Устройство для осаждения слоев

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (10

М50 С 30 В 25 14

ОПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1.1 й

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

Il0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И 0ТНРЬПИЙ (61) 796246 (.21 ) 3390342/23-26 (22) 02.02.82 (,46) 07.12.83. Вюл. В 45 (72) В.И.. Иванов,: Н.N. Матырев, В.С. Насоиов и И.Ф. Егорова (53) 621.315.592(068.8) ,(56) 1. Авторское свидетельство СССР

Ф 796246, кл, С 23 С 13/08,. 1978 (прототип). (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ

СЛОЕВ по авт. св. М 796246, о т л ичающее ся тем, что, сцельюпо вышения качества осажденных слоев за счет уменьшения осаждения на стенках реактора и обеднения газообразных реагентов по его длине, оно снабжено уплотнением, расположенным между наружной и внутренней трубами со стороны зоны демпфирования, на внутренней трубе по длине подложкодержателя выполнены отверстия, а один из концов трубок для подачи газа-разбавителя размещен по внутренней трубе.

1059032

Изобретение относится к устройст вам для осаждения слоев на подложку различными способами, преимчщественно при пониженном давлении (эпитак- . сия, диффузия, пиролиз и др.) и может быть использовано в промышленйости получения микросхем, счетнорешающей и запоминающей технике.

По основному авт. сн. Р 796246 известно устройство для осаждения слоев на подложку различными способа- 10 ми, преимущественно при пониженном дайлении, которое содержит вакуумную камеру с зоной демпфирования, состоящую из реактора, выполненного в виде двух коаксиально размещенных труб и камеры загрузки.».выгрузки, нагреватель, охватывающий вакуумную камеру, (падложкодержатель, трубку для подачи инертного газа, размещенную в зоне ва.куумного демпфирования, трубки для по 2О дачи реагентов в реактор,размещенные под угломк оси внутренней трубы реак гора, один конецкоторой расположен в камере з агруэ ки- раз груз ки, Подложкодержатель выполнен в виде лодочки с подложками и размещен в центре рабочей зоны вауумной камеры $1) .

Недостатками известного устройства являются интенсивное осаждение слоя со3 стороны камеры загрузки-выгрузки и подачи газообразных реагентов, его обеднение, в результате,,чего осаждение по,длине неравномерно, осыпание при вдвижении лодочки с подложками и возникновение дефектности. Все это при- 35 водит к снижению качества осаждаемых слоев.

Цель изобретения - повышение качества осаждаемых слоев за счет умень щения 1осаждения на стенках реактора 4Q и обеднения газообразных реагентов по его длине.

Указанная цель достигается тем, что устройство для осаждения слоев ,снабжено уплотнением; расположенным 45 между наружной и внутренней трубами со стороны зоны демпфирования, на внутренней трубе по длине подложкодержателя выполнены отверстия, а один иэ концов трубок для подачи у газа разбавителя размещен но внутренней трубе.

На чертеже представлено предлагаемое устройство, общий вид, н разрезе.

Устройство для осаждения слоев включает вакуумную камеру 1 с зоной демпфирования, внутри которой раз". мещена наружная труба 2 и внутренняя труба 3 реактора. Внутренняя труба 3 уплотнена по наружной трубе 2 в зоне .демпфирбйания, а полость между внут ® ренней 3 и наружной 2 трубами соединена с камерой 4 загрузки-выгрузки.

Наружная труба 2 реактора уплотнена на вакуум в нодоохлаждаемом корпусе вакуумной системы 5. Внутренняя тру- Я ба 3 реактора выполнена по длине больше, чем наружная. и своим концом входит н камеру 4 загрузки-выгрузки.

Трубки 6 ввода реагентов направлены под углом к внутренней трубе, а одна из этих трубок 7 для напуска газараэбанителя соединена.с внутренней трубой 3. Труба 3 уплотнена по трубе

2 уплотнением 8 иэ термостойких материалов, чем предотвращается попадание непрореагированшей парогазовой смеси в вакуумную систему.

Подложкодержатель, выполненный в виде лодочки 9 с подложками, размещен в центре рабочей зоны вакуумной камеры 1. На стенке внутренней трубы 3 вокруг подложкодержателя на его. длину выполнены отнерстия 10. С

Устройство работает следующим образом.

При разогретой печи до установившеroся режима работы лодочку 9 помещают н трубу 3 в зону, ограниченную отверстиями 10, герметизируют каме-. ру.1 и производят откачку до задан" ного давления, затем через трубку 6 подают газы-реагенты, а через трубку

7 - гаэ-разбавитель и выдерживают устройство в таком режиме заданное время процесса осаждения. По окончании процесса производят подачу только газа-разбанителя, затем прекращают откачку, заполняют камеру инертным газом до атмосферного давления, открывают камеру 1 для смены лодочки, одновременно осуществляется продувка азотом навстречу, н сторону загрузочного окна.

Выполнение отверстий на стенке внутренней трубы вокруг подложкодержателя на его длину и соединение полости между внутренней и наружной трубами с камерой загрузки-выгрузки позволяет подавать реагент неносредст ненно над подложками, а соединение одной иэ трубок с внутренней трубой позволяет подавать гаэ-раэбанитель вдоль подложек, н результате происходит лучшее перемешинание реагентов, устраняются застойные зоны, исключается обеднение потока и осаждение реагентов на пути выдвижения лодочки, происходит распределенная подача реагентов. Все это .приводит к более раЬномерному осаждению слоев, устранению дефектности и тем самым к повышению качества осаждаемых слоен, Уменьшается объем подачи парогазовой смеси через отверстия распределенного газового ввода и воэможность осаждения продуктов реакции в отверстиях и их сдувания на поверх-. ность обрабатываемых пластин.

Известное устройство позволяет получить равномерность по пластине

+5%, равномерность в партии +5%, рая1059032.Составитель A. Домбровская

Редактор Г. Безвершенко Техред A.A Корректор А Тяско

Подписное

Заказ 9723/2б Тираж 370

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д.4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 номерность от партии. к партии «+5%, а предлагаемое устройство позволяет получить равномерность по пластине

34%, равномерность в партии 3-4% и равномерность от партии к партии

3-4%.

Устройство для осаждения слоев Устройство для осаждения слоев Устройство для осаждения слоев 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высокотемпературных диэлектрических, электроизоляционных материалов и технологии их получения методом химического осаждения из газовой фазы для изготовления различных деталей для СВЧ-техники и интегральных микросхем

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов карбида кремния на подложках

Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности
Наверх