Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ,содержа1ций токопроводящую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, отличающий с я тем, что, с целью уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала , в качестве углеродсодержащей фазы с меташшческой добавкой использовано слоистое соединение пиролитического гра4н1та с цезием с концентрацией цезия в пнрдлитическом графите, соответствующей фазовому составу . (Л 00 Ю О 2-S TfStfSit

4 (1Ю (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЧНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ н лвто скомм евидитальствм

-10 (21) 2901413/18-21 (25) 3352143/IS-21 (22) 26.03.80 (46) 15.04.84. Бюл. II - 14 (72) И. Г. Гвердцители, А. Г. Каландаришвили, Ш. Ш. Шартава и В. П. Зайцев (53) 621,396.69 (088.8) (56)1. Иартюшов К.И., Зайцев 10.В.

Технология производства резисторов.

И., "Высшая школа", 1972, с. 141

2. Заявка Франции У 2389984 ° кл. Н 01 С 7/06, опублик. 1979 (прототип), (54) (57) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий токопроводящую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью уменьше" ния величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала, в качестве углеродсодержащей фазы с металлической добавкой использовано слоистое соединение пиролитического графи а с цезием с концентрацией цезия в пиролитическом графите, соответствующей фазовому составу

С Cs, f 1086

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для изготовления резисторов.

Известен реэистивный материал,проводящий слой которого выполнен на ос1" нс ве .пиролитического углерода, полученного разложением углеводородов при высокой температуре в вакууме или в среде инертного газа fl).

Недостатком этого реэистивного ма- 10 териала является высокий температурный коэффициент сопротив. .ения, Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистивный материал, проводящая компо-15 зиция которого состоит иэ полупроводникового вещества, полученного пиро-.. лизом углеродсодержащего соединения, легированного элементами третьей— пятой групп периодической системы 1 2).

Недостатком данного резистивного материала также. является высокий теипературный коэффициент сопротивления.

Цель изобретения — уменьшение величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала.

Поставленная цель достигается тем, .-:то в резистивком материале, содержащем гокопроводящую композицию íà ос"

30 нове угперодсодержащей фазы с металлической добавкой, в качестве угле" родсодержащей фазы с металлической добавкой использонако слоистое соединение пиролитического графита с цезием с концентрацией цезия в пиролитическом графите, соответствующей фазовом составу С Сз

Пример. Изготовление слоистых соединений пиролитического графита со щелочными металлами заключается

40 во взаимодействии образца пирографкта с параии щелочкого металла при давлении 133,3 Па и температуре образца

300 С в предварительно вакуумироканном объеме. При этом происходит внед45 рение щелочного металла в пирографит, Контроль за качеством внедренного щелочного металла осуществляется по изменению линейного размера образца пирографита вдоль кристаллографичес50 кой оси С.

Величину электросопротивлекия, а . также ТКС получаемого при этом резистивного материала можно регулировать изменением количества добавки цезия. Например, отношение удельных электросопротивлекий пирографита и.. соединения С Сз.при 50 С равно 260, 466 1 а температурный коэффициент сопро" тивления соответственно равен -1< . 10 град и +1,7.10 град ".

На фиг. 1 представлена кривая за" висимости температурного коэффициента сопротивления от удельного содержания цезия в пиролитическом графите (при

m = 0,3 m температурный коэффициент сопротивлейия образующегося соединения близок к нулю); на фиг. 2 — кривые зависимости удельного электросопро- тивления пи роли тиче с ко го графит а и е го соединений с цезием от температуры для различных удельных содержаний цезия в графите (кривая 1 соответствует пирографиту, кривые 2, 3, 4 и 5 соответствуют резистивному материалу с содержанием цезия в соотношении m щ „ 0,32„ 0,65; 0,98;

1 07 соответственно.

Как видно из фиг. 2, кривые 2 и 4, соответствующие удельным содержаниям цезия в. графйте 0,32 и 0,98 практически не зависят от температуры в интервале 50-300 С. о

Применение резистивкого материала на основе пиролитического графита с щелочными металлами в качестве проводящей композиции позволяет создавать резисторы с очень низким (близ" ккм к О) значением температурного коэффициента сопротивления.

Физическое состояние системы "щелочной металл - графит" — твердый раствор внедрения, а геометрическая

1 форма может быть произвольной при сохранении предлагаемого условия.Агрессивность системы "щелочной металл— графит" значительно меньше,чем жидкого щелочного металла, а в случае не-,. обходимости полного исключения кон-. такта с атмосферой резистивный материал можно герметизировать. Предлагаеиый резистивкый материал может найти применение в тех же областях, где прииеняются стандартные прецизионные резисторы. Что касается предельной концентрации щелочкого металла, при которой величина ТКС отвечает заданной конечной величине, то измекение концентрации цезия в пкрографите на + ЗХ не приводит к изменению ТКС предлагаемого резистивного материала

Применение резистивкого материала на основе пиролитического графита с цезиеи s качестве проводящей композиции позволяет создавать резисторы с высокой териостабильностью.

1086466

0N

0025

У

Составитель Н, Кондратов

Техред В.,далекорей Корректор И. демчик—

Редактор N. Петрова

Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 2259/48 Тираж 683 Подписное

ВНКИПИ Государственного ко11нтета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх