Способ определения величины температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА СОПРОТИВ |ЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ, включающий нагрев ее до заданной температуры. измерение сопротивления пленки при начальной и заданной температурах и определение величины термического Напряжения нагретой пленки с последующим расчетом величины температурного коэффициента.сопротивления,, отличающийся тем, что, с целью повышения точности. определе7 ния величины -температурного коэффициента сопротивления/ величину термического напряжения нагретой резистивной пленки определгпот с помощью голографической интерферограммы, послб чего компенсируют термические напряже- , ния механическим путем и производят измерение сопротивления при заданной температуре с последующим расчетом температурного коэффициента сопротивления . 05 -sj :о г,тн

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 3(51) Н 01 С 7/06, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

F30 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ:

I в

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ измерение сопротивления пленки при начальной и заданной температурах и определение величины термического напряжения нагретой пленки с последующим расчетом величины температурного коэффициента. сопротивления,. отличающийся тем, что, с целью повыаения точности.определе-, ния величины .температурного коэффициента сопротивления, величину термического напряжения нагретой резистивной пленки определяют с помощью голографической интерферограммы, после чего компенсируют термические напряже- . ния механическим путем и производят из- . мерение сопротивления при заданной

Я температуре с последующим расчетом Е температурного коэффициента сопротивления.

I (21) 3410047/18-21. (22) 19.03.82 (46) 15.12.83. Вюл. М 46 (72) A. В. Скобленко, Л. М. Смеркло ° и В. М. Тулуевский (53) 621 ° 316 ° 8(088 ° 8) (56) Эпштейн и др. Справочник по измерительным приборам для радиодеталей. Л., "Энергия", 1980,. с. 153.

2. Франко Г. A.. Внутренние напряжения в тонкопленочных резисторах.

В кн. "Прецизионные Печатные и тонкопленочные резисторы.", Кишинев, КНИИЭП, 1972, с. 69 (прототип) . (54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ

ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА СОПРОТИВ1

ЛЕНИЯ РЕЭИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ, включающий нагрев ее до заданной температуры, 1061179

Изобретение относится к измере- . нию электрических величин, в частности к точным методам определения температурного коэффициента сопротивления (TKC) резистивных пленок, и может быть использовано при разработке новых резистивных материалов для целей микроэлектроники.

Известен способ определения ТКС, основанный на измерении сопротивления при двух различных температурах

Т(и Т и расчете значения ТКС по формуле

TKC

15 или

ТКС = 1 "" . 100%, (1) где R u R — сопротивления резистив-20

Я о ной пленки при Т „и Т

>. Численное значение ТКС по фьрму= ле 1)i иногда получают, непосредст-: венно используя компаратор сопротив- 25 лений с цифровой индикацией и задаваясь значением Т -Т 100. При этом нет надобности в расчете значения

ТКС (1) .

Недостатком этого способа измерения ТКС является ограниченная точность измерения g R = Rg й4, связанная с проявлением тензорезистивного эффекта. Этот эффект возникает в результате изменения механических З5 напряжений в системе пленка — подложка при переходе от Т к Т .

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ, согласно которому для повы- 4О шения точнОсти определения g R

Р - Rg при измерении сопротивления пленок применяют тензодатчик и при расчете TKC учитывают долю изменения сопротивления, внесенную тензорезистивным эффектом.. Способ включает нагрев пленки до заданной температуры, измерение сопротивления пленки при начальной и заданной температурах и определение величины термического напряжения пленки с последующим расчетом TKC (2) .

Недостатком этого способа является низкая точность определения TKC в связи с большой погрешностью тензодатчиков.

Цель изобретения — повышение точности определения TKC.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения величины ТКС резистивной пленки, 60 включающему нагрев ее до заданной температуры-, измерение сопротивления пленки при начальной и заданной температурах и определение величины термического напряжения нагретой 65 пленки с последующим расчетом величины ТКС, величину термического напряжения нагретой резистивной пленки определяют с помощью голографической интерферограммы, после чего компенсируют термические напряжения. механическим путем и производят измерение сопротивления при заданной температуре с последующим расчетом ТКС, На фиг. 1 представлен образец в исходном состоянии при температуре Т и сопротивлении R (интерферограмма при этом не возникает), на фиг. 2 - образец в нагретом состоянии при температуре Т (объект деформирован под воздействием Т, свободный конец консоли совмещается на расстояние g r, возникает интерферограмма), на Фиг. 3 — образец при температуре Тд, при которой производится процесс компенсации механических напряжений и уменьшается Ь r . - g r (порядок интерференционного максимума падает), на фиг.4образец при температуре Т2, когда деформация компенсирована (об этом свидетельствует почти полное отсутствие интерференционных полос), а ,значение Rg измерено или зарегистри ровано компаратором значение TKC..

