Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, последовательном вплетении в них проводников адресных обмоток путем прокладывания провода вместе с ограничительной прокладкой в аев, образсюанный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки, перенесении сформсяаанных проводник к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технолотических , отличающийся тем, что, с целью псюьпиения наде ююсти изготовления запоминающих матриц путем устранения офывов адресных обмоток, увеличивахуг зев в начале зоны формовки каждого проводника, перемешают провод к вплетенным прсюодникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободному концу провода, формируют возрастающий угол обратного зевообразсшания в нешравлении свободного Кчаа провода поочередно каждой разведеннсА технологичес (Л . кой струной, а перемещение сфсфмованных: проводников к адресным обмапсам производят при фиксированном обратном зеве. о 00 СХ) о О) UD

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

COUN

РЕСПУБЛИН

„.SU„„1088069 А

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

« °

° «В

° ° г г

rocyl xee ssA Ho arm cccp по дкл м изот=ткний и отнятий (21) 3535001/18-24 . (22) 06.01.83 (46) 23.04.84. Бюл.-34 15 (72) Н.В. Косинов и В.М. Кузьменко (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельсвто СССР

Ж 474842, кл. 6 11 С 5/02, 1973, 2. Авторское свидетельство СССР

М 566267, кл. (j 11 С 11/14, 1975 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ЗАПОМИНАЮЩИХ MATPHU НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, последовательном вплетении в них проводников адресных обмоток путем прокладывания провода вместе с ограничитежной прокладкой в ээв, образованный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки, перенесении сформованных проводников к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн1 О т л и ч & ю ш и и с я тем, что, с пелью повыщения надежности изготовления запоминающих матрип путем устранения обрывов адресных обмоток, увеличивают эев в начале зоны формовки каждого проводника, перемещают провод к вплетенным проводникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободному концу провода, формируют возрастающий угол обратного эевообразования в направлении свободного к чпа провода пооче- Я редно каждой разведенной технологической струной, а перемещение сформованных проводников к адресным обмоткам производят при фиксированном обратном зеве.

1 1088

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при .построении запоминающих устройств на пилиндрических магнитных пленках.

Известен способ изготовления заломинающих матриц на цилиндрических маг5 нитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, последовательном вплетении в них проводников адресных обмоток путем прокладывания их в зев под углом к технологическим стру= нам, перемещения технологических струн, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам при закрытом зе=ве, заливке компаундом и извлечении технологических струн 1 ) .

Однако при закрытии зева в его нейтральное положение провод зажимается одновременно несколькими соседними смрунами, которые препятствуют егo свободному перемещению к месту формов.

20 ки. В результате этого придание проводу волнообразной формы происходит за счет его деформации и растяжения, что приводит к обрывам проводников адресных обмоток. Кроме того, подбивка сформо25 ванных проводников к адресным обмоткам при нейтральном зеве приводит к их изгибам и деформациям, нарушению формы витков, что также вызывает обрывы проводников адресных обмоток. зо

Наиболее близким к изобретению является способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, который основан на натяжении технологическихструн,последовательном вплетении в них проводников обмоток путем прокладывания провода вместе с ограничительной прокладкой в зев, образованный технологическими струнами, под углом z ним, регулировании зева, извлечении технологической прокладки, перемещении сформованного проводника, заливке компаундом и извлечении технологических струн f23 .

Однако изготовление запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках известным способом приводит к неравномерной глубине формовки нровода по его длине в направлении от опуш- 5 5 ки полотна в сторону свободного конца щювода, причем вследствие различной величины отстояния участков провода от сплетенных обмоток у опушки полотна г происходит неполная формовка провода, а в сторону свободного конца провода происходит увеличенная глубина формовки провода. Кроме того, изготовление матриц из069 2 вестным способом приводит к образованию значительных петель по краям полотна и к неплотному охвату проводом крайних струн, что нарушает геометрические

I размеры изготавливаемых матриц.

Бель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц путем устранения обрывов адресных обмоток.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на цилиндрических;магнитных пленках, основанном на натяжении технологических струн, последовательном вппетении в них проводников обмоток . путем прокладывания провода вместе с ограничительной прокладкой в зев, образованный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении orраничительной прокладки, перенесении сформованных проводников к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, увеличивают зев в начале зоны формовки каждого проводника, перемещают провод к„вплетенным проводникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободноь.у концу провода, формируют возрастающий угол обратного зевообразования в направлении свободного конца провода поочередно каждой разведенной технологической струной, а перемещение сформованных проводников к адрес:ным обмоткам щюизводят при фиксированном обратном зеве.

