Способ изготовления промежуточного фотооригинала

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОМЕ- ЖУТОЧНОГО ФОТООРИГИНАЛА дл интегральных схем со сменным матричным фрагментом, включающий фотонабор постоянной части базового фотооригим. нала, фотонабор матричного фрагмента и фотомонтсик,базового фотооригинала , отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения качества промежуточного фотооригинала фотонабор постоянной части базового фотооригингша и матричного фрагмента выполняют на одной подложке, примем фотонабор матричного фрагмента осуществляют с максимальным числом ячеек, а фотомонтаж базового фотооригинала проводят со сменным фотооригиналом , расположение элементов которого соответствует разрывам в ячейксос.

СО}ОЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК цзп G 03 F 1/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ° ВOВ\

° ВВ

° Ю фи@f

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

В ARTOPCMOMV ВВТВВТВП СТВУ (21) 3471186/18-21 (22} 14.07 ° 82 (46) 15.01.84..БЮл.9 2 (72) И.И. Болосенко, A,Â. Левин и Л.М, Метрик (53) 621.382.002(088.8) (56) 1. Свидельский A.П., Райхман Я.A. Метод группового фото набора в производстве полупроводниковых ЭУ. - Электронная промяшпенность, 1978, В 6, с. 9-10.

2. Там же, стр. 11-12 (прототип). (54 ) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛВНИЯ ПРОМЕ, ЖУТОЧНОГО ФОТООРИГИИАЛА дп интег ральных схем со сменным матричным фрагментом, включакиций фотонабор

„. 0„„А постоянной части базового фотоорнгии, нала, фотонабор матричного .фрагмента и фотомонтаж,базового фотооригинала, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения качества промежуточного фотооригинала, фотонабор постоянной части базового фотооригинала и матричного фрагмента выполняют на одной подложке, причем фотонабор матричного фрагмента осуцествляют с максимальным числом ячеек, а фотомонтаж базового фотооригийала проводят со сменным фотооригиналом, расположение элементов которого соответствует разрывам в . ячейках.

1067466

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при-изготовлении проме,жуточных фотооригиналов (ПФО) > предназначенных для получения интегральных схем (HC) co сменным матричным фрагментом.

Комплект ПФО для ИС со сменным матричным фрагментом содержит постоя янные слои с фиксированным изображением и сменный слой, формирующий 10 информационное поле сменного матричного фрагмента. Различные сменные слои изготавливаются в широком временном диапазоне с момента получения комплекта ПФО и до снятия ИС с про- 15 изводстьа.

Известен способ изготовления комплекта ПФО для ИС, состоящий в последовательном фотонаборе рисунка на все ПФО, входящих в комплект 20

ПФО на ИС 513 °

Недостатком указанного способа являются большие затраты времени на рисовку ПФО и ухудшение качества комплекта ПФО вследствие рассовмещаемости при изготовлении ПФО иэ комплекта в широком временном>диапазоне.

Наиболее близким по техническрй сущности к изобретению является способ изготовления комплекта ПФО для

ИС с матричным фрагментом, включающий однократный фотонабор постоянной,части базового ПФО, групповой фотонабор матричного фрагмента с опре деленным числом реализованных ячеек и фотомонтаж базового ПФО С21.

Недостатком этого способа-является то, что изготовление комплекта ПФО со сменным матричным фрагментом также связано с высокой трудоемкостью .и 40 снижением качества комплекта ПФО эа счет изготовления ПФО в широком временном диапазоне.

Цель изобретения — снижение трудо. емкости изготовления и повышение качества промежуточного фотооригинала.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления про . межуточФого фотооригинала для интег ральных схем со сменным матричным

1 фрагментом, включакщему фотонабор постоянной части базового фотооригинала, фотонабор матричного фрагмента и фотомонтаж базового фотооригииала, фотонaáop постоянной части базового фотооригинала и матричного фрагмента выполняют на одной подложке, причем фотонабор матричного фрагмента осуществляют с максимальным числом ячеек, а фюаомонтаж базового фотоориги- 60 нала проводят со сменным фотооригиналом, расположение элементов которого соответствует разрывам в ячейках.

Практически размещение элементов рисунка каждого сменного ПФО задают б5 элементами,, только нулевыми или тольке единичными,, двойной прямоугольной таблицы из И строк и N столбцов так, что каждому элементу таблицы, расположенному на пересечении гп -й строки

rn =1 >Й1 и и -го столбца (П =1,p), оответствует фиксированная для данной ИС позиция элемента рисунка сменного ПФО.

