Электроустановка для выращивания монокристаллов

 

Ж 113495

Класс |2с, 2

СССР

1-, t °!

" .нч

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. И. Абрамов, В. С. Аветисов, И. Д. Соколин, В. Г. Ильин и М. И, Скотников

ЭЛЕКТРОУСТАНОВКА ДЛЯ ВЪ|РАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Заявлено 13.августа 1956 г. за № 556156 в Комитет ио делам изобретений и открытий при Совете Мини TpoB СССР сельным клапаном с жесткой передачей от электрических часов.

Конструкция печи поясняется чертежом.

Известно применение в промышленности электрических печей с тиглем для выращивания крупных искусственных кристаллов. а также автоматизированных электрических печей с силитовыми стержневыми нагревателями. Однако эти печи обладают тем недостатком, что не имеют программного изменения температуры.

Описываемое изобретение устраняет указанный недостаток и отличается от известных тем, что для создания благоприятных условий по выращиванию монокристаллов типа титаната, бария, лития и различного рода солей из расплавов применен ,алундовый экран цилиндрической формы с внутренними спиральными каналами для прохождения воздуха, переменный расход которого вполне обеспечивает программное изменение температуры.

Малогабаритная установка для выращивания монокристаллов состоит из электрической части со стабилизаторами напряжения и регулирующим потенциометром; электродвигателя с .компрессором и дросЭлектропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3.

Внутри электропечи заключен жаропрс шый, например из алунда. глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха . Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.

Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства пе tH.

Таким образом. теми..затура тигля 6 с расплавом, потоком воздуха в алундовом цилиндре регулируется в пределах от 800 до |400 в течение 24 часов. № 1)3)95 ° < пуск

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Отв. редактор Д. Г. Голандский

Информационно-издательский отдел

Объем 0,17 и. л. Зак. 2376 Тираж 700

Подп. к печ. ЗОЛЧ1-58 г.

Цека 25 коп.

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва. Петровка, 14.

3 е ф

Предмет изобретения

1,, 1

Э ектроустановка для выращивания " монокристаллов типа титаната бария, лития и других расплавов, состоящая из электропечи с силитовыми нагревателями, на которые подается постоянная максимальная мощность тока, стабилизатора»апряжения, регулирующего потенциометра, компрессора и дроссельного воздушного д1 фференци ального кл апана, отличающаяся тем, что для получения программного регулирования температурного режима в рабочем пространстве печи, в ней установлен жаропрочный алундовый цилиндрический экран с имеющимися в его стенках каналами для прохождения воздуха, переменный расход которого обеспечивает программное изменение температуры, например, в пределах от 800 до 1400 за 24 часа.

Электроустановка для выращивания монокристаллов Электроустановка для выращивания монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов

Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада

Изобретение относится к новому соединению класса оптических материалов - ахроматоров на основе неорганических кристаллических соединений, конкретно к сложным кальциевым тетрагерманатам эрбия и иттрия состава ЕrхY2-xCaGe4 O12, где 0.1<х0.3, которые могут быть использованы в фотонике в качестве оптической среды для преобразования монохроматического излучения лазера с длиной волны 975+/-5 нм в полосу от 1483 нм до 1654 нм ( =3500-4200 см-1) с одновременным усилением преобразованного излучения

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств

Изобретение относится к технике для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений, в частности к сцинтиляционным материалам

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при разработке лазеров инфракрасного диапазона
Наверх