Плетение обмоток матриц осуществляют на любом приспособлении, специальном устройстве или ткацком станке, имеющем эевообразующий механизм.

На фиг. 1 схематически показана операция увеличения зева в начале зоны формовки провода:, на фиг. 2 - сформованный провод технологическими струнами после извлечения технологической прокладки с возрастающими углами обратного зевообразования в с горону свободного конца провода, на фиг. 3 - вид А на фиг. 2.

Изготовление запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках в соответствии с предложенным способом осуществляют следующим образом.

На ткацком станке в качестве основы натягивают четные 1 и нечетные 2 технологические струны, обеспечивая уменьшение степени натяжения струн от средних к крайним, Струны 1 и 2 разводят для образования зева. В зев вводят про3 1088 водник 3 совместно с ограничительной прокладкой 4 под углом K технологичес

«им струнам. Путем перемещения ограничительной прокладки 4 к сформованнь м щхн одникам увеличивают зев В начале зоны формовки провода 3 у «рая матрицы. После этого проводник 3 перемещают к сформованным виткам до зажатия его крайними разведенными струнами 1 и 2 при увеличенном зеве в начале зо- щ ны формовки со стороны, противоположной свободному концу провода, и располагают его по линии формовки.

Это дает возможность уменьшить общую длину проводника, приходящуюся на один виток и тем самым уменьшить раз-.. мер петли по краям матрицы. Уменьше . ние петель на краях матрицы создает условия для плотного охвата витками крайних струн, что сохраняет геометрические размеры матрицы и улучшает магнитные характеристики крайних каналов матрицы.

После укладки проводника 3 производят регулирование зева. Для этого пере > мешают струны 1 и 2 навстречу друг другу в сторону закрывания зева. При этом струны 1 и и встречают на своем пути ограничительную прокладку 4, котоРая задерживает в открытом зеве с ЗО ки струн 1 и 2 от вершины углов зева до мест, касания с прокладкой 4. Другие участки струн 1 и 2 от мест касания с прокладкой 4. сводят в плоскость нейтрального положения и, не меняя на-35 правления их движения, разводят в направлении открывания очередного зева. Sa«« тем извлекают ограничительпую прокладку 4 в сторону свободного конца прово да. Технологические струны 1 и 2 нри сходе с кромки прокладки 4 последова40 тельно образуют возрастающий обратный

069 4 зев в направлении свободного конца провода и производят формовку провода 3.

Необходимая глубина формовки дРовода 3 у,края матрицы, противоположного свободному концу прово„динка, обеспечивается за счет увеличенного зева в данной зоне, что создает увеличенную амп» литуду движения крайних струн при cxoge с кромки прокладки 4. Необходимая гЛ бина формовки провода 3 от середины матриша к краю в направлении свободного конца проводника обеспечивается воз-, растающим углом обратного зевообразования струн в направлении свободного кониа провода. Струны 1 и 2 опираются на форму- .

:емые участки провода 3, причем за счет ;возрастающего угла обратного зевообразования, чем ближе к свободному концу провода, тем больший участок струны опирается на него. Однако вследствие уменьшения степени натяжения струн от середины матрицы к ее краю не проис ходит черезмерной гдубины формовки участков провода в данной зоне. Этим обеспечивается Равномерная глубина формовки провода по всей длине витка. к

Перемещение сформованных проводников к адресным обмоткам производится . при фиксированном обратном зеве. При этом сформованный проводник сходит с разведенных струн 1 и 2 к адресным обмоткам к вершине зева, освобождая струны. Сформованный проводник из напряженного состояния переходит s свободное, поскольку HpH cRolla co струи, образующих обратный зев, давление на проводник струнами уменьшается по мере приближения его к адресным обмоткам.

Это сохраняет форму витков и исключает обрывы адресных обмоток матрицы, что повышает надежность ее изготовления.

1088069

Составитель Ю. Розенталь

Редактор П. Коссей Техред 0.Неце Корректор Г. Orap

Заказ 2681/49 Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по дедам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Финиаа ППП Патент" r. Ужгород, ул. Проектная, 4