Формирующая линия ударной волны

 

ФОРМИР 10и А.Я ЛИНИЯ УМРНОП ВОЛНЫ, содержащая подложку, поверхность одной из сторон которой металлизирована , и у ячеек, каждая из которых образована индуктивным элементом и конденсатором, причем в качестве конденсаторов использованы р-и-переходы полупроводниковых диодов, а индуктивные элементы образованы проводниками, соединяющими первые электроды полупроводниковых диодов, при этом индуктивные элементы, присоединенные к первым электродам полупроводниковых диодов первой и последней ячейки, образуют соответственно вход и выход, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем укорочения фронта выходного импульса и уменьщения )еравномерВ S ности его вершины, в качестве вторых электродов полупроводниковых диодов использована подложка, выполненная из полупроводникового материачгггга ла, с дополнительно металлизованной поверхностью торцов и другой ее стороны , кроме участков р-и-переходов полупроводниковых диодов.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) Н 03 К 5/01

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЫ:ТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3602 728/18-21 (22) 01.06.83 (46) 09.84 Бюл. М 35 (72) Е.Н.Буторин, А.Д.Гинзбург, A.Â.Ãîðøêîâ, Г>.В.Писарев, Ю.С.Зайцев и Н.А.Огаркова (53) 621.373(088.8) (56) 1. Моругин A.À., Глебович Г.В.

Наносекундная импульсная техника.

М., "Советское радио", 1964, с.245—

261.

2. Буторин E.Н., Писарев Б.В.

Формирующая линия на СВЧ варакторных диодов. — Техника средств связи. Сер. Радиоизмерительная техника", вып. 4(15), 1981. с.69-71 (прототип). (54) (57) ФОРМИРУ10ЮЯ ЛИНИЯ УДАРНОЙ

ВОЛНЫ, содержащая подложку, поверхность одной из сторон которой металлизирована, и и ячеек, каждая из которых образована индуктивным элементом и конденсатором, причем в качестве конденсаторов использованы р- и -переходы полупроводниковых диодов, а индуктивные элементы образованы проводниками, соединяющими первые электроды полупроводниковых диодов, при этом индуктивные элементы, присоединенные к первым электродам полупроводниковых диодов первой и последней ячейки, образуют соответственно вход и выход, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем укорочения фронта выходного импульса и уменьшения неравномерФ ности его вершины, в качестве вто- Е рых эл е к тродов полупроводниковых диодов использована подложка, выполненная из полупроводникового матерна- ( ла, с дополнительно металлизованной поверхностью торцов и другой ее стороны, кроме участков р- q -переходов полупроводниковых диодов.

1, ) )213!.,!)(т(т !

:. ед!.-: ь", т.т! (т)- ОB f)B ((ИЕ 0 Г IOO b- 1 . Я (с т Я !1И«ИЗ МЕВиталт.НОЙ ТЕХНИКЕ H МожЕТ бЫТЬ ИСПОЛЬ

ЗО::,Я;-:0:(ЛЯ фОРМИРОВаНИЯ ИМП)тЛЬСОВ с и и K o o B òñ i ц т HTI M ф р О н т О м и.(I и срезом 8 бь(стоодействую(пих радиоизмерител(ь)мх с приборах Ге нер атд!..Ях 1 .мпуль СОВ, СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫХ СТРОО -ОСЦИ(IЛОГРЯ фах --; Tp, ) ! т(3 Б != С Т Н Я Л И Н )(Я Уд ЯР с! О и Б ОЛ Н Ы содержащая стержни, помещенные в отве()стия латунной посеребренной пластины, я;-.ежду ними и с,eнками отверстий поме((тен,ьтиэлектрик. На

С ТЕ Ртв;111(Н8(lBЯ!Ibl ВЫВОДb! K= ::ТУШЕK HЯ

ФЕГ2ОИТОЗЫХ К(тЛьпях. Обряэу(01((ИХ НЕ

Л= Ной НЫЕ !ГИДУ (ТИВ НОСТИ ЯЧЕЕК с1 J,, ..(,Он(:.:)(- ус-. ройс Гьс формирует имПудЬСЬ(д. -,.т-ТЕJ:тлl«СТЬЮ po !.!O ПС) Од—

НЯКО Еl 0 ((ЕДО(:7 с! ((ОМ ттвляЕ 1 Ся ЕKHO

ji0. ическr(я слож!(o т(, сборки и пайки

3 IЗЕ1(ЬЕВ, Як Ка К 1! с1 (МЕPhl ИХ ДОСТЯТОЧ—

1!Ст Ман!т: . (тт,")О "((.1 ОГО, .1;И! IC .(BHOOÒÜ @poj(тс-. ст т ; т.(.(- 2ЙО . С H ТЯКТОБссас Ч 10 j OÒ(T ЛO Ст:Е т! КИЛО "В Ц Д! Я 7 Я КИХ ) Иl! тт.т ЯБ;(!7:0-:—! 1((т:е ! е. 1 Ьli 1(м,(,. !! ня .,ристяллоде:.„:::: (и,И.;((с)НЬ(Х т.иоl(OBт (,,! В;С:((: с:, : Я ("