На фиг. 1 изображен базовый ПФО, содержащий постоянные фрагменты

1 — 3 и сменный матричный фрагмент 4 полупроводниковых запоминающих устройств (ПЗУ1; на фиг. 2 — сменный матричный фрагмент, содержащий соединительные элементы 5, реализующие адресные шины, и соединительные элементы б,:обеспечивающие реализацию ячеек памяти ПЗУ, на фиг. 3 — сменный

ПФО, содержнщиЯ элементы 7, обеспечивающие разрыв соединительных элементов 6; на фиг. 4 — наложение на сое и динительные элементы б матричного фрагмента 4 базового ПФО элементов 7 сменного ПФО; на фиг. 5 — сменный матричный фрагмент 4 базового ПФО, на котором разрывы 8 в соединительных элементах б обеспечивают исключение ячеек ПЗУ сменного матричного фрагмента.

Способ изготовления ПФО для ИС со сменным матричным фрагментом реализуется следующим образом.

Пример 1. На стеклозагсжовке с хромированным ф >торезистивным покрытием типа ППХФ на фотонаборной установке типа ЭИ-549 с временеы экспозиции 0,9 - 1с в течение 15 ч выполняется рисовка базового ПФО для ИС, включающего постоянные фраг менты 1 — 3 и матричный фрагмент 4, представляющий собой ПЗУ с соединительными элементами 5, реализукщими адресные шины, и соединительными элементами б, обеспечивакщими реализацию максимально возможного для данной ИС числа ячеек (16384) ПЗУ, Отрисованная указанным образом стеклозаготовка подвергается химической обработке, включающей операцию проявления в растворе КОН (1>2В концентрации иттравление в травителе

:Т-Р. С полученного базового ПФО на установке контактной печати и экспонировании Э?1-583 иа стеклозаготовках с хромированным фоторезистивным покрытием типа ППИФ получают необхо- димое количество копий базового ПФО.

Для получения сменного ПФО на стеклоэаготовке с хромированным фоторезистивным покрытием типа ППХФ в течение примерно 45 мин на ФНУ

ЭИ-549 выполняется рисовка элементов 7, размещение которых для .каждого сменного ПФО задаетяя двоичной прямоугольной таблицей (с новой информацией) из И строк и Й столбцов, где каждому нулевому элементу> рас1067466

Фиг.2

Составитель й. Хохлов

Редактор О. Колесникова Техред И,Tenep Корректор A. Ференц Заказ

11207/50 Тираж 468 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, ?4осква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 положенному на пересечении m -й строки (rn= 1,14) и и -го столбца (n =1,М), соответствует фиксированная позиция элемента 7, причем укаэанная таблица для каждого сменного ПФО предваритель .но преобразуется в управляка ую информацию для фотонаборной установки.

Отрисованная стеклозаготовка сменного ПФО подвергается химической обработке, включающей операцию проявления в".растворе KOH (1,2% концентра- 10 ции) и травление в травителе Т-2. Для получения ПФО ИС с ПЗУ информационное заполнение которого определяется заданной двоичной прямоугольной таблицей, берется копия ба- 15 зового ПФО, покрывается позитивным фоторезистом ФП PH-7 и на установке совмещения и экспонирования ЭМ-575производится фотокомпозиция базового

ПФО и сменного ПФО, контакт и экспо: g0 нирование. В результате совмещения элементов 6 и 7 получается ПФО с матричным фрагментом, в котором элементы 6 имеют разрывы 8, причем позиции разрывов 8 получены в соответ- 25 ствии с заданной двоичной прямоугольной таблицей.

Полученная стеклозаготовка ПФО со сменным матричным фрагментом подвергается химической обработкеф включающей операцию проявления в растворе КОН (0,56 концентрации) и травление. в травителе T-2.

В результате указанного процесса получается ПФО с матричным фрагментом ПЗУ, в котором разрывы 8 элементов 6, обеспечивав"дих реализацию ячеек ПЗУ,. выполнены таким образом, что информационные заполнение ПЗУ соответствует заданной прямоугольной двоичной таблице. !

/ Таким образом, способ изготовления

ПФО для ИС со сменным матричным фрагментом согласно изобретению позволяет значительно снизить трудоем <. кость, поскольку в этом случае i емя фотонабора для заполнения информЬди онного поля сменного матричного фрагмента определяется практически только временем рисовки этого фрагмента.

Кроме того, предлагаемый способ изготовления ПФО позволяет обеспечить стабилвность воспроизведения заданных размеров элементов на всем поле ПФО и сохранение величины рассовмещаеиости в комплекте ПФО для ИС Со сменным матричным фрагментом в больщом временном диапазоне изготовления ИС со сменным матричным фрагментом (до нескольких лет) за счет того, что

ПФО со сменным матричным фрагМентом отличаются только местами разрывов соединенных элементов, определяющих. исключение соответствующих ячеек атричного фрагмента.