Фотоэлектрический рефрактометр

 

1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕФРАК .ТОМЕТР, содержащий последовательно чустановленные излучающий параллельный пучок света, осветитель, фокусирующую систему, фокальная плоскость которой совпадает с поверхностью измерения. и приемную систему, отличающийся тем, что, оптические оси осветителя, фокусирующей системы и приемной системы расположены параллельно , причем осветитель установлен с возможностью перемещения перпендикулярно его оптической оси в плоскости, образуемой оптическими осями осветителя и фокусирующей системы. 2.. Рефрактометр по п. 1, о т л ичающий ся тем, что опт11ческие оси осветителя, фокусирующей системы и приемной .системы расположены в одной плоскости. 3. Рефрактометр по п. 1, о т л ичающийся тем, что фокусирую (Л щая система состоит из последовательно расположенных асферической линзы и полусферы, основание которой совпадает с поверхностью измерения. В Г 1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

034МЛЮ

РЕСПУБЛИК

SU„„101 1

ym Ь 01 N 21/43

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

©ие.f (89) 145481 ГДР (21) 7770965/18-25 (22) 05.12.79 (31) 1МР 6 01 и /210373 (32) 08.01.79 (33) ГДР (46) 07.07.84. Бюл. М- 25 (72) Петер Эйзенхут (ГДР) (71) ФЕБ Карл Цейсс Йена (ГДР) (53) 535.242(088.8) (56) 1. Харрик Н. Спектроскопия внут- реннего отражения. M. "Мир", 1970, с. 305.

2. Патент США N - 3999857, кл. 356-133, 1975. (54)(57) 1 ° ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕФРАКТ0МЕТР содержащий последовательно ,установленные излучающий параллельный пучок света, осветитель, фокусирующую

: систему, фокальная плоскость которой совпадает с поверхностью измерения, и приемную систему, о т л и ч а ю— шийся тем, что, оптические оси осветителя, фокусирующей системы и приемной системы расположены параллельно, причем осветитель установлен с возможностью перемещения перпендикулярно его оптической оси в плоскости, образуемой оптическими осями осветителя и фокусирующей системы.

2,. Рефрактометр по п. 1, о т л ич а ю шийся тем, что оптические оси осветителя, фокусирующей системы и приемной системы расположены в одной плоскости.

Ф

3. Рефрактометр по п. 1, о т л и- Е ч а ю шийся тем, что фокусирую- уу щая система состоит из последователь- %Ф Ф но расположенных асферической линзы и полусферы, основание которой совФ\ падает с поверхностью измерения.

1 1 l01

Изобретение относится к устройству для автоматического измерения показателя преломления, преимущественно жидких сред, по принципу полного внутреннего отражения. 5

Известен фотоэлектрический рефрактометр, содержащий осветитель, рабочий элемент и приемную систему (1). ,Недостатком этого устройства является низкая точность. 10

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является фотоэлектрический рефрактометр, содержащий последовательно установленные излучающий параллельный пучок света, осветитель, фокусирующую систему, фокальная плоскость которой совпадает с поверхностью измерения, и приемную систему (21.

Недостатками известного устройст- 20 ва является сложность его изготовления и высокая стоимость, а также низкая точность, обусловленная зависимостью пути света от показателя преломления. ° 25

Целью изобретения является устранение указанных недостатков.

Для достижения указанной цели в фотоэлектрическом рефрактометре, со- З0 держащем последовательно установленные излучающий параллельный пучок света, осветитель, фокусирующую систему, фокальная плоскость которой совпадает с поверхностью измерения, и при- 35 емную систему, оптические оси осветителя, фокусирующей системы и приемной системы расположены параллельно, причем осветитель установлен с ъозможностью перемещения перпендикуляр- .40 но его оптической оси в плоскости, образуемой оптическими осями осветителя и фокусирующей системы.

При этом оптические оси осветителя, фокусирующей системы и приемной 4> системы могут быть расположены в одной плоскости, а фокусирующая система может состоять из последовательно расположенных асферической линзы и полусферы, основание которой совпадает с поверхностью измерения.

