Дифференциальный усилитель тока

 

1. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСШШТЕЛЬ ТОКА, содержащий последовательно соединенные первый транзистор, база-эмиттерный переход которого шунтирован транзистором в диодном включении, и второй транзистор, коллектор которого является первым выходом дифференциального усипителя то5СЯГОШ31 ЛЯ i3:f::-)3 гасашшККА ка, включенные по схеме с общим змиттером , первый и второй источники входного тока,выходы которых подключены соответственно к базе и коллектору первого транзистора, о т л и чающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента подавления синфазных помех, в него введены последовательно соединенные первый и второй дополнительные транзисторы, включенные по схеме с обвщм эмиттером , и дополнительный транзистор в диодном включении, шунтирукнций базаэмиттерный переход второго транзистора , база которого соединена с базой g первого дополнительного транзистора, коллектор которого подключен к базе первого транзистора, причем коллектор второго дополнительного транзистора является вторым выходом дифференциального усилителе тока.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

В

РЕСПУБЛИН

O9) 01)

З(Д) Н 03 F 3/45

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЯ И ОТНРЫТЬЙ (21) 3458438/18-09 (22) 29.06.82 (46) 07.06.84. Бюл. Ф 21 (72) М.В. Гальперин (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт прикладной геофизики (53) 621.375.024(088.8) (56) 1. Рутковский Дж. Интегральные операционные усилители. М., "Мир", 1978, с. 245.

2. Современные линейные интегральные микросхемы и их применение. М., "Энергия", 1980, с. 22-25 (прототип). (54)(57) 1. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ТОКА, содержащий последователь. но соединенные первый транзистор, база"эмиттерный переход которого шунтирован транзистором в диодном включении, и второй гранзистор, коллектор которого является первым выходом дифференциального усилителя то ка, включенные по схеме с общим эмиттером, первый и второй источники входного тока, выходы которых подключены соответственно к базе и коллек- тору первого транзистора, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения коэффициента подавления синфаэных помех, в него введены последовательно соединенные первый и второй дополнительные транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером, и дополнительный транзистор s диодном включении, шунтирующий базаэмиттерный переход второго транзистора, база которого соединена с базой первого дополнительного транзистора, I коллектор которого подключен к базе первого транзистора, причем коллек- . тор второго дополнительного транзистора является вторым выходом дифференциального усилитезщ тока. Ф е 1096754 фициентом мех, 2. Усилитель тока по п.1, о т— л и ч а ю шийся тем, что между эмиттерами соответственно второго и второго дополнительного транзисторов и общей шиной введены база-эмиттерные переходы соответственно третьего и четвертого дополнительных тран зисторов, коллекторы которых соедине-, ны с коллекторами соответственно второго дополнительного и второго тран,зисторов, а между эмиттерами соответственно первого, первого дополнительного транзистора, транзистора в диод,1

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в составе интегральных микросхем усилителей постоянного и переменного тока.

Известен дифференциальный усили- 5 тель тока, содержащий токоразостный каскад, в котором транзистор в диодном включении установлен на входе пер.вого из двух последовательно соединенных каскадов, включенных по схеме с общим эмиттером, причем входные токи задаются в транзистор в диодном включении и в коллектор первого каскада, включенного по схеме с общим эмиттером, а выходной ток снимается с коллектора второго каскада, включенного по схеме с общим эмиттером(1).

Однако известный дифференциальный усилитель тока характеризуется асимметрией входных цепей, создающей раз- баланс усиления по входам.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является дифференциальный усилитель тока, содержащий последовательно соединенные первый транзистор; база-эмиттерный переход которого шунтирован транзистором в диодном включении, и второй транзистор, коллектор которого является первым выходом дифференциально- 30 го усилителя тока, включенные по схеме с общим эмиттером, первый и второй источники входного тока, выходы которых подключены соответственно к базе и коллектору первого транзистора (23 ° 35

Однако известное устройство харак- теризуется сравнительно малым коэфном включении и дополнительного транзистора в диодном включении и общей

,шиной введены база-эмиттерные переходы соответственно пятого, шестого, седьмого и восьмого дополнительных транзисторов, при этом коллекторы пя,того и восьмого дополнительных транзисторов подключены к базе первого транзистора, а коллекторы шестого и восьмого дополнительных транзисторов подключены к базе первого дополнительного транзистора.

2 подавления синфазных поЦель изобретения — увеличение коэффициента подавления синфазных помех.

Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальный усилитель тока, содержащий последовательно соединенные первый транзистор, база-эмиттерный переход которого шунтирован транзистором в диодном включении, и второй транзистор, коллектор которого является первым выходом дифференциального усилителя тока, включенные по схеме с общим эмиттером, первый и второй источники входного тока, выхо,;ы которых подключены соответственно к базе и коллектору первого транзистора, введены последовательно соединенные Первый и второй дополнительные транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером, и дополнительный транзистор в диодном включении, шунтирующий база-эмиттерный переход второго транзистора, база которого соединена с базой первого дополнительного

/ транзистора, коллектор которого подключен к базе первого транзистора, причем коллектор второго дополнительного транзистора является вторым выходом дифференциального усилителя, тока.

При этом между эмиттерами соответСтвенно второго и второго дополнительного транзисторов и общей шиной введены база-эмиттерные переходы соответственно третьего и четвертого до-полнительных транзисторов, коллекторы

Э 11)967 которых соединены с коллекторами соответственно второго дополнительного и второго транзисторов, а между эмиттерами соответственно первого, первого дополнительного транзистора, транзистора в диодном включении и дополнительного транзистора в диодном включении и общей шиной введены базаэмиттерные переходы соответственно пятого, шестого, седьмого и восьмого дополнительных транзисторов, при этом коллекторы пятого и седьмого дополнительных транзисторов подключены к базе первого транзистора, а коллекторы шестого и восьмого дополнительных транзисторов подключены к базе первого дополнительного транзистора.

На фиг, 1 представлена схема дифференциального усилителя тока по п.1; на фиг. 2 — схема дифференциального усилителя тока по и. 2.

Дифференциальный усилитель содержит первый, второй транзисторы 1 и 2, транзистор 3 в одном включении, первый и второй источники 4 и 5 входного тока, первый и второй дополнительные транзисторы 6 и 7, дополнительный транзистор 8 в диодном включении а также третий, четвертый, пятый,шестой, седьмой и восьмой дополнительные транзисторы 9 — 14.

Дифференциальный усилитель тока работает следующим образом.

Входной ток I „ 1воздействует на базы второго и первого дополнительного транзисторов 2 и 6 (фиг. 1), вы35 зывая приращение их коллекторных токов. Рост коллекторного тока первого дополнительного транзистора 6 вызы54 4 вает уменьшение тока второго дополнительного транзистора 7. Вместе с тем входной ток 1 2воэбуждает базы

8х2 второго дополнительного и первого транзисторов 7 и 1, тем самым воздействуя на токи коллекторов второго и второго дополнительных транзисторов 2 и 7 (Те,„,ibblgz).

Транзистор 3 в диодном включении и дополнительный транзистор 8 в диодном включении фактически служат для предотвращения возникновения триггерного режима.

Функции первого, второго, первого и второго дополнительных транзисторов 1, 2, 6 и 7, транзистора 3 в диод. ном включении и дополнительного транзистора 8 в диодном включении выполняют соответственно .первый и пятый дополнительный транзисторы 1 и 11, второй и третий дополнительный транзисторы 2 и 9, первый и шестой дополнительные транзисторы 6 и 12, второй и четвертый дополнительные транзисторы 7 и 10, транзистор 3 в диодном включении и седьмой дополнительный транзистор 13, дополнительный транзистор 8 в диодном включении и восьмой дополнительный транзистор 14.

При использовании составных транзисторов (фиг. 2) в каждой паре, образующей составной транзистор, коллекторы объединены с раэньвки плечами дифференциального усилителя тока, они имеют общие коллекторные слои, благодаря чему достигается повышенная симметрия как входных, так и выходных цепей.

ВНИИПИ Заказ 3841/42 Ти аж 862 Подписное

Филиал ШЗП "Патент ° г,Ужгород, .ул.Проектная, 4