Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

y(5D G 01 N 22/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3466855/18-09 (22) 14. 07.82 (46) 23 08 84. Бюл. Ф 31 (72) Ю.К. Григулис, В.N, Пориньш и Я.3. Силиньш (71) Физико-энергетический институт

АН Латвийской ССР (53) 621.317.39 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

У 456197, кл, G 01 N 22/00, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР

У 166763, кл. G О1 N 22/00, 1962 (прототип) ° (54)(57) ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ, содержащий щелевой из„„SU„, 1109612 А лучатсль, соединенный с СВЧ генератором и индикатором, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения параметров полупроводниковых материалов в виде слоистых структур, щелевой излучатель выполнен в виде отрезка несимметричной полосковой линии, в экранирующей пластине которой прорезано не менее двух излучающих щелей, расположенных друг от друга на расстоянии и /2, при этом длина каждой излучающей щели равна 7, а ширина (О, 1-0,01) Р, где h - длина волны в отрезке несим» метричной полосковой линии.

1109612 Изобретение относится к контроль— но-измерительной технике и может использоваться для контроля пара— метров слоев полупроводниковых стр уктур на СВЧ.

Известен сверхвысокочастотный из мерит ел ь для из мер ения эле ктр офизических параметров полупроводни— ковых структур, содержащий СВЧ генератор, подключенный к волноводному резонатору, с отверстием, к которому прижат исследуемый образец (! ).

Недостатком этого устройства является то, что оно имеет сравнит .льно большие габариты, и сложно в изготовлении.

Наиболее близким технически по сущности к изобретению яв«яется измеритель электрофизических пара—

l0 метров по.!упроводн«когзых материалов, содержащий щелевой излучатель в виде отрезка вол«овода, соединенный с СВЧ генератором и и«дикатором (2 !.

Однако и:3вестн1!Й измеритель электрофизическ«х параметров полупроводниковых материалов не обеспечивает высокую точность измерения параметров полупроводниковых материалов в виде слоис тых структур .

Цепь изобретен«я — !!о!3!!!!!ение тo÷— ности измерений параметров попупроводниковых материа33ов в виде слоистых структур.

Поставле«ная цель пост«гается тем, что в измерителе э.!с ктрофизических параметров полу«ро13ол«икс ьп1х мате— риалов, содержащем щелевс и излучатель, соединеныьи1 с СБЧ ге«с ратором и инди- !О катором, щелеf3off излучатепь вья3олне« в виде отрезка нсс«ммс3трич«ой попос—

КОВО!I ЛИH!Пl р !3 Э1 .!За юiI.P " ЮЩPII ПЛаCТИНЕ которой прореза.lo Hp»ef!Ce двух из—

3T afI3IIf3IX life«CII, P IC«Of!OP!If -f !3T ДРУI от друга на расстоянии Л /2, при этом дл.l«а каждой If çëó.lã.If!I!Tåé щели равна Л а ш31р ÄIa (0 — 0,01),l

Где Л дЛИ«а f30«III f 13 Отр с3 3 ке ITIC IT I метричной полоскосfoй:1«««и. б

На фиr. 1 при!3едpнп конструкция измерителя электрофизических параметров пол упро!3одниковь3х материалов, на фиг.2 — разрез Л-Л на фиг.1; на фиг.3 — разрез В-В »а фиг.1.

Измеритель электрсфизических па раметров с1о 1 про:oÄfl«fo!If fx материалов со Ivp+If I if!p.!евой и 3лучатель 1, соед«нс ннп !й с СВЧ генератором 2 и инди катором 3, «р«этом щелевой иэлуча— тель 1 13ы3!олнен в виде отрезка нееff .1М(..1 !ЭИЧ Ной «ОЛОСКОВСЙ ЛИНИИ, В экра«ирующей пластине 4 которой про резано не менее двух излучающих ще.!еи 5, расположенных друг от друга на расстоянии Л /2, при этом каждой излучающей щели 5 равна Л, а ширина (0,1-0,0!) rf где Л вЂ” длина волны в отрезке несимметричной полосковой линии .

Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов работает следующим образом.

От СВЧ генератора 2, созданного на отрезке несимметр«чной полосковой ли«ин, энергия передается непосредстве«но к присоединенному щелевому излу !ателю 1. Часть энергии электрома !.«ит«ого поля излучается через щелевой излучатель 1, который обеспечивает оптимальное излучение при длине излучающей щели 5, равной и f!ITpII f f e в излучающей щели 5 b = (О, 1-0,01) Л и расстоянии между ними с! = Л/2, где Л вЂ” длина волны и отрезке несимметричной полосковой линии.

Пр« наложении контролируемого образца «а излучающие щели 5 происходит отражение электромагнитной э«ергии от контролируемого образца.

Отраженная часть электромагнитной э«ергии изме«яет величину попадающей на индикатор 3 электромагнитной энергии, что регистрируется индикатором 3. В зависимости от электрофизических свойств поверхностного слоя контролируемого образца (например, поверхностного сопрст«вле»ия диффузионных полупро13одниковых ctp3fктур), происходит различное отражение электромагнитной энерги!1 от контролируемого образца и и«дикатор 3 показывает различные значе1ьия тока

Положи тел ь ный эффект от ис пол ьзования предлагаемого изобретения заключается в существенном упрощении устройства, уменьшении его габаоитов и повышении точности из:-!ер ения параметров полупроводниковых материалов в виде слоистых структур в Тр« ра за .

1109612

Составитель В ° Ежов

Техред Л.Коцюбняк Корректор В, Синицкая

Редактор Г.Волкова

Заказ 6019/27

Тираж 823 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, R-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул . Проектная,4