На фиг. 1 показана схема устройства, на фиг. 2 и 3 — варианты его выполнения.

721 ъ

Фотоэлектрический рефрактометр со держит (фиг. 1) осветитель 1 с источником 2 света и коллиматором 3 с оптической осью 01-01, приемную систему

4 с оптической осью 02-02, которая состоит из фотоприемника 5 и конденсатора 6, фокусирующую систему 7 с плоской поверхностью 8 измерения.

Осветитель 1 формирует параллельный пучок света 9.

Осветитель 1 имеет возможность перемещения в направлении, обозначенном стрелкой 10. Он может быть выполнен в виде источника света и диафрагмы 11 (фиг. 2).

Смещение пучка 12 может быть осуществлено плоскопараллельной пластиной 13, имеющей возможность поворота вокруг оси Х-Х. Фокусирующая оптическая система l4 может состоять из асферической линзы 15 и полусферы 16 с поверхностью 17 измерения.

Осветитель 1 и приемная система

4 могут быть расположены на одной оси (фиг. 3). В этом случае устройст-, во включает призму 18 с отражающими поверхностями 19 и 20, фокусирующую систему 21 в виде усеченного параболоида вращения с поверхностью 22 измерения. Призма 18 имеет возможность перемещения в плоскости чертежа в направлении, указанном- стрелкой 23 для смещения пучка 24.

Устройство работает следующим образом.

Параллельный световой пучок 9, сформированный осветителем 1 и фокусирующей системой 7, фокусируется на поверхности 8 измерения, отражается от нее.и, проходя после отражения через фокусирующую систему 7 и конденсатор 6, собирается на одном и том же месте фотоприемника 5. Для согласования с углом полного внутреннего отражения, осветитель перемещается в направлении стрелки 10.

Варианты устройства (фиг. 2 и 3) работают аналогично, причем согласование угла падения света на поверхность измерения с углом полного внутреннего отражения осуществляется пучком поворота плоскопараллельной пластины 13 (фиг. 2) либо перемещением призмы 18 (фиг. 3).

1101721

Х-Х

Заказ 4756/28

Тираж 823 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель С.Бочинский

Редактор В.Иванова Техред Л. Коцюбняк Корректор А. Ильин

Фотоэлектрический рефрактометр Фотоэлектрический рефрактометр Фотоэлектрический рефрактометр 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к способам и устройствам для определения показателя преломления окружающей среды, находящейся в жидкой или газовой фазе, по изменению характеристик поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ)

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к способам определения оптических параметров (показателя преломления, показателя поглощения и толщины) проводящих образцов по значениям характеристик поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) и может быть использовано в металлооптике, при производстве металлодиэлектрических волноведущих структур, металлических зеркал и подложек, а также в других областях науки и техники

Изобретение относится к аналитическому приборостроению, в частности к способам осуществления массообменных процессов с применением оптоволоконных химических датчиков

Изобретение относится к области технической физики, а точнее, к рефрактометрическим приборам, предназначенным для измерения показателя преломления и других связанных с ним параметров твердых и жидких сред

Изобретение относится к области передачи и получения информации посредством поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) терагерцового (ТГц) диапазона (частота от 0,1 до 10 ТГц) и может найти применение в спектроскопии поверхности твердого тела, в электронно-оптических устройствах передачи и обработки информации, в инфракрасной (ИК) технике

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к, микроэлектронным датчикам - химическим и биосенсорам, предназначенным для одновременных акустических на поверхностно-акустических волнах (ПАВ) и оптических исследований физико-химических и (или) медико-биологических свойств тонких порядка 0.1 мкм (100 нм) и менее нанопленок

Изобретение относится к спектрофотометрии и может быть использовано для исследования пространственного распределения комплексного показателя преломления по поверхности сильно поглощающих материалов

Изобретение относится к модуляционным способам спектральных измерений, в частности оптических постоянных, и предназначено для определения параметров поверхности и слоев тонких пленок, например, полупроводниковых гетероструктур
Наверх