ЗИОО()ЯНП«й П«ВЕОХ1 () 1 - - : -=- :- : -O;1»i " -". с

)r;дт,т П,.! у(!ПО(io:(!!!i((.)". ;!) т) Отти:;!)(01!«02Я с(! Лт, От(в!о !i!(ò ()Ь(Х01)у

НП;С О тт!2(дт!),,тт(; 1 от, .. стт:.ттr r;pi)(т(!!(!С: ((ВТ .-(М Нт Дс) С Та тско!М сст(B. (Яс СЯ ТО чтÎ дл1 1 !"ельиост "> фрон !. а пьгхо,iioI o имп -.Льса не мi= ныне 60 пс,, -ак кя;(ня выхс де .-;(Яждой ячейки попключена пярязитняя =NKooò(-. контяктнОЙ площяд ки. г!.с) может быть интерпретировано 55

КЯК :тВЕЛИЧЕ.(ИЕ ВЫСОКОЧаС:!ОТНЫХ ПатЕРЬ, ухудш !ющее фар ;ирующие свойства линии

rnß. iтт0й ВOЛ;(Ы °

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей путем у(орочения фронта выходного имгульса и уменьшение нарявномерност- eгo вершины.

Указанная цель достигается -ем, что в формирующей линии ударной волныт. содержащей подложку, поверхность одной из сторон которой металл-(зирована, и Г(ячеек, каждая из которых образована индуктивным элементом и конденсатором, причем в качестве кон— де (ca7 ороВ H«17oльзованы p- j(-пеРС ХОПЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИО До "3 я индуктивные элементы образов;(ны проводниками, соединяющими первые злектвЂ:)опы полупроводниковых диодов,, при .«м и(гдуктивные элементы, присоеди, :,-:.((! (е к первым электродам пол)!Провод-.ит(ОВЬтк ДИОДОВ ПЕРВОЙ И ПОСЛЕД.(Ей

:=- =йтти! ОбраэуЮ". СООтВЕтСтВЕННО ВХОД

Н!тlход В КЯЧЕСТБЕ ВТОРЫХ Эт(Е (Т1)О—

ДО!3 fiOJ))TПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ 1- "IIO. 7Ь зонана подложка, выполненная и) по.(упроводниково" о материала,: лов полнительно металлизирован ной; ове рх (0«тью торцов и другой ее с с«:. )Ны, (p0)jå чястков р-и-;: ...Оеходс - . т )лу-:;, i; В !»-т Н И К O В b „ П И т Д 0 (т!)ИГ. . И ПОКЯЗЯНЯ KOH07 !))тКЦИЯ тт:, т.);т(-2РУ(- ГЗ i .пИ HH УДЯРНОй BOJI!i:j;

Формир",ч;!щая линия ударной В() Iíhj, 0ДЕГс т H Т ПОЛУПРОВОДНИКОВ )тю Пот(ЛОЖКУ (.р ) типа, ня которой ня о(ределснном расстоянии один от другого образованы р- 6 †перехо 2 (ба!)ьеры

Шотт((и) полупроводниковых диод.)B

«r)i Диненные Г(роводникам)т 3 . (1!OJ(-н-пощими фу((кцию индуктивных з.. :мен" тов. Подложка имеет металлизирэванную поверхность 4 одной ст )роны и метяллизированную лове )х ность 5 торцов и другой сторонь! (кроме участков p Q -переходов 2 полупроводниковых диодов). Вход ) H выход 7 образованы индуктивными элементами, присоединеHHbMH к перBh(M электродам полупроводников,Ix диодов, соответственно первой и последней ячеек.

Повышение однородности ячеек линии исключает появление участков с разным волновым сопротивлением (характеристичиским импедансом ;т приводящих к переотражениям сигнала, я следовательно, к повышенной

1115213 го.

Составитель В.Седов

Техред И.Асталош Корректор А.Фоври

Редактор А.Козориз

Заказ 6790/43

Тираж 861 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 неравномерности вершины последнеФормирующая ЛУВ работает следующим образом.

Импульс внешнего генератора (не показан с относительно крутым фронтом подается на вход 6 линии между проводником 3 и металлизированной поверхностью 5. P- n -переходы 2 (барьеры Шоттки) включены для сиг- 10 нала в обратном направлении, поэтому с увеличением амплитуды сигнала при прохождении фронта импульса происходит уменьшение значения барьерной емкости р-и -переходов 2. 15

В результате возрастает скорость про хождения сигнала по линии, так как она обратно пропорциональна корню квадратному из произведения значений барьерной емкости диодов (р- -пере- 20 ходов или барьеров Шоттки) и индуктивностей проводников 3, т.е. с увеличением амплитуды сигнала при прохождении его фронта по ЛУВ вершина импульсов "догоняет" основание — происходит укорочение фронта импульсов.

На макете такой линии ударной волны получен импульс с длительностью фронта 40 пс при амплитуде 10 В. Улучшение неравномерности вершины импульса осуществляется путем повышения однородности ячеек, а именно одинаковости длин индуктивностей и размеров и значений конденсаторов, так как исключаются переотражения сигнала между ячейками линий вследствие повышения однородности ее волнового сопротивления, что приводит к уменьшению неравномерности вершины не менее чем в 2 раза по сравнению с известной линией, нер авно мерно сть в ершины импульса которой составляет )07..