство СССР

)) 631944, кл. () 06 6 7/62, 1977.

2. Авторское, свидетельство СССР по заявке ) 3254847/18-24, кл. G 06 G 7/62, 1981 (прототип) . (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВХОДНЕХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА, содержащее переменный резистор, первый транзистор, коллектор котороро соединен с базой второго транзистора, коллектор которого подключен к эмиттеру первого транзистора, о т- л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности,в него введены резистор температурной компенсации и дополнительный транзистор, эмиттер и база которого объединены и через реэистортемпературной компенсации подключены к базе первого транзистора, эмиттер которого соединен с базой дополнительного транзистора и является эмиттерным выводом устройства,базовый вывод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора и с базой первого транзистора, коллектор которого подключен к первому выводу переменного резистора,i второй вывод которого подключен к эмиттеру второго транзистора и является коллекторным выводом устройства.

1049932

Составитель В. Рыбин

Редактор О. Бугир Техред T.Nàòî÷êà Корректор r. Решетник

Заказ 8428/47 Тираж 706 Подписйое

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений.и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент" r. ужгород,,ул. Проектная, 4

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а точнее к области исследования и измерения параметров транзисторов, и может быть использовано для анализа работоспособности радиоэлектронных устройств в условиях повышенной температуры.

Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее операционные усилители, переменный резистор и транзистор.

Это устройство позволяет моделировать ияменение коэффициента передачи по .току транзистора (1) .

Недостаток устройства заключается в том, что точность моделирования f5 определяется точностью совпадения парноподобных транзисторов. Кроме того, устройство не обеспечивает одновременное изменение входного сопротивления и коэффициента передачи ро по току, что не позволяет моделировать поведение транзистора при повышенной температуре.

Наиболее близким по технической сушности к изобретению является устройство для моделирования полупров . водникового элемента, содержащее транзистор, в эмиттерную цепь которово включен переменный резистор., а также дополнительный транзистор, в базу которого включена диодно-реэистивная цепочка, резистор которой. и нижний вывод переменного сопротив,ления объединены с эмиттером составного транзистора (2 .

Недостаток известного устройства заключается в неточности имитации входной характеристики из.-за наличия в цепи Е-3 двух р- и переходов.

Цель изобретения — повышение точности моделирования входных характе- 40 ристик моделируемого транзистора в области повышенной температуры.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее переменный р зистор, пеРвый транзис- 4$ тор, коллектор которого соединен с базой второго транзистора, коллектор которого подключен к эмиттеру pepaoro транзистора, введены резистор температурной компенсации и дополнительный транзистор, эмиттер н база котоРОго объединены и через резистор температурной компенсации подключены к Оазе" первого транзистора, эмиттер которого соединен с базой дополнительного транзистора и является эмиттерным выводом устройства, базовый вйвод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора и с базой первого транзистора, коллектор которого подключен к первому выводу переменного резистора, второй вывод которого подключен к эмиттеру второго транзистора и является коллекторным выводом устройства.

На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.

Устройство содержит транзисторы

1 и 2, дополнительный транзистор 3, переменный резистор 4, резистор 5 температурной компенсации.

Устройство работает следующим образом.

Составной транзистор, состоящий из транзисторов 1 и 2, служит для имитации коэффициента усйления транзистора р с ростом температуры. Транзистор 3 совместно с переменным резистором 4 служит для имитации изменения входной Характеристики транзистора под действием температуры. Переменный резистор 5 предназначен для установки требуемого коэффициента усиления по току p . Подбирая значения резистора 4, можно установить требуемое для данной температуры положение входной характеристики транзистора.

Нужное для данной температуры значение устанавливается движком переменного резистора 5. В данном случае исходное значение Р является максимальным и равным приблизительно произведению коэффициентов усиления транзисторов 1 и 2, т.е. P = f3 j3g, где Ps — коэффициент усиления транзистора 1; Pg — коэффициент усиления"по току транзистора 2. Под действием температуры происходит сдвиг входной характеристики влево.

Преимушество использования температурной физической модели транзисто ра состоит в том, что на исследуемую схему накладываются ограничения по габаритам, в то время как температурная камера накладывает подобные

;ограничения. б