На Фиг. 1-4 обозначены зажим 1 консоли, подложка 2, резистивная пленка 3, контакты 4 к резистивной пленке, голографическая интерферограмча 5, соответствующая этапу измерения, сила 6 механической компенсации деформации.

Сущность изобретения заключается в том, что система. пленка - подлож- . ка при нагреве (охлаждении) претерпевает микродеформации, которые можно зарегистрировать при помощи метода голографической интерферометрии. Количество полос интерферограммы (порядок интерференционного максимума) пропорционально деформации системы пленка - подложка. Если при температуре второго измерения удает- . ся полосы на экране удалить механическим воздействием на объект, это значит, что пленка находится в исходном состоянии (как до нагрева).

В результате компаратор регистрирует значение ТКС резистивной пленки, исключая вклад тензорезистивного эффекта.

Способ опробован на голографической установке типа УИГ-2А. При измерениях использована стандартная двухлучевая схема. В качестве образцов использованы тонкопленочные резисторы, выполненные на ситалловых (СТ-50-1) и поликоровых иодложках размером 5х30 мм на структуре РС37 0-V-Al с размерами контактов

5х5 мм. Образцы помещались в термостат со стеклянным окном (точность 1061179 ееюеее

Величина ТКС 10 при использовании способа ю ю е ю ее иэвест- предлага- иэвест-. предланого+ . емого» ного" гаемого+

Образец, Ю

8,3

7,9

8,8

7,9

7,8

7,3

8,0

7,4

8,2

7,6

7,1

7,4

7 2

7,0

8,1

8,2

8,5

8,7

7,6

7,6

7,0

6,9

6,4

5,9

6,0

6,9

6i3

7,0 л.6,6

7,1 стабилизации температуры +0,17 К).

Сопротивление резистивного слоя

150 Ом/кВ.

Результаты измерений преда гавле-. ны в таблице (образцы взяты из различных партий).

ТКС регистрировался компаратором сопротивлений 1968200 с подключением резисторов по 4-зажимной схеме.

Иэ таблицы видно, что TKC резистивннх пленок PC-3710 при измерени ях по предложенному способу имеет более равные значения на разных подложках, чем по известному, следовательно, предложенный способ позволяет уменьшить "эффект подложки", 15 т.е. дает информацию î.ТКС самой . только пленки...+

Подложка - ситалл. ф+

-.Подложка - поликор.

Использование изобретения позволяет измерять значение ТКС резистивных пленок с высокой точностью эа счет устранения (минимизации) тензорезистнвного эффекта, способного изменять сопротивление пленок на величину до 2%. В результате повыаается эффективность разработки новых резистивных материалов, в частности, для прецизионных тонкопленочных резисторов.

Изобретение позволяет выпускать микросхемы улучшенного качества эа счет повышения их надежности, связанной с более точным определением допуска ТПР в заданном диапазоне, температур.

1061179

Фи88

Составитель H Кондратов

Редактор Л. Алексеенко Техред С.Легеза.

Корректор М. Демчик

Заказ 10050/53 Тираж 703

ВНИИПИ Государственного коМитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, М-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ определения величины температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки Способ определения величины температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки Способ определения величины температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки Способ определения величины температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении изделий с пленочными резистивными элементами, входящими в состав приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиков различного функционального назначения

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве прецизионных тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к разработке прецизионных сплавов со специальными электрическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к металлчргии а именно к разработке прецизионных сплавов со специальными электрофизическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Группа изобретений относится к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых приборов. Техническим результатом является обеспечение высокой температурной стабильности сопротивления, повышение максимально допустимой температуры резистора (до +260°C) и рабочего импульсного напряжении в 2÷2,5 раза (до 5000 В). В резистивном элементе обеспечивается содержание атомов платины, выбранной в качестве создающей глубокие уровни захвата в запрещенной зоне кремния примеси, с концентрацией в интервале от 2,5·1013 см-3 для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρp0=150 Ом·см до 9·1014 см-3 для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см, а в предлагаемом способе изготовления мощного полупроводникового резистора проводят диффузию атомами платины при температуре в интервале от 870°C для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρр0=150 Ом·см до 1190°C для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.
Наверх