Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

 

КАНАЛ ДЛЯ ПГОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ MATWiTHbDC ДОМЕНОВ, содержащий мзгнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои с выполненными в них группами периодически расположшных отверстий , каждое из которых ограничено двумя выми и двумя торцовь(ми стенками, отличающийся тем, что, с целыо повышения надежности канала, в нем по крайней мере одна боковая сторона отверстий выполнена вогнутой формы.

СОЮЗ СОВЕТСИИХ

СООИАЛИС ЩЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

09) (И) gag 6 11 С 11/14

//

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ " /

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ1ТИЙ

Ю уО г Р

l

L (21) 3592582/18 — 24 (22) 04.04.83 (46) 07.10.84. Бюл. И 37 (72) В. К. Раев, М. П. Шорыгин и А. В. Сми. рягин (71) Институт электронных управляющих машин (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1. Bef9 Syst. Tech. Jonr., 1979, V. 58, N 6, part. г.

2. Патент США Р 4162537, кл. 6 11 С 19/08, опублик. 1979 (прототип). (54) (57) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены иэолированные один от другого токопроводящие слои с выполненными в ннх группами периодически расположенных отверстий, каждое иэ которых ограничено двумя боко". вымн и двумя торцовыми стенками, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью тювышения надежности канапа, в нем по крайней мере одна боковая сторона отверстий выйолнена вогнутой формы.

1117710

Целью изобретения является повышение на.. дежности канала для продвижения ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что в канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои с выполненными в них, Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), Известен канал для продвижения ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку с ионно-имплантированными участками, на которой расположены изолированные токопроводящие слои с периодически расположенными отверстиями, смещенными относительно соответствующих ионно-имплантированных участков 111.

Однако такой кмйл требует для продвижения

ЦМД больших токов, что приводит к нагреву пленки и снижению надежности канала для продвижения ЦМД. 15

Наиболее близким к изобретению является канал для продвижения ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой находятся изолированные слои проводника, причем в этих слоях выполнены группы периодически располо- 2р женных отверстий, каждое из которых ограничено двумя боковыми стенками и двумя торцовыми стенками, причем указанные отверстия имеют выпуклую форму. Боковыми стенками отверстия являются. c åíêè, поперечные направлению управляющего тока, а торцовыми -, стенки линейные, ломаные либо криволиней-< . ные. Возможно два варианта канала для продвижения ЦМД вЂ” с продвижением ЦМД попе речно направлению управляющего тока и с продвижением ЦМД продольно току. В первом случае боковыми стенками отверстий являются стенки, продольные оси канала для продвижения ЦМД, а.во втором случае боковыми стенками — стенки, поперечные оси канала. Для эффективной работы канала необходима максимальная локальная плотность „управляющего тока именно на торцовых сторонах отверстий, ° поскольку, именно под ними генерируются магнитостатическне ловушки . (МСЛ) и фикси-. руются ЦМД (2) .

Однако топология известных каналов для продвижения ЦМД не обеспечивает максимальной локальной плотности на торцовых стенках отверстий, что обусловливает необходимость

45 подачи больших управляющих токов (до

2-ЗА) с большим рассеянием мощности в канале. Это, в свою очередь, вызывает его перегрев и уменьшение области устойчивой работы, приводящее к снижению надежности устройства. группами периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумя боковыми и двумя торцовыми стенками, по крайней мере одна боковая сторона отверс тий выполнена вогнутой формы.

На фиг. 1 изображены для варианта выпол пения предложенного канала для продвижейия ЦМД; на фиг. 2 — распределение управляющего тока вблизи отверстий.

Канал для продвижения UM3, (фиг. 1д) содержит магнитоодноосную пленку,1, на которой расположены токопроводящие слои 2 и 3, изолированные друг от друга и от пленки 1 слоями диэлектрика 4 и 4

В слоях 2 и 3 соответственно выполнены группы периодически расположенных отверстий 5 и б.

Отличительной особенностью канала является форма отверстий групп 5 и 6.

Боковые стороны этих отверстий имеют вогнутую форму.

В первом варианте (фиг. 1о ) канада боковые стенки отверстий — это стенки, ориентированные продольно оси 7 канала, а вто втором варианте (фиг. 1б) — это стенки, ориентированные поперечно оси 8 канала

Канал работает следующим образом.

При пропускании через токопроводяшие слои 2 и 3 поочередно импульсов управляющего тока ) (3 — через слой 2, J — через слой 3), на торцовых (рабочих) сторонах отверстий в результате обтекания их током образуются поочередно МСЛ которые и обеспечивают последовательное продвижение

ЦМД, аналогично тому как это происходит в известном устройстве, Однако в предложенном канале для продвижения ЦМД за счет того, что боковые стенки отверстий имеют вогнутую форму, обеспечивается более высокая локальная плотность 3< тока на торцовых сторонах отверстий сравнительно с известным каналом.

Для того, чтобы максимально повысить плотность тока 3р на торцовых стенках

t необходимо повысить локальную плотность тока вдоль, боковых .стенок, т. е, максимально "прижать" ток к ним. Для этого необходимо увеличить проводимость малой области токопроводящего слоя вблизи боковых стенок. В предложенном канале это достигается расширением указанной области 9 (фиг. 2) за счет площади отверстий 5, т. е. за счет вогнутости боковых стенок. Благодаря этому повышается доля управляющего тока

10, текущего вдоль боковых стенок, а. следовательно, и плотность 3 тока на торцах отверстия, сравнительно со случаем известных каналов с выпуклыми отверстиями. Таким

Составитель Ю. Розенталь

Техред С. Легеза

Редактор В. Иванова

Корректор Г. Решетник

Заказ 7264/37

Тираж 574

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

I l3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 Il образом, распределение тока 10 в предложенном канале приближает работу отверстия к работе петлевой аппликации, которая как известно, при прочих равных условиях дает наибольшую МСЛ.

Преимуществом предложенного канала для продвижения ЦМД является его надежность.

Действительно, увеличенная локальная плотность тока позволяет снизить Ьбщий управляющий ток в канале, а следовательно, существенно снизить рассеиваемую мощность.

Это увеличивает область устойчивой работы устройства и повышает тем самым его надежность. Кроме того, образование острых

17710 4 углов на стыке торцовых и боковых стенок дополнительно увелиивает плотность тока 94

Экспериментальные исследования показали, что предложенный канал для продвижения

1.1МД обеспечивает МСЛ примерно на 15% большую, чем у известных каналов подобного типа, что позволяет соответственно снизить ток управления и снизить рассеиваемую моппюсть íà 3(9. l0 Снижение управляющих токов и связанное с этим уменьшение рассеиваемой мощности и перегрева устройства позволяет увеличить время наработки на отказ и расширить область устойчивой работы, чвз значительно

t 5 увеличивает надежность устройства.