Способ измерения параметров свч транзисторов

 

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СВЧ-ТР ЗИСТОРОВ, включающий подачу на вход транзистора СВЧ рабочего сигнала, обеспечиваищего требующийся режим работы испытуемого прибора, а на его выход - вспомогательного сигнала , значительно меньшего рабочего по амплитуде, и регистрацию амплитуд падающих и отраженных волн на входе и выходе транзистора, отличающийся тем, что, с целью упрощения измерений, в качестве вспомогательного сигнала используют сигнал -той же частоты, что и рабочий, модулируют его по амплитуде низкой частотой, а амплитуды падакяцих и отраженных волн измеряют на частоте модуляции.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) 3(51) С 01 R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

l10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2 Ф) 3316250/18-21 (22) 13.07.81 (4б) 30.03.84. Бюл. В 12 (72) В.К.Попов (53) 621.382.2(088.8) (56) t ° Lange I. Modern tests for

modern transistors. "Microwaves", 1967, Ч 6, 9 12, р.р. 38-42.

2. Авторское свидетельство СССР

У 451027, кл. G 01-R 31/26, 1974 (прототип)..(54)(57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий подачу на вход транзистора СВЧ рабочего сигнала, обеспечивающего требующиися режим работы испытуемого прибора, а на его выход — вспомогательного сигнала, значительно меньшего рабочего по амплитуде, и регистрацию амплитуд падающих и отраженных волн на входе и выходе транзистора, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью упро.щения измерений, в качестве вспомогательного сигнала используют сигнал той же частоты, что и рабочий, модулируют его по амплитуде низкой частотой, а амплитуды падающих и отраженных волн измеряют на частоте модуляции.

10831 36

Изобретение относится к измерительной технике и может быть испольI зовано при производстве и испытаниях

СВЧ транзисторов большой мощности.

Известен способ измерения параметров рассеяния транзисторов, заключающийся в том, что на испытуемый транзистор подают СВЧ сигнал малой амплитуды и измеряют амплитуды отраженных и прошедших через тран- 10 зистор волн P1) .

Недостатком известного способа является его низкая точность. измерений в режиме большого сигнала, характерном для транзисторов большой 15 мощности. Это связано с тем, что параметры рассеяния таких транзисторов в режиме большого сигнала зависят от амплитуды входного сигнала и потому при подаче измерительного 20 сигнала малой амплитуды измеренные параметры значииельно отличаются от реальных, которые должны получаться в режиме большого сигнала.

Наиболее близким техническим 25 решением к предлагаемому является способ измерения параметров СВЧ транзисторов, включающий подачу ,на вход транзистора СВЧ рабочего сигнала, обеспечивающего требующийся 30 режим работы испытуемого прибора, а на его выход — вспомогательного сигнала, значительно меньшего рабочего по амплитуде, и регистрацию амплитуд падающих и отраженных волн на,входе и выходе транзистора )2) .

В качестве вспомогательного измерительного сигнала малой амплитуды в этом способе используют сигнал,. отличающийся по частоте от большого рабочего сигнала.

Недостатком способа является сложность измерений, связанная с необходимостью использования частотно-избирательной аппаратуры с высоки45 ми требованиями к ее избирательности при его осуществлении. Этот недостаток особенно проявляется при необходимости проведения измерений в диапазоне частот, когда требуется допол50 нительная перестройка как источника вспомогательного сигнала, так и измерительной аппаратуры синхронно с рабочим сигналом.

Цель изобретения — упрощение 55 измерений.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения параметров СВЧ транзисторов, включающему подачу на вход транзистора СВЧ рабочего сигнала, обеспечивающего требу-ющийся режим работы испытуемого прибора, а на его выход — вспомогательного сигнала, значительно меньше" го рабочего по амплитуде, и регистрацию амплитуд падающих и отраженных волн на. входе и выходе транзистора, в качестве вспомогательного сигнала используют сигнал той же частоты, что и рабочий, модулируют его по амплитуде низкой частотой, а амплитуды падающим и отраженных волн измеряют по частоте модуляции.

На чертеже приведена блок-схема устройства осуществления способа.

Устройство содержит генератор 1 рабочего СВЧ сигнала, первый выход которого соединен с первой шиной контактной головки 2 для подключения испытуемого транзистора, вторая шина которой соединена с выходом источника 3 питания транзистора, а третья через последовательно соединенные направленные ответвители 4-6, включенные s линии передачи СВЧ мощности, соединена с согласованной нагрузкой 7, второй выход генератора

1 рабочего СВЧ сигнала подключен через аттенюатор 8 к первому входу модулятора 9, второй вход которого соединен с выходом генератора 10 низкой частоты, а выход †. с входом ответвителя 6, входы ответвителей

4 и 5 соответственно соединены через последовательно соединенные детекторы, 11 и 12 и избирательные усилители 13 и 14 с первым и вторым входами измерителя 15 отношения, выход которого подключен к индикатору 16 °

Способ осуществляют следующим образом.

От генератора 1 рабочего СВЧ сигнала через контактную головку 2 на вход испытуемого транзистора подают рабочий СВЧ сигнал большой амплитуды, который создает требующийся рабочий режим транзистора. От источника 3 одновременно подается необходимое напряжение питания на испытуемый прибор. Через выходной тракт испытуемого транзистора, включающий направленные ответвители 4-6 и согласованную нагрузку 7, на выход испытуемого транэитора подается вспомогательный измерительный сигнал, в качестве которого используется рабочий сиг-.

1083

В результате индикатор 16, включенный на выходе измерителя 15 отношения, показывает непосредственно величину нотр

О S

22 Vga

44

ЧАД 2 равную модулю коэффициента отражения . на .выходе испытуемого транзистора (в использованных выше обозначениях индексы 1 и 2 характеризуют принадлежность сигнала к входу и выходу °

- транзистора соответственно).

Для измерения другого параметра рассеяния транзистора, коэффициента р обратной передачи 8 2, направленный ответвитель 4 переключают во входную линию между выходом генератора 1 и контактной головкой 2. При этом аналогично индикатор 16 показывает величину

01 q

S = — — — V = 0

И QQp

Чти|

Благодаря использованию в качестве вспомогательного измерительного сигнала ослабленного по амплитуде и модулированного низкой частотой рабочего сигнала, упрощается про,.цедура измерений параметров рассеяния транзисторов в диапазоне частот.

При перестройке частоты генератора 1 не требуется перестройка остальных блоков устройства, используемого для осуществления данного способа, а индикатор 16 непосредственно показывает измеряемую величину.

Составитель Ю. Брызгалов

Редактор О. Сопко Техред А.Ач . Корректор О. Тигор

Заказ 1737/40 Тираж 7.11 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35 Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4

3 нал, ослабленный аттенюатором 8 и модулированный по амплитуде с помощью модулятора 9 сигналом генератора 10 низкой частоты. Амплитуда вспомогательного измерительного сигнала, под- 5 водимого в выходной тракт через ответвитель 6, значительно меньше амплитуды основного режимного сигнала.

С помощью направленных ответвителей 4 и 5 выделяются в выходном тракте сигналы СВЧ с наложенными на них высокочастотными модулирующнми сигналами, пропорциональные соответственно отраженной (с помощью ответвителя 4) и падающей (с помощью ответвителя 5) волнам. Детекторы 11 н 12 преобразовывают СВЧ сигналы.в низкочастотные напряжения, которые выделяются и усиливаются 2 избирательными усилителями 13 и 14.

При этом амплитуда низкочастотного напряжения с частотой модуляции на выходе усилителя 13 пропорциональна амплитуде отраженной волны на выходе испытуемого транзистора

Чо, а амплитуда аналогичного напряжения на выходе усилителя 14 пропорциональна амплитуде падающей волны вспомогательного измерительного сигнала Veal,.

Благодаря тому, что выходное сопротивление генератора 1 рабочего сигнала равно волновому соприкосновению входной линии, соединяющей этот генератор с контактной головкой 2, вспомогательный измерительный сигнал, проходящий с выхода на вход испытуемого транзистора, не отражается от согласованной нагрузки (выходного сопротивления генера136 тора 1) и поэтому амплитуда падающей волны V a., на входЕ транзистора

ЦС3 ю равна нулю.

Способ измерения параметров свч транзисторов Способ измерения параметров свч транзисторов Способ измерения параметров свч транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх