Полупроводниковые нелинейные конденсаторы

 

Х 11ОМ1

Класс 21g, 10е, СССР!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ6СТВУ

Б. М. Вул

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НЕЛ ИНЕЙ НЪ|Е КОНДЕНСАТОРЫ

Заявлено 29 )ионя 1954 г. за >о 02407/460177 в Министерство радиотехнической промыинленностн СССР и обретения

П рсдмот

Известные нелинейные конденсаторы выполняются из сегнетоэлектрической керамики, в частности, из титаната бария. Керамические конденсаторы должны выполняться достаточно тонкими, что представляет значительные технологические трудности. Даже при толщине керамических пластинок в 0,1 .н.н к обкладкам конденсатора приходится подводить достаточно большие напряжения для заметного изменения емкости, обусловленной изменением диэлектрической проницаемости под воздействием электрического поля.

Согласно изобретению, предлагается использовать в качестве нелинейных конденсаторов электронно-дырочныс переходы (pn-переходы) между электронной и дырочной частями полупроводника, которые имеются в производимых промышленностью полупроводниковых диодах и триодах. Емкость указанных переходов в отличие от керамических конденсаторов в большой степени зависит от приложенного к .—:пм н а и ряжения.

Измененпс емкости электроннодырочных переходов вызвано изменением толщины переходногo слоя под воздействием приложенной разности потенциалов.

В полупроводниковых триодах изменение емкости коллекторного перехода достигается нс только изменением напряжения на коллекторе, но и измене нем электронного тока.

Полупроводниковые диоды и триоды в качестве управляемых конденсаторов могут быть использованы в усилителях для систем дистанционного управления и других целей.

Примсне ис полупроводниковых диодов и триодов в качестве полупроводниковых нелинейных кондепсаторов, изменение емкости которых осуществляется изменением напряжения на диодах и изменением коллекторного напряжения либо электронного тока в